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nand 文章

中国将增加在美半导体采购量?韩媒:不太容易

  •   据businesskorea报道,中国计划在未来六年内将在美国的半导体采购增加到2000亿美元(约合225.9万亿韩元),大约是目前水平的五倍。  然而,许多专家表示,美国急于遏制中国的半导体野心,不太可能接受中国的提议,因为它将增加对中国的半导体依赖。  韩国企业对该计划持谨慎态度,主要有两个原因。  首先,中国没有提及将购买哪一种半导体。一家韩国半导体公司的高级官员表示:“中国没有说明将进口何种半导体芯片,无论是内存、中央处理器(CPU)还是系统半导体芯片。在这种情况下,很难预测对韩国企业的影响。
  • 关键字: NAND  DRAM  

IC Insights:大陆半导体制造困难大,五年后自制率不过半

  • ICInsights最新报告显示,大陆的集成电路生产仍远低于政府的目标。报告指出,2018年大陆半导体市场为......
  • 关键字: 半导体  晶圆  NAND  

晋华美光案结果将出 与中美知识产权争端无关

  •   就在新一轮中美经贸高级别磋商即将开启之际,为期近两年的美光、晋华知识产权诉讼案,也来到了一个关键节点。  第一财经记者查阅美国法院信息,并比照获得的最新法律文件发现,1月18日法院裁定美系存储大厂美光(Micron)对福建晋华诉讼案的文件有瑕疵,驳回了美光对晋华的民事诉讼,但允许美光再变更诉请,变更的截止期限是2月8日。但2月8日已过,美光是否已经修改并重新提交,目前并没有体现在公开的信息变更中。  一位接近中美谈判的人士独家对第一财经记者称,晋华与美光的专利侵权案件及商业秘密案件,都属于正常的个案,
  • 关键字: 晋华  美光  NAND  

韩媒:存储器产业陷入低迷,中国企业或放缓前进步伐

  • 根据韩国媒体Business Korea报道,由于存储器产业从2018年年底迎来低迷,存储器产品价格下跌,各大存储器厂商先后宣布降低产量以来,虽然三星仍然稳坐半导体产业头把交椅,但是其盈利能力已经受到质疑。  无独有偶,SK海力士等厂商的日子也不好过。头部厂商的日子尚且如此,那还在奋斗中的中国存储器厂商又将面对怎样的未来呢? 
  • 关键字: 存储器,NAND  

集邦咨询:供需失衡态势难止,NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%

  •   根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市场经历全年供过于求,且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色,预计产能过剩难解。在此情况下,供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程,避免位元成长过多导致过剩状况加剧。  DRAMeXchange调查指出,2018年因供过于求难以遏制,韩系供应商带头降低资本支出。NAND Flash总体资本支出下调近10%,但供需失衡的情形仍无法逆转。2019年美系厂商减少资本支出,使得NAND
  • 关键字: NAND  东芝  

存储器行业的2018:冰与火之歌|盘点2018

  • 存储器一直被看成是半导体行业的晴雨表,它的表现也影响着整个市场的枯荣变换。2018年的存储器行业在兴奋和失望迷茫的情绪交替中前行,伴随着技术上的几许亮色,迈向了2019年。从热火朝天到凛冬将至  2017年的存储器市场可以用火热来形容,三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人。
  • 关键字: 存储器  NAND  

中天弘宇:攻克核心设计缺陷 重建NOR闪存新生

  • 闪存是当今数据存储的重要介质之一,主流的闪存体系有NAND和NOR两种。不过随着半导体工艺不断发展,相比于NAND技术的快速演进,NOR技术似乎在几年前工艺就迟滞不前,因为存在部分设计缺陷而让NOR闪存无法继续跟进先进工艺成为了阻碍NOR闪存大规模应用的关键。不过,因为中国企业中天弘宇集成电路有限公司的潜心研究,NOR闪存的应用也许将重获新生。 “我们经过了近十年的研发积累,完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新,也可以说是一个完全的颠覆。我们沿用了整个NOR的架构,但和英特尔最早发明的NOR完全不是一回事
  • 关键字: NOR  NAND  存储器  

半导体设备厂商竞争格局生变?

