市场近期盛传三星将押注资源发展2纳米，预计最快明年于美国德州厂率先导入2纳米制程，企图弯道超车台积电。 半导体业界透露，三星目前以GAAFET打造之3纳米，约为目前竞争对手4纳米FinFET水平，分析2纳米效能恐怕不如台积电最后也是最强一代之3纳米FinFET。 尤其台积电再针对3纳米发展更多家族成员，包括N3X、N3C、N3A等应用，未来仍会是主流客户之首选。盘点目前智能手机旗舰芯片，皆使用台积电第二代3纳米（N3E），仅有三星Exynos 2500为自家3纳米GAAFET; 各家业者今年预计迭代进入第
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台积电和三星在晶圆代工领域竞争激烈，两家大厂相继赴美国设厂，根据ZDNet Korea报导，三星可能比台积电更早在美国推出2纳米制程，预计时间点在明年第一季，以增强在美国芯片市场的影响力。 但报导也质疑，三星先进制程的良率偏低，泰勒工厂能否达到芯片生产阶段仍存在不确定性。报导指出，三星计划将在美国推出首个国产2纳米制程，以加强竞争力，据悉公司已开始为在泰勒工厂的生产线做准备。 虽然目前美国2纳米制程生产尚处在规划阶段，但考量大型科技公司对从美国采购芯片展现浓厚兴趣，三星对此持乐观态度。三星美国厂野心勃勃，
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美国商务部正在考虑撤销此前授予台积电、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的许可证——这一举措可能为它们在中国的运营制造新的障碍，据路透社报道。引自华尔街日报，Wccftech 指出，工业与安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推动结束允许美国芯片设备制造商向这些公司中国工厂出售关键工具的豁免。报道补充说，这可能导致它们获取美国制造设备的规定更加严格。根据 Tom's Hardware，该审查针对的是在美国于 2022 年底限制向中国出口芯片制造工具后授予非中国芯片制造商
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据报道，三星正在加紧为其美国代工厂的生产做准备。据韩国媒体 ZDNet 援引 6 月 23 日的消息人士称，该公司正在讨论于 2026 年开始在泰勒晶圆厂安装其 2nm 工艺设备的计划。该报告指出，经过几次延误，三星于 2025 年第二季度恢复了泰勒工厂的洁净室建设。据报道，一旦洁净室完工，该公司正计划引入相关设备以开始设置生产线。值得注意的是，由于这将是初始生产线，因此预计投资规模将相对适中。据韩国媒体 The Elec 报道，当三星于 2021 年底首
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据路透社报道，美国商务部正在考虑撤销之前授予台积电、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的许可证，此举可能会给它们在中国大陆的业务制造新的障碍。
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随着三星加速 1c DRAM 开发，试图在 HBM4 竞争中夺回失地，当前领导者 SK 海力士正与科技巨头合作推出定制 HBM 解决方案。据《 韩国经济日报 》报道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——预计将在 2026 年下半年推出。报道显示，SK 海力士已经赢得了包括英伟达、微软和高通在内的主要客户，使其成为定制和通用 AI 内存市场的领先者。值得注意的是，SK 海力士最近开始根据客户需求定制 HBM，报道补充说，英伟达紧张的生产进度影响了其合作伙伴的选择。定制 HBM 更
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随着将 HBM4 时代的希望寄托在其 1c DRAM 的进展上，据报道三星在良率方面取得了重大突破。据 sedaily 报道，该公司最近在其第六代 10nm 级 DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现了 50-70%的良率——这一数字较去年的 30%以下水平有了显著提升。值得注意的是，与 SK 海力士和美光等坚持使用更成熟的 1b DRAM 生产 HBM4 不同，三星正大胆押注下一代 1c DRAM。随着良率稳步提高，该公司计划在其华城和平泽工厂加大 1c DRAM 的生产规模，根据
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据韩媒etnews于6月18日报道，三星电子近期在高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域取得重要突破。其基于4nm工艺制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能评估，传输带宽达到24Gbps。这一成果标志着三星在芯粒互联技术上的显著进展。UCIe（统一芯粒互联接口）是一种通用的芯粒互联标准，能够实现不同来源和工艺的芯粒之间的互联通信，从而将分散的芯粒生态系统整合为统一平台。三星早在去年就对其工艺进行了优化，以支持UCIe IP的开发。此次原型芯片的成功运行，表明其技术已具备向商业量产迈进的能力。
