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SK海力士与英特尔已完成收购交易的第一阶段:NAND闪存市场会有什么变化?

  • 据韩国媒体消息,中国监管机构审查了SK海力士垄断的可能,并就该家韩国芯片制造商从英特尔手中收购NAND闪存业务进行评估,并决定批准该收购,这为SK海力士扫清了最后一个障碍。
  • 关键字: SK海力士  英特尔  NAND  闪存  

TrendForce:三星NAND Flash生产不受西安封城影响

  • 中国西安正受疫情影响而封城,目前尚无法预期解封时间,根据TrendForce调查,由于三星(Samsung)在当地设有两座大型工厂,均用以制造3D NAND高层数产品,投片量占该公司NAND Flash产能达42.3%,占全球亦达15.3%,现下封城措施并未影响该工厂的正常营运。然而,当地封城措施严格管控人流及物流,尽管2021年底至2022年一月中以前的出货多已经安排妥适,但无法排除接下来因物流延迟出货的可能,这将可能对采购端的物料安排造成影响。此外,该公司的原物料进货也有可能受到物流受阻而延迟,但三星
  • 关键字: TrendForce  三星  NAND Flash  

笔记本电脑与手机火热 2021年第一季NAND Flash总营收季增5.1%

  • 根据TrendForce表示,2021年第一季NAND Flash产业总营收达148.2亿美元,季增5.1%,其中位出货量成长11%,大致抵消平均销售单价下跌5%带来的影响。在议价时,需求端虽受惠于笔电、智能型手机需求强劲,但数据中心市场需求仍属疲弱,市场尚未脱离供过于求的状态,各类产品合约价仍呈现明显下跌。然而,OEM/ODM采购开始留意到NAND Flash控制器缺货冲击中低容量产品供给,自今年一月下旬便开始增加订单,一方面避免陷入缺货风险,也希望在料况无虞的情况下,策略性扩大市占,使得第一季NAND
  • 关键字: NAND Flash  

美光专家对176层NAND的解答

  • 2020 年11 月,美光科技宣布出货全球首款176 层NAND,实现闪存性能和密度的重大突破(如图1)。为此,《电子产品世界》采访了该公司工艺集成技术开发高级总监Kunal Parekh 和NAND 组件产品线高级经理KevinKilbuck。问:176 层产品目前用于哪些应用?Kevin Kilbuck:我们Crucial英睿达品牌的某些消费类固态硬盘采用了176 层NAND,已经开始出货。问: 新的176 层NAND 如何解决产量挑战?如何解决层间干扰?Kunal Parekh: 通过严格的试验和测
  • 关键字: 202103  NAND  

2021年DRAM与NAND增长快,美光领跑研发与新技术

  • 近日,美光在业界率先推出 1α DRAM 制程技术。值此机会,该公司举办了线上媒体沟通会,执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 先生介绍了对DRAM、NAND的市场预测,以及美光的研发、资本支出、产品布局等。执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana1   2021年DRAM和NAND将增长19%展望2021年,全球GDP增长约5%。而根据不同分析师的预测,半导体产业预计增长可达12%,整个半导体产业的产值将达5020亿美元。其中,内存与存储预计增长可达19%,增度远超整
  • 关键字: DRAM  NAND  

美光科技:DRAM芯片供应紧张将持续数年,NAND产能今年保持稳定

  • 存储芯片大厂美光(Micron)执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示,2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退,今年显现明显复苏,并带动存储器需求增长。目前主要有两种存储器产品,一种是DRAM(动态随机存储器),用于缓存,另一种是NAND Flash(闪存),用于数据的存储。在DRAM领域,韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana称,预期今
  • 关键字: 美光科技  DRAM  NAND  

TDK推出使用3D NAND闪存的高可靠性SSD

  •  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND(TLC或pSLC)闪存·    新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社(TSE:6762)将于2020年12月推出新一代闪存产品,该产品拥有5个系列,并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
  • 关键字: TDK  3D NAND  闪存  SSD  

