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nand 文章

突破瓶颈,英特尔重塑数据中心存储架构

  • 2018年12月11日,以“智数据·创未来”为主题的2018中国存储与数据峰会在北京拉开帷幕。作为中国数据与存储行业顶级的交流平台,本次峰会汇集了全球近百位来自产业界、学术界的专家,就数据洪流时代下,企业如何实施数据战略、深挖数据价值,变数据资源为实现更广泛商业价值的数据资产等话题展开深入探讨。
  • 关键字: 数据  存储  傲腾  QLC 3D NAND  

AI芯天下丨DRAM价格将持续下跌

  •   全球DRAM市场上,三星一家独大,接着是SK Hynix及美光,这三家的DRAM份额占到了全球95%左右,而华亚科被美光全资收购之后,Nanya南亚科技也就变成全球第四大内存芯片厂商了,虽然2.5%的份额跟前面三家公司20%—45%的份额相比是小巫见大巫。  1  DRAM连涨之后持续下跌  在DRAM内存涨价超过9个季度之后,内存芯片价格终于在10月份大跌了一次,DRAMxChange称10月份DRAM现货价格跌了10%,预计2019年还会继续跌20%。  受此影响,全球第四大内存芯片厂商南亚科
  • 关键字: DRAM  NAND  

存储领域竞争加剧,3D NAND蚀刻逐步明朗化

  •   3D NAND的出现也是因为2D NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分,为了提高其容量、降低成本,NAND的制造工艺也在不断进步,厚度开始不断降低,但NAND闪存和处理器还是有很大不同的。虽然先进的工艺带来了更大的容量,但是其可靠性和性能却在下降,因为工艺越先进,NAND的氧化层越薄,其可靠性也就越差,厂商就需要采取额外手段弥补这一问题,这必然会提高成本,以至于在达到某个最高点之后完全抵消掉制造工艺带来的优势。    3D NAND将思路从提高制造工艺转
  • 关键字: 存储  NAND  

晋华事件透视:存储器垄断暴利之痛如何终结?

  • 垄断加剧供求失衡,导致价格上涨,垄断导致的暴利,是目前全球存储器行业面临的最大问题。
  • 关键字: 存储器  NAND  

存储器原厂Q3业绩抢眼,但涨价优势不再,Q4风光难续

  •   前言:2018年Q3出货旺季,在存储器Bit出货量增加带动下,存储器原厂业绩抢眼。然而,存储器涨价优势不再,Q4财报恐难抵下滑之势。  存储器原厂Q3财报抢眼,但NAND价格大跌超60%,引原厂产能“紧急制动”  2018年以来,Flash原厂持续扩大64层3D TLC NAND供货,且以256Gb和512Gb供货为主,再加上美光和英特尔64层1Tb QLC NAND在市场应用,导致市场供过于求。即使在Q3出货旺季,NAND Flash价格也依然表现跌势。据中国闪存市场ChinaFlashMarket
  • 关键字: 存储器  NAND  

产业高点已过,2019年闪存价格恐跌40%

  •   CINNOResearch对闪存供应商及其上下游供应链调查显示,在64层的3D-NAND良率更为成熟,需求端受到中美贸易战压缩的情况下,NANDFlash行业供过于求的情况持续加剧,各家厂商以更为积极的降价来刺激出货成长,也因此第三季度闪存平均销售单价普遍较第二季度下滑15-20%,而位元出货量则是在第二季度基期较低的关系,第三季成长幅度来到20-25%,整体第三季闪存产值达到172亿美元,季成长约为5%,值得注意的是,也是近三年来在第三季度旺季期间表现最差的一次(2016年第三季与2017年第三季的
  • 关键字: 闪存  3D-NAND  

兆易创新宣布与全球知名电子分销商Digi-Key在闪存产品领域通力合作

  •   日前,业界领先的半导体供应商兆易创新(GigaDevice)宣布与全球知名电子分销商Digi-Key Electronics合作。兆易创新的SPI NOR Flash及NAND Flash等闪存产品可通过Digi-Key实现全球即时发货,并在交货周期及产品价格上更贴近客户需求。  兆易创新的SPI NOR Flash产品容量目前涵盖512Kb至512Mb,并即将推出1Gb及2Gb的更高容量产品,以及业界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封装(容量高达8Mb)。 NAND Flash产品包含SPI和
  • 关键字: 兆易创新  NAND   