  •   半导体设备供应商的排名在2016-2017年间没有发生太大的变化,但是这种格局正在发生变化。不仅Lam Research、ASML和东京电子的位次发生调转,排名第一的应用材料公司的宝座位置也岌岌可危。  自1990年以来,应用材料公司一直是半导体设备领域的市场领导者。在此之前的1989年,坐在铁王座位置上的还是日本的东京电子,该公司2016年排名第四,今年前三季度的新排名则是第二。除了位次的变化,也许更重要的是,领头羊和第二名的差距正在迅速收窄。  2016年,应用材料公司的市场份额比Lam
  • 关键字: ASML  NAND  

突破瓶颈,英特尔重塑数据中心存储架构

  • 2018年12月11日,以“智数据·创未来”为主题的2018中国存储与数据峰会在北京拉开帷幕。作为中国数据与存储行业顶级的交流平台,本次峰会汇集了全球近百位来自产业界、学术界的专家,就数据洪流时代下,企业如何实施数据战略、深挖数据价值,变数据资源为实现更广泛商业价值的数据资产等话题展开深入探讨。
  • 关键字: 数据  存储  傲腾  QLC 3D NAND  

AI芯天下丨DRAM价格将持续下跌

  •   全球DRAM市场上,三星一家独大,接着是SK Hynix及美光,这三家的DRAM份额占到了全球95%左右,而华亚科被美光全资收购之后,Nanya南亚科技也就变成全球第四大内存芯片厂商了,虽然2.5%的份额跟前面三家公司20%—45%的份额相比是小巫见大巫。  1  DRAM连涨之后持续下跌  在DRAM内存涨价超过9个季度之后,内存芯片价格终于在10月份大跌了一次,DRAMxChange称10月份DRAM现货价格跌了10%,预计2019年还会继续跌20%。  受此影响,全球第四大内存芯片厂商南亚科
  • 关键字: DRAM  NAND  

存储领域竞争加剧,3D NAND蚀刻逐步明朗化

  •   3D NAND的出现也是因为2D NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分,为了提高其容量、降低成本,NAND的制造工艺也在不断进步,厚度开始不断降低,但NAND闪存和处理器还是有很大不同的。虽然先进的工艺带来了更大的容量,但是其可靠性和性能却在下降,因为工艺越先进,NAND的氧化层越薄,其可靠性也就越差,厂商就需要采取额外手段弥补这一问题,这必然会提高成本,以至于在达到某个最高点之后完全抵消掉制造工艺带来的优势。    3D NAND将思路从提高制造工艺转
  • 关键字: 存储  NAND  

晋华事件透视:存储器垄断暴利之痛如何终结?

  • 垄断加剧供求失衡,导致价格上涨,垄断导致的暴利,是目前全球存储器行业面临的最大问题。
  • 关键字: 存储器  NAND  

存储器原厂Q3业绩抢眼,但涨价优势不再,Q4风光难续

  •   前言:2018年Q3出货旺季,在存储器Bit出货量增加带动下,存储器原厂业绩抢眼。然而,存储器涨价优势不再,Q4财报恐难抵下滑之势。  存储器原厂Q3财报抢眼,但NAND价格大跌超60%,引原厂产能“紧急制动”  2018年以来,Flash原厂持续扩大64层3D TLC NAND供货,且以256Gb和512Gb供货为主,再加上美光和英特尔64层1Tb QLC NAND在市场应用,导致市场供过于求。即使在Q3出货旺季,NAND Flash价格也依然表现跌势。据中国闪存市场ChinaFlashMarket
  • 关键字: 存储器  NAND  

产业高点已过,2019年闪存价格恐跌40%

  •   CINNOResearch对闪存供应商及其上下游供应链调查显示,在64层的3D-NAND良率更为成熟,需求端受到中美贸易战压缩的情况下,NANDFlash行业供过于求的情况持续加剧,各家厂商以更为积极的降价来刺激出货成长,也因此第三季度闪存平均销售单价普遍较第二季度下滑15-20%,而位元出货量则是在第二季度基期较低的关系,第三季成长幅度来到20-25%,整体第三季闪存产值达到172亿美元,季成长约为5%,值得注意的是,也是近三年来在第三季度旺季期间表现最差的一次(2016年第三季与2017年第三季的
  • 关键字: 闪存  3D-NAND  

兆易创新宣布与全球知名电子分销商Digi-Key在闪存产品领域通力合作

  •   日前,业界领先的半导体供应商兆易创新(GigaDevice)宣布与全球知名电子分销商Digi-Key Electronics合作。兆易创新的SPI NOR Flash及NAND Flash等闪存产品可通过Digi-Key实现全球即时发货,并在交货周期及产品价格上更贴近客户需求。  兆易创新的SPI NOR Flash产品容量目前涵盖512Kb至512Mb,并即将推出1Gb及2Gb的更高容量产品,以及业界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封装(容量高达8Mb)。 NAND Flash产品包含SPI和
  • 关键字: 兆易创新  NAND   
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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