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就在三星显示（Samsung Display）近期接连在美国起诉中国京东方和华星光电之际，韩国另一家显示面板巨头LG显示（LG Display，LGD）也在2025年6月13日，向美国德州东区地方法院对中国另一家显示面板巨头天马微电子发起了专利侵权损害赔偿和陪审团审理诉讼。与三星显示和京东方、华星光电争议的主要是OLED面板不同，此次LGD对天马微电子提出的诉求主要还是LCD面板，尤其是应用在目前汽车行业，此外也包括对OLED的投诉。LGD在起诉书中指控天马微电子侵犯7项美国专利：US8,416,166（
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在持续进行的半导体行业竞争中，台积电和三星电子正激烈争夺2纳米芯片制造的领先地位。据最新报道，两家公司计划于2025年下半年开始2纳米芯片的大规模生产。然而，由于良率优势，台积电在获取订单方面处于领先地位。台积电已开始接收其 2 纳米工艺的订单，预计将在其新竹宝山和高雄晶圆厂进行生产。这标志着该公司首次采用环绕栅极（GAA）架构。新工艺预计将比当前的 3 纳米工艺提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶体管密度。主要客户据报包括 AMD、苹果、英伟达、高通和联发科。值
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Cadence 和三星晶圆厂扩大了他们的合作，签订了一项新的多年 IP 协议，并在最新的 SF2P 和其他先进工艺节点上联合开发先进的 AI 驱动流程。具体来说，这项多年的 IP 协议将扩展 Cadence 内存和接口 IP 在三星晶圆厂的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先进工艺节点上。通过利用 Cadence 的 AI 驱动设计技术和三星的先进 SF4X、SF4U 和 SF2P 工艺节点，这项合作旨在为 AI 数据中心、汽车、ADAS 和下一代射频连接应用提供高性能、低功耗的解决方案。“我们支持在三
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据台媒《经济日报》报道，由于DDR4供应减少，再加上市场神秘买家大举出手扫货，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM现货价等规格单日都暴涨近8%。本季以来报价已翻涨一倍以上，不仅跨过DRAM厂损益平衡点，更达到让厂商暴赚的水平。如今DDR4不仅报价大涨，甚至比更高规格的DDR5报价更高，呈现“价格倒挂”，业界直言：“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大。”根据DRAM专业报价网站DRAMeXchange最新报价显示，6月13日晚间DDR4现货价全面暴涨，DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7.8%，
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一块厚度不足毫米的玻璃板，正引发英特尔、三星和台积电之间一场静悄悄的竞赛。
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作为 Micron——在赢得 NVIDIA HBM 订单的竞争中关键对手——宣布已交付其首批 12 层 HBM4 样品，据报道三星在 6 月份第三次尝试通过 NVIDIA 的 HBM3E 12 层验证时遇到了挫折。根据 Business Post引用的证券分析师，该公司现在计划在 9 月份进行重测。尽管 Deal Site 之前表示三星的 12 层 HBM3E 在 5 月份通过了 NVIDIA 的裸片认证，但该产品仍需进行完整封装验证。另一方面，SR Times 建
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机器人正迅速成为全球科技公司的关键增长领域。根据彭博社报道，三星和英伟达据计划收购 Skild AI 的少数股权，作为他们加强在消费机器人领域存在感的努力的一部分。据报道，三星将投资 1000 万美元给 Skild，而 NVIDIA 据报道将投资 2500 万美元，彭博社称。这笔融资是 Skild B 轮融资的一部分，该轮融资使公司估值约为 45 亿美元，据报道，日本软银集团承诺提供 1 亿美元的支持。同时，该报告还提到，其他韩国大型企业——包括 LG、韩华和未来资产——每个都在 Skild 投资了 50
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