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第二季NAND Flash营收环比增长7.4%,预期第三季将成长逾3%
- 据TrendForce集邦咨询研究显示,第二季NAND Flash市场需求仍低迷,供过于求态势延续,使NAND Flash第二季平均销售单价(ASP)续跌10~15%,而位元出货量在第一季低基期下环比增长达19.9%,合计第二季NAND Flash产业营收环比增长7.4%,营收约93.38亿美元。自第二季起,三星(Samsung)加入减产行列,且预期第三季将扩大减产幅度,供给收敛的同时也在酝酿涨价,供过于求态势有望因此获得改善。不过,由于NAND Flash产业供应商家数多,在库存仍高的情
- 关键字: NAND Flash TrendForce
NAND Flash第四季价格有望止跌回升
- 近日,三星(Samsung)为应对需求持续减弱,宣布9月起扩大减产幅度至50%,减产仍集中在128层以下制程为主,据TrendForce集邦咨询调查,其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度,目的加速库存去化速度,预估第四季NAND Flash均价有望因此持平或小幅上涨,涨幅预估约0~5%。价格方面,如同年初TrendForce集邦咨询预测,NAND Flash价格反弹会早于DRAM,由于NAND Flash供应商亏损持续扩大,销售价格皆已接近生产成本,供应商为了维持营运而选择扩大减产,以期带动价
- 关键字: NAND Flash Wafer TrendForce
NAND 原厂过够了「苦日子」,有晶圆合约成功涨价 10%
- 厂家期待触底后的反弹早日到来。
- 关键字: NAND Flash
基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现
- 传统的控制器只能从NAND Flash存储器的起始位置开始存储数据,会覆盖上次存储的数据,无法进行数据的连续存储。针对该问题,本文设计了一种基于FPGA的简单方便的NAND Flash分区管理的方法。该方法在NAND Flash上开辟专用的存储空间,记录最新分区信息,将剩余的NAND Flash空间划成多个分区。本文给出了分区工作机理以及分区控制的状态机图,并进行了验证。
- 关键字: 202308 NAND Flash FPGA 分区 起始地址
6月中国市场NAND Flash Wafer部分容量合约价有望小幅翻扬

- 据TrendForce集邦咨询调查,5月起美、韩系厂商大幅减产后,已见到部分供应商开始调高wafer报价,对于中国市场报价均已略高于3~4月成交价。因此,TrendForce集邦咨询预估6月在模组厂启动备货下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反弹,结束自2022年5月以来的猛烈跌势,预期今年第三季起将转为上涨,涨幅约0~5%,第四季涨幅将再扩大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等产品库存仍待促销去化,现阶段价格尚未有上涨迹象。下半年旺季备货周期将至,尽管今
- 关键字: NAND Flash Wafer TrendForce
传铠侠/西数合并进入最终阶段 NAND Flash营收或超三星?

- 近日,据日本共同社消息,日本存储器大厂铠侠与合作方美国西部数据的合并经营已经进入最终收尾调整阶段。目前,作为全球知名的存储器厂商,铠侠和西部数据既是竞争对手又是合作伙伴,目前两家公司正在共同运营岩手县北上市和三重县四日市的工厂。报道引用相关人士消息称,铠侠和西部数据正在探讨出资设立新公司、统一开展半导体生产及营销的方案等,未来双方将进行经营合并,拟由铠侠掌握主导权,关于出资比率等将继续探讨。报道称,由于面向智能手机等的半导体行情疲软、业绩低迷,铠侠和西部数据此举意在提升经营效率并提高竞争力。资料显示,铠侠
- 关键字: 铠侠 西数 NAND Flash 三星
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR.
简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]