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东芝宣布兴建第7座NAND Flash工厂

  •   2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年,零售价格的暴涨带动了厂商的营收,同时还对获利有了巨大贡献。 所以,当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商,包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导,东芝就最新宣布,将拿出 70 亿日圆的金额,准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7),地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。   事实上,目前东芝的第 6 座工厂(Fab 6)正在建设当中,预计将于 2018 年第 4 季完工
  • 关键字: 东芝  NAND  

明年上半年DRAM吃紧、NAND恐供大于求

  • DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态,产品价格同步高涨,而明年上半年将转为供过于求。
  • 关键字: NAND  DRAM  

明年上半年DRAM吃紧、NAND恐供大于求

  •   内存明年市况恐将不同调,DRAM市场仍将持续吃紧,NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。   DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态,产品价格同步高涨,只是业界普遍预期,明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。   内存模块厂创见指出,DRAM 市场供货持续吃紧,价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面,随着 3D NAND Flash 技术日益成熟,生产良率改善,可望填补供货缺口。   另一内存模块厂威刚表示,短期内全球 DRAM
  • 关键字: DRAM  NAND  

中国反垄断机构关注DRAM连涨七个季度,何处是尽头?

  • 围绕着此轮DRAM产业的上涨行情,无论是“供需论”还是“垄断说”,在DRAM一路疯涨的背后,展现的是耐人寻味的众生相,有需求者的无奈,领军者的得意,入局者的尴尬以及监管者的警觉。
  • 关键字: DRAM  NAND  

DRAM下季度再涨5%,已连涨七季历史最长

  •   DRAM严重供不应求,三星明年首季再涨价3%至5%之后,SK海力士 下季也将涨价约5%,全球DRAM价格连续七季上扬,是历来涨势最久的一次。   业界解读,三星、海力士下季涨价态度坚决,等于向全球宣告,韩系大厂决定维持DRAM价格持稳不坠的决心,消除外界认为两大韩厂打算调降售价格,防止中国DRAM竞争对手窜起的流言。   手机中国联盟秘书长王艳辉认为,有人说三星疯狂扩产存储器是为了将中国存储器产业扼杀在萌芽,有点太看得起自己,虽然明年大陆存储器产业开始进入试产阶段,要与三星、海力士抗衡,至少还需要
  • 关键字: DRAM  NAND  

潘健成:明年3D NAND进入96层 群联准备好了

  •   今年全球NAND Flash产业成功转换至64/72层3D NAND规格,随着制程转换完成,全球缺货问题也逐渐纾解,群联董事长潘健成指出,2018年底将进入96层的3D NAND技术世代,带动单一芯片的容量提升至256Gb/512Gb,SSD控制芯片技术也全面提升至新层次,群联的关键技术已经准备好了,呈现蓄势待发的姿态!   今年的NAND Flash产业受到技术转换不顺、数据中心对于储存容量需求快速攀升之故,导致产业供需失衡,芯片价格一直高居不下,但这样的状况停留太久后,导致终端产品的需求被抑制,
  • 关键字: SSD  NAND   

美光任命Derek Dicker为存储产品事业部副总裁兼总经理

  •   美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 为存储产品事业部副总裁兼总经理。  在此职位上,Dicker 将负责领导和拓展美光的固态存储业务,包括打造世界领先的存储解决方案,从而把握云端、企业级和客户端计算等大型细分市场中日渐增多的机遇。他将向美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 汇报。  Dicker 在半导体行业拥有 20 年的从业经验,包括在 Intel、
  • 关键字: 美光  NAND  

旺宏NAND论文 获国际肯定

  •   内存大厂旺宏(2337)在3D NAND Flash研发获得重成果,昨(29)日宣布,最新研发3D NAND记忆晶胞架构的论文入选国际电子组件大会(IEDM),被评选为「亮点论文」,是今年台湾产学研界唯一获选的厂商,彰显旺宏在先进内存研发实力受到国际高度肯定,也显示旺宏在业界最关注的3D NAND议题上扮演重要角色。   旺宏强调,独立研发的平坦垂直渠道型晶体管结构(SGVC),相较其他大厂现有技术,以相同的堆栈层数,却可达到二到三倍的内存密度。   目前很多公司大举投入64层或72层等3D NA
  • 关键字: 旺宏  NAND  

