- 三星电子因良率不佳面临大挫败，根据科技媒体wccftech报导，传出超微已取消三星4纳米制程订单，超威已改为委托台积电，以4纳米制程生产EPYC服务器中央处理器。三星晶圆代工事业面临大挑战，根据报导，超威已将原本交给三星代工的EPYC服务器，转给台积电美国亚利桑那州新厂以4纳米生产，台积电美国厂接单频传喜讯，包括苹果、辉达等都宣布要在该厂区投片。知名爆料人士@Jukanlosreve指出，超微将把EPYC服务器处理器转交给台积电美国亚利桑那州厂生产。 目前还不知超微转单理由，但推测是三星晶圆代工事业表现差
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- 由于三星尖端制程良率偏低，以及美国特朗普政府关税政策影响，处理器大厂AMD可能已经取消了三星4nm制程订单，进而转向了向台积电美国亚利桑那州晶圆厂下单。这一决定标志着三星代工业务继失去高通、英伟达等科技巨头价值数十亿美元的尖端芯片订单后，再次遭遇重大挫折。
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- 随着美国 232 条款半导体调查的公众意见截止日期的临近，整个芯片行业的焦虑情绪越来越大。迫在眉睫的关税决定给财报旺季蒙上了一层阴影，在地缘政治和贸易紧张局势加剧的情况下，科技巨头不愿发布明确的预测。这是非常不寻常的，因为财务预测通常是公司方向和战略的最重要指标之一。由于有传言称关税税率在 25% 到 100% 之间，芯片制造商发现很难预测他们的前景，尤其是 2025 年下半年。Marvell 在一份新闻稿中表示，在全球贸易紧张局势和“动态宏观经济环境”的情况下，该公司将其 2025 年 6 月的投资者日
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- 据韩国媒体ZDNet Korea报道，三星电子在2025年2月左右已提前开始量产12层堆叠的HBM3E高带宽内存，但尚未通过GPU巨头英伟达的认证，因此目前无法向其供货。这一决定让三星面临积累大量库存的风险。市场消息人士透露，三星对其12层堆叠HBM3E的性能和稳定性充满信心，认为能够顺利通过英伟达的认证流程。提前量产的策略旨在通过认证后快速供货，助力实现2025年HBM出货量达到2024年两倍的目标。目前，英伟达最新的AI芯片主要采用SK海力士供应的12层堆叠HBM3E。SK海力士凭借其在HBM市场的主
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- 据韩媒《首尔经济》援引业界消息，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人全永铉近日率领高层团队紧急访问美国硅谷，与苹果、NVIDIA、博通等美国科技巨头展开会晤。此次行程为期至少一周，重点在于巩固DRAM、次世代高带宽存储器（HBM）以及晶圆代工领域的订单，并探讨应对美国潜在关税政策的策略。三星高层团队此次放弃韩国“家庭月”连假，显示了其在恢复半导体竞争力方面的紧迫感。2025年第1季，三星在全球DRAM市场失去龙头地位，被SK海力士超越，因此确保移动DRAM（LPDDR）和次世代DRAM的供应显得
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- 三星已向其供应链传达消息，多款基于1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4产品本月即将停产，以及1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将进入EOL阶段。与此同时，美光已通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块，而SK海力士也被传将DDR4产能削减至其生产份额的20%。这意味着内存制造商正加速产品过渡，把更多资源投向HBM和DDR5等高端产品。ddr4和ddr5的区别· 带宽速度：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度为
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- 三星电子（Samsung Electronics）近来重兵部署在HBM先进制程，但供应链传出，三星HBM3E认证进度再遭卡关，由于Google投入自行设计AI服务器芯片，原打算搭配三星HBM3E，并送交台积电进行CoWoS封装，但日前却突然通知三星HBM遭撤下。据了解，事发源头是来自三星HBM3E未能通过NVIDIA认证，Google为求保险起见，可能改换美光（Micron）产品递补供应，相关市场消息近日在业界传得沸沸扬扬。对此，消息源向三星求证，三星回复无法评论客户相关事宜，相关开发计划仍按照进度执行。
