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由于人们对周遭环境(住宅、建筑、工厂、企业或基础设施的内外环境)的视觉感知需求不断增长，全球范围的视频监控市场都在飞速发展。然而，所部署系统的数量和部署位置更多地受限于视频摄像头供应方的经济状况，以及用于部署、管理和监控这些系统的基础设施的复杂性。
上一次视频监控行业的重大突破得益于图像传感器和数字化技术的一些重大改进，以及互联网协议(IP) 网络的广泛应用。当下，一些强大的新技术趋势——例如使用诸如美光科技提供的基于 3D
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NAND microSD
大厂3D NAND良率大跃进，供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不会太理想。
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DRAM NAND
美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固态硬盘 (SSD)，该产品可提供业界领先的性能、一致性、容量、可靠性和整体基础设施价值。美光 5200 系列固态硬盘基于美光科技业界领先的全新 64 层 3D NAND 技术构建，对于OLTP、BI/DSS、VDI、块/对象和媒体流等在硬盘上无法一展身手的业务关键型虚拟化工作负载，可为其提供经济实惠的 SATA 平台。
利用广受好评的 5100 SATA 固态硬盘的成熟架构和业界领先的性能及容量，美光 5200 系列提
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美光科技 NAND
2017年，整体内存产业不论DRAM或NAND Flash，都度过了一个黄金好年，那么2018年可否持续荣景呢? 综合目前业界的看法，DRAM热度可望延续，供不应求态势依旧，但NAND部分，恐怕就不会那么乐观了，由于大厂3D NAND良率大跃进，供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不会太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供给吃紧，届时产业由悲转喜。
DRAM无新增产能
首先就DRAM部分，以大方向来说，2018年在Fab端并无新增产能，顶多就
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DRAM NAND
Nand Flash 是一个存储芯片。 那么：这样的操作很理“读地址A的数据，把数据B写到地址A” 问1：原理图上的Nand Flash和SC2440之间只有数据线，怎么传输地址? 答：在Data0-Data7上既传输数据，又传输地址，当ALE为高电平时传输的是地址 问2：从Nand Flash芯片手册可知，要操作Nand Flash需要先发出命令，怎么传入命令。 答：在Data0-Data7既传输数据，又传输地址，也传输命令 当ALE为高
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Linux Nand
前言 全球的智能手机用户一直在不断寻求更好的移动体验。他们不仅下载比以往任何时候都更多的应用，而且还使用更为复杂的应用来支持摄影、4K Ultra视频的播放和录制、电影流式播放、导航、图像采集以及虚拟现实(VR)/增强现实(AR)等方面更大的技术进步。 在某些地区，智能手机是唯一与外界联系的设备，因此用户对它们的依赖程度非常高，已经习惯于让手机不间断地运行并管理他们的日常生活。中国拥有全球最大智能手机用户群，这些用户经常使用高级在线支付服务(如Alipay(支付宝)和Tenpay(财付通
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NAND 存储
美光科技和英特尔今日发布了双方 NAND 存储联合开发计划的最新动态。这段成功的合作关系已帮助两家公司开发出行业领先的 NAND 技术并顺利推向市场。 此次发布内容包括两家公司商定将各自独立开发新世代 3D NAND 技术。双方同意共同完成第三代 3D NAND 技术的开发，该技术将在 2018 年末交付，并持续到 2019 年初。在此技术节点之后，两家公司将独
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美光科技 NAND
三星、东芝等存储器大厂已拟定3D NAND扩产计画，新产能将在2019年后开出，届时NAND Flash市场将供过于求。
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存储器 NAND
Nand-Flash/eMMC(带有Flash控制器的Nand-Flash)作为一种非线性宏单元模式存储器，为固态大容量存储的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-Flash存储器具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而越来越广泛地应用在如嵌入式产品、智能手机、云端存储资料库等业界各领域。
图1 Nand-Flash与eMMC芯片 1.1存储器件使用寿命 使用了Nand-Flash的主板出现丢数据掉程序现象，是一个让无数工程师毛骨悚然的
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Nand-Flash eMMC
2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年，零售价格的暴涨带动了厂商的营收，同时还对获利有了巨大贡献。 所以，当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商，包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导，东芝就最新宣布，将拿出 70 亿日圆的金额，准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7)，地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。
事实上，目前东芝的第 6 座工厂(Fab 6)正在建设当中，预计将于 2018 年第 4 季完工
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东芝 NAND
DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，而明年上半年将转为供过于求。
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NAND DRAM
内存明年市况恐将不同调，DRAM市场仍将持续吃紧，NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。
DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。
内存模块厂创见指出，DRAM 市场供货持续吃紧，价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面，随着 3D NAND Flash 技术日益成熟，生产良率改善，可望填补供货缺口。
另一内存模块厂威刚表示，短期内全球 DRAM
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DRAM NAND
围绕着此轮DRAM产业的上涨行情，无论是“供需论”还是“垄断说”，在DRAM一路疯涨的背后，展现的是耐人寻味的众生相，有需求者的无奈，领军者的得意，入局者的尴尬以及监管者的警觉。
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DRAM NAND
DRAM严重供不应求，三星明年首季再涨价3%至5%之后，SK海力士 下季也将涨价约5%，全球DRAM价格连续七季上扬，是历来涨势最久的一次。
业界解读，三星、海力士下季涨价态度坚决，等于向全球宣告，韩系大厂决定维持DRAM价格持稳不坠的决心，消除外界认为两大韩厂打算调降售价格，防止中国DRAM竞争对手窜起的流言。
手机中国联盟秘书长王艳辉认为，有人说三星疯狂扩产存储器是为了将中国存储器产业扼杀在萌芽，有点太看得起自己，虽然明年大陆存储器产业开始进入试产阶段，要与三星、海力士抗衡，至少还需要
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DRAM NAND
今年全球NAND Flash产业成功转换至64/72层3D NAND规格，随着制程转换完成，全球缺货问题也逐渐纾解，群联董事长潘健成指出，2018年底将进入96层的3D NAND技术世代，带动单一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技术也全面提升至新层次，群联的关键技术已经准备好了，呈现蓄势待发的姿态!
今年的NAND Flash产业受到技术转换不顺、数据中心对于储存容量需求快速攀升之故，导致产业供需失衡，芯片价格一直高居不下，但这样的状况停留太久后，导致终端产品的需求被抑制，
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SSD NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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