让汽车更智能,适用于汽车远程信息处理系统的全新 NAND+LPDDR4 MCP

  •   被誉为世界三大车展之一的东京车展于近日开幕,来自全世界的主要汽车生产厂商通过展示最新的产品和技术来描绘下一代汽车发展蓝图,其中 “人工智能”、“自动驾驶”和“新能源”俨然已成为汽车产业界公认的未来的发展方向。  例如,丰田展出的“爱i”系列,能凭借大量数据分析解驾驶员的日常习惯及行为模式,甚至判断出驾驶员的兴趣爱好、感情状态等。不仅是轿车,丰田展示的依靠氢燃料电池提供动力的大巴“SORA”,不仅助力环保,更在智能性方面有了极大提高。SORA内外搭载有8个高清晰摄像头,能捕捉到周围的行人、车辆
  • 关键字: NAND  LPDDR4  

图解中国存储器三大势力 DRAM、NAND 拼量产

  • 中国存储器后进厂商 2018 年开始产能逐步开出,目前状况到底如何?
  • 关键字: DRAM  NAND  

三星扩产NAND Flash IC Insights估恐过剩

  •   三星(Samsung)今年资本支出将倍增至260亿美元,其中,又将以3D NANDFlash为最大宗,研调机构IC Insights认为,3D NANDFlash恐将供过于求。   IC Insights预估,今年全球半导体资本支出金额将达908亿美元,将成长35%;其中,三星今年资本支出将倍增至260亿美元,比英特尔(Intel)与台积电的总和还多。   三星今年的资本支出主要投入3D储存型闪存(NAND Flash),将达140亿美元,IC Insights指出,三星将斥资70亿美元,推进动态
  • 关键字: 三星  NAND  

东芝第二财季运营利润增长76% 芯片业务表现强劲

  •   11月9日消息,据国外媒体报道,日本东芝公司今天公布财报显示,由于受到旗下内存芯片业务强劲业绩的驱动,该公司本财年第二季度运营利润增长了76%。最近,该公司同意将旗下内存芯片业务以180亿美元对外出售。   处于困境状况的这家日本工业巨头表示,本财年7至9月份这个第二季度运营利润从上年同期的768.8亿日元增长至1250,8亿日元(约合12亿美元)。   这个业绩好于分析师预期,汤森路透StarMine SmartEstimate此前根据5位分析师预估,东芝本财年第二季度运营利润是1244.7亿日
  • 关键字: 东芝  NAND  

美光3D NAND技术发威 抢占边缘存储商机

  •   美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后,开始拓展旗下产品线广度,日前耕耘工业领域有成,将推出影像监控边缘储存解决方案,32GB和64GB版microSD卡抢先问世,预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样,同年第2季量产。   美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产,除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域,也积极推动工业领域应用,日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合,以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。  
  • 关键字: 美光  3D NAND  

美光3D NAND技术发威 抢占边缘存储商机

  •   美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后,开始拓展旗下产品线广度,日前耕耘工业领域有成,将推出影像监控边缘储存解决方案,32GB和64GB版microSD卡抢先问世,预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样,同年第2季量产。   美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产,除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域,也积极推动工业领域应用,日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合,以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。  
  • 关键字: 美光  NAND  

IC Insights:全球半导体2017年上调市场预测提升至22%

  •   据IC Insights预测,2017年的IC市场增长率有望提高到22%,较今年年中预期的16%再提升6个百分点,出货量增长率预测也从年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市场预测是由于DRAM和NAND闪存市场的激增。   此外,IC Insights同时调稿对O-S-D(光电子,传感器/执行器和分立器件)市场的预测。总体而言,2017年半导体产业整体预计增长达20%,比年中预期调高5个百分点。   2017年,IC Insights预测DRAM的平均售价将大涨77%,预计今年将推动DRAM
  • 关键字: DRAM  NAND  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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