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- 三星对此消息表示，无法确认。 但法人认为，HBM市场年复合成长率超过45%，三星传停产旧规格的HBM，应有助于三星加快技术迭代，并巩固其与SK海力士、美光的「三强争霸」地位。与此同时，陆厂加快进攻高阶存储器市场。 长鑫存储宣布16nm DDR5 DRAM已量产，性能超越SK海力士12nm产品，并计划2025年将产能扩至每月18万片晶圆，目标2026年切入LPDDR5与车用DRAM，为未来进军HBM铺路。长江存储则靠Xtacking混合键合技术快速追赶，量产全球首款270层3D NAND Flash，与三星
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- 三星已在美国地方法院对中国显示巨头京东方提起新的专利侵权诉讼，指控其未经授权使用关键的 OLED 技术。由于京东方向苹果等主要品牌供应面板，这场争端现在有可能波及全球供应链，此案凸显了显示器行业日益紧张的局势，并凸显了多元化采购策略的必要性。 这次针对京东方提起的诉讼是在美国德克萨斯州东区地方法院提起的。三星声称，京东方及其六家公司侵犯了三星的四项美国专利。这些是美国专利号 11,574,990、11,574,991、10,439,015 和 10,013,088。三星早在 2022 年 5 月就已经就他
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- 三大原厂纷纷缩减旧制程产能，除三星电子已传宣布4月终止1y nm及1z nm制程的DDR4生产，美光亦通知客户停产服务器用旧制程DDR4模组，SK海力士据传也将DDR4产出比重降至20%。法人认为，市场景气低迷，上游存储器厂加速产品迭代，降低单位成本以提升获利，同时将资源转向高带宽记忆体（HBM）及DDR5等高阶产品。短期内内存价格受到关税备货与供给控制支撑，但整体环境不确定性高，未来基本面仍存隐忧。三星已通知供应链，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4内存将于2025年4月停止生产（EOL）
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- 2025年一季度，中国智能手机市场出货量达7160万部，同比增长3.3％，这一增速高于全球市场的同期水平，增长的主要动力来自于中国政府实施的国补政策和春节销售旺季的双重拉动。其中，小米出货量1330万台，同比增长39.9%，出货量和增速均排名第一。华为出货量1290万台，同比增长10.0％，出货量和增速均排名第二；OPPO和vivo分别以1120万台和1030万台的出货量排在第三和第四位，同比增幅分别为3.3%和2.3%。相比之下，苹果在中国市场的表现略显逊色，出货量为980万台，同比下滑9%，成为前五名
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- 复杂国际形势叠加终端需求冰火两重天的景象之下，晶圆代工产业迎来调整时期，人事变动、整合传闻屡见不鲜。与此同时，先进制程正加速冲刺，2nm芯片在今年将实现量产/试产，开启半导体技术新纪元。三星晶圆代工部门调整，加强HBM业务竞争力近期，媒体报道三星电子DS部门针对代工部门人员发布了“定期招聘”公告，三星计划把超过两位数的晶圆代工事业部人员调往存储器制造技术中心、半导体研究院以及全球制造及基础设施总部。业界透露，三星此次调整主要是为了加强HBM领域竞争实力，其中三星半导体研究所招募人员是为了“加强HBM和封装
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- 4月9日消息，根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM营收市占率达到36%，而三星电子紧随其后，市占率为34%，美光则以25%的市占率位列第三，其他厂商合计占据剩余的5%。SK海力士预期，营收与市占率的增长至少会持续到下一季度，其还表示，公司在关键的HBM市场占有率高达70%。Counterpoint Research资深分析师Jeongku Choi
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- 2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。1nm 晶圆的开发需要“高 NA EUV 曝光设备”，但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。另一方面，台积电也正在推出
2 纳米以下芯片，据报道，这家台湾半导体巨头已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆订单。至于三星，在其 2 纳米 GAA
技术的试产过程中
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- 4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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