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图解中国存储器三大势力 DRAM、NAND 拼量产

  • 中国存储器后进厂商 2018 年开始产能逐步开出,目前状况到底如何?
  • 关键字: DRAM  NAND  

三星扩产NAND Flash IC Insights估恐过剩

  •   三星(Samsung)今年资本支出将倍增至260亿美元,其中,又将以3D NANDFlash为最大宗,研调机构IC Insights认为,3D NANDFlash恐将供过于求。   IC Insights预估,今年全球半导体资本支出金额将达908亿美元,将成长35%;其中,三星今年资本支出将倍增至260亿美元,比英特尔(Intel)与台积电的总和还多。   三星今年的资本支出主要投入3D储存型闪存(NAND Flash),将达140亿美元,IC Insights指出,三星将斥资70亿美元,推进动态
  • 关键字: 三星  NAND  

东芝第二财季运营利润增长76% 芯片业务表现强劲

  •   11月9日消息,据国外媒体报道,日本东芝公司今天公布财报显示,由于受到旗下内存芯片业务强劲业绩的驱动,该公司本财年第二季度运营利润增长了76%。最近,该公司同意将旗下内存芯片业务以180亿美元对外出售。   处于困境状况的这家日本工业巨头表示,本财年7至9月份这个第二季度运营利润从上年同期的768.8亿日元增长至1250,8亿日元(约合12亿美元)。   这个业绩好于分析师预期,汤森路透StarMine SmartEstimate此前根据5位分析师预估,东芝本财年第二季度运营利润是1244.7亿日
  • 关键字: 东芝  NAND  

美光3D NAND技术发威 抢占边缘存储商机

  •   美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后,开始拓展旗下产品线广度,日前耕耘工业领域有成,将推出影像监控边缘储存解决方案,32GB和64GB版microSD卡抢先问世,预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样,同年第2季量产。   美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产,除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域,也积极推动工业领域应用,日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合,以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。  
  • 关键字: 美光  3D NAND  

美光3D NAND技术发威 抢占边缘存储商机

  •   美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后,开始拓展旗下产品线广度,日前耕耘工业领域有成,将推出影像监控边缘储存解决方案,32GB和64GB版microSD卡抢先问世,预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样,同年第2季量产。   美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产,除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域,也积极推动工业领域应用,日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合,以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。  
  • 关键字: 美光  NAND  

IC Insights:全球半导体2017年上调市场预测提升至22%

  •   据IC Insights预测,2017年的IC市场增长率有望提高到22%,较今年年中预期的16%再提升6个百分点,出货量增长率预测也从年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市场预测是由于DRAM和NAND闪存市场的激增。   此外,IC Insights同时调稿对O-S-D(光电子,传感器/执行器和分立器件)市场的预测。总体而言,2017年半导体产业整体预计增长达20%,比年中预期调高5个百分点。   2017年,IC Insights预测DRAM的平均售价将大涨77%,预计今年将推动DRAM
  • 关键字: DRAM  NAND  

DRAM/NAND都是啥?科普内存和硬盘的区别

  • DRAM/NAND都是啥?科普内存和硬盘的区别-现如今随着手机的不断推广和普及,已掩盖电脑时代的辉煌,很多新生代的用户都与手机的存储就陷入了茫然。
  • 关键字: DRAM  NAND  存储器  

东芝受恶意攻击导致NAND停产:预估少生产40万TB容量

  •   援引DigiTimes报道,东芝的NAND部门近日遭受了非常严重的恶意攻击,被迫关闭NAND生产线数周时间,这将导致近阶段公司NAND闪存的供应比较紧张。   DigiTimes消息称为了清除恶意程序,东芝公司的NAND生产线将停工3-6周时间才能恢复正常供应,预估将减少10万个wafers产量。PCGamesN网站预估假设这段停产时间正常生产,能够带来5000万个芯片或者40万TB的NAND闪存。   近年来由于智能手机和服务器的需求不断增大,NAND的售价也水涨船高。但是由于NAND厂商在生产
  • 关键字: 东芝  NAND  

DRAM涨潮再起 谁才是真正赢家?

  • DRAM供货吃紧的情况下,其再次出现价格疯涨现象,在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的这场角逐中,也许大家都是赢家。
  • 关键字: DRAM  NAND   

基于magnum 2 测试系统的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的测试技术研究

  •   摘要:NAND FLASH在电子行业已经得到了广泛的应用,然而在生产过程中出现坏块和在使用过程中会出现坏块增长的情况,针对这种情况,本文介绍了一种基于magnum II 测试机的速测试的方法,实验结果表明,此方法能够有效提高FLASH的全空间测试效率。另外,针对NAND FLASH的关键时序参数,如tREA(读信号低电平到数据输出时间)和tBERS(块擦除时间)等,使用测试系统为器件施加适当的控制激励,完成NAND FLASH的时序配合,从而达到器件性
  • 关键字: NAND  magnum   

DRAM与NAND的区别及工作原理

  • DRAM与NAND的区别及工作原理-本文就DRAM与NAND在工作原理上做比较,弄清两者的区别
  • 关键字: DRAM  NAND  RAM  

Nand Flash编程应用难点浅析

  •   Nand Flash存储器是flash存储器的一种,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。  1989年,东芝公司发表了Nand Flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。经过十几年的发展,NAND应用越来越广泛,但是大多数工程师却仍然不知道关于NAND应用的一些难点:分区、ECC纠错、坏块管理等。只有真正了
  • 关键字: Nand Flash  东芝  

3D NAND微缩极限近了吗?

  • 随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限,3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...
  • 关键字: 3D NAND  摩尔定律  

群联潘健成:未来五年 NAND供不应求

  •   内存股王群联电子昨(27)日举行股东临时会补选一席董事,由日商东芝内存株式会社(TMC)当选。在市场供需方面,群联董事长潘健成乐观表示,未来五年,储存型闪存(NANDFlash)将持续供不应求。   台湾东芝先进半导体因集团组织调整,今年8月1日辞去群联董事,群联昨日召开股东临时会补选,并顺利由东芝内存株式会社当选。   潘健成表示,东芝内存主导负责东芝的全球半导体事业,东芝已将群联股权移转给东芝内存;而群联与东芝间不仅相互投资,也透过合作互补,强化技术,双方关系将比过去15年更加紧密,在产业的竞
  • 关键字: NAND  

2018年NAND Flash供给年增42.9%,全年度供需由紧俏转为平衡

  •   根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,2017年NAND Flash产业需求受到智能手机搭载容量与服务器需求的带动,加上供给面受到制程转进进度不如预期的影响下,供不应求的状况自2016年第三季起已持续六个季度;展望2018年,NAND Flash供给将增加42.9%,需求端将成长37.7%,明年整体供需状况将转为供需平衡。   DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出,从NAND Flash的供给面来看,因为NAND制程从2D转进3D不如预期,导致2017年非三星阵营的新
  • 关键字: NAND  西数  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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