3D NAND技术发展迅速,SSD取代HDD硬盘明年可待

  •   NAND Flash历经两年的涨价后,在2018年价格开始大幅下滑,据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,截止到10月底,2018年NAND Flash综合价格指数已累积下滑高达63%,其中主流SSD价格跌幅也高达约50%。  Flash原厂3D NAND之战加剧,使得SSD价格更加亲民,据中国闪存市场ChinaFlashMarket最新价格,消费类零售品牌SSD 240GB容量价格已下滑至31美金,480GB容量价格下探至58美金。低端白牌SSD产品的市场报价更是分别低至25美金(24
  • 关键字: NAND  HDD  

赛普拉斯与海力士携手组建NAND闪存合资公司

  •   全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp.)(纳斯达克代码:CY)日前宣布,与海力士半导体公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合资公司。协议约定在前五年中,合资公司将生产及销售赛普拉斯现有的SLC NAND闪存系列产品,并将继续投资于下一代NAND产品。合资公司总部设立在香港,海力士与赛普拉斯将分别持有60%与40%的股份。  赛普拉斯总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury表示:“合资公司将会长期为客户提
  • 关键字: 海力士  NAND  

存储产业需求随摩尔定律放缓,价格持续上涨

  • 存储芯片市场在经过长达一年半时间的猛涨后,部分内存芯片的价格突然下跌,加之韩国三星电子近期发布的令人失望的2017年盈利报告,导致那些押注芯片繁荣的投资者感到极度不安。
  • 关键字: 摩尔定律  NAND  

国内厂商在存储行业紧锣密鼓,有望实现“弯道超车”

  • 中国存储器产业起步较晚,我国作为全球最重要的存储器市场,在国家产业政策扶持以及大量资本投入的背景下,通过自主研发关键技术与引入半导体巨头,有望实现存储器产业的“弯道超车”,在全球竞争中占有一席之地。
  • 关键字: DRAM  NAND  存储器  

2018年NAND Flash价格跌幅超过50%,背后原因为何!

  •   随着智能型手机、平板、PC等消费类电子扩大普及,以及大数据、安防监控、物联网、人工智能、5G网络、无人驾驶等热潮的兴起,数据存储需求与日俱增。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,预计2018年全球存储市场规模将达到1500亿美元。  在9月19日的中国闪存市场峰会(CFMS2018)上,央视记者采访了存储产业链内的知名企业,比如:西部数据、长江存储、慧荣、江波龙、群联、大华、元禾华创等,同时业内大咖也分享了对存储产业发展的看法。  央视财经频道精彩回顾:原厂3D闪存芯片产出增加存储容量
  • 关键字: NAND  长江存储  

西部数据扩展视频存储和分析产品系列 满足终端智能视频的动态需求

  •   北京,西部数据公司今日发布三个安防监控存储解决方案更新,扩展了其用于现代监控市场的数据存储设备系列。这一系列更新包括:业内率先发布的用于监控的工业级3D NAND UFS嵌入式闪存盘(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移动卡系列,以及使OEM及系统集成商能够主动管理其存储子系统、维持运行优化状态的新款设备分析软件Western Digital Device Analytics(WDDA)。  <左1:西部数据公司中国区产品市场总监-张丹女士、左2:西部数据公司
  • 关键字: 西部数据  NAND  

提高3D NAND性能、可靠性和良率的 考虑因素

  •   前言  多年来,全球的非易失存储功能都仰仗于 NAND 闪存技术。其用途已经从单纯的闪存驱动器扩展到笔记本电脑、智能手机和平板电脑,如今又扩展至云端存储操作所需固态存储记忆体。随着时间的推移,结构上的逐渐演进已满足对存储容量增加、尺寸缩小和可靠度提升上的不断需求,而且此技术已经验证,可提供高性能,低功耗,并和以前的固态存储技术相比,每存储单位比特成本更低,其价值不言而喻。  最初,NAND 闪存制造商使用多重图案化技术来缩小尺寸,从而增加存储密度,降低相对应成本。遗憾的是,2D 或平面 NAND 闪存
  • 关键字: NAND  闪存  

西部数据公司推出支持先进汽车系统的新款3D NAND UFS嵌入式闪存盘

  •   西部数据公司于今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽车嵌入式闪存盘(EFD),丰富了其高质量、高耐用性的汽车储存解决方案,用以满足对先进汽车系统和自动驾驶车辆的需求(如高级驾驶辅助系统ADAS)。西部数据公司iNAND® AT EU312 嵌入式闪存盘的 UFS 2.1接口,可提供高容量和相比较此前基于e.MMC 产品更强的性能,满足了汽车设备严格的质量和可靠性要求。  车联网需要以越来越高的容量快速可靠地存储数据,以支持由数字集群、信息娱乐系统、3D地图导航、远程信息处理、高级驾驶辅助系统的
  • 关键字: 西部数据  NAND  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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