SK海力士90亿美元接盘英特尔NAND业务,存储芯片格局或生变

  • 半导体并购再起。2020年以来,半导体的重磅收购不断。英伟达拟收购ARM,AMD洽谈收购赛灵思,半导体领域接连出现重大变数,金额屡创新高。今天新的主角又登场了 —— SK海力士与英特尔。SK海力士于20日发布公示官宣将以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。本次收购范围包括英特尔的固态硬盘 (SSD) 业务、NAND闪存和晶元业务,以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。不过,英特尔将保留傲腾 (Optane) 的存储业务。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易,超过三星在20
  • 关键字: SK海力士  英特尔  NAND  存储芯片  

研究机构预计全球NAND闪存销售额今年增至560亿美元 同比大增27%

  • 据国外媒体报道,研究机构预计,销售额在去年大幅下滑的NAND闪存,在今年将大幅增长,同比增长率将达到27.2%,销售额将达到560.07亿美元。从研究机构的预计来看,在集成电路的33个产品类别中,NAND闪存今年销售额的同比增长率,将是最高的,是增长最明显的一类。就预期的销售金额而言,NAND闪存依旧会是集成电路中的第二大细分市场,仅次于DRAM,后者的销售额预计为645.55亿美元,较NAND闪存高85.48亿美元。在研究机构的预计中,在全球集成电路市场,NAND闪存今年的销售额将占到15.2%,仅次于
  • 关键字: NAND  闪存  

KLA推出全新突破性的电子束缺陷检测系统

  • 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力,能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷,从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间(包括那些依赖于极端紫外线(EUV)光刻技术的芯片)。eSL10的研发是始于最基本的构架,针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术,可提供高分辨率,高速检测功能,这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示:“利用单一的高能量电子
  • 关键字: DRAM  NAND  

游戏新机上市填补云端需求空缺 三季度NAND Flash价格波动有限

  • 根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查,尽管消费性产品及智能型手机受到疫情冲击导致需求下降,但云端服务、远距教学的需求也同步催生,加上部份客户因担忧供应链中断而提前备货,促使NAND Flash市场在2020年第一季与第二季呈现缺货。整体而言,目前需求以SSD占最大宗,与手机、消费性较相关的eMMC、UFS及wafer市场较为冷却。根据TrendForce分析师叶茂盛指出,当前为NAND Flash第三季议价的关键时刻,初步观察因新款游戏机的年底上市计划不变,首次转进SSD的
  • 关键字: NAND Flash  

三星电子拟投资8万亿韩元在平泽建NAND闪存生产线

  • 据国外媒体报道,三星电子日前表示,计划投资8万亿韩元(约合人民币466亿元)在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。三星电子生产线建设上月已经开始,预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。三星电子表示,此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命,以及5G普及而来的NAND需求。上月,三星电子还透露,已在平泽投资建设生产线,新产线专注于基于极紫外光刻(EUV)技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设,预计明年下半年开始量产5nm芯片。三星电子表示,加上平泽生产线,韩国将拥有7条
  • 关键字: 三星  NAND  闪存  

集邦咨询:数据中心需求大增,NAND Flash营收成长8.3%

  • 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2020年第一季NAND Flash(闪存)位元出货量较前一季大致持平,加上平均销售单价上涨,带动整体产业营收季成长8.3%,达136亿美元。延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道,第一季Enterprise SSD仍是供不应求。此外,自年初起,各供应商当时的库存水位多已恢复至正常,也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情,根据集邦咨询当时的调查,服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机,也因此对于数据中心需求
  • 关键字: NAND  三星  intel  

集邦咨询:数据中心需求大增,第一季NAND Flash营收成长8.3%

  • 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2020年第一季NAND Flash(闪存)位元出货量较前一季大致持平,加上平均销售单价上涨,带动整体产业营收季成长8.3%,达136亿美元。
  • 关键字: 集邦咨询  数据中心  NAND Flash  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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