- 由于持续受益于存储器芯片热潮，韩国三星电子(Samsung Electronics)今年第二季仍稳坐半导体销售龙头地位，再度超越其竞争对手——英特尔(Intel)。 根据市场研究机构IHS Markit的统计，三星在今年第二季全球芯片市场占15.9%，英特尔约占7.9%。然而，随着NAND快闪存储器(flash)市场显著降温，英特尔已自本季开始缩小与三星的差距，其季成长较三星更高3%。 以半导体销售额来看，三星在第二季的销售额为192亿美元，较第一季成长3.4%，并较2017年第二季成长了33.7
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三星 NAND 英特尔
- 1. 引言 NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述了一种基于NIOS II 软核的NAND FLASH的驱动方法。 2. VDNF2T16VP193EE4V25简介 欧比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量为2Tb、位宽为16位的NAND FLASH，其内部由8片基片拓扑而成，其拓扑结构如下： 其主要特性如下： Ø 总容量
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NAND NIOS II FPGA
- 8月20日，研究机构ICInsights发布了2018年上半年全球半导体供应商Top15榜单，三星位居第一位，英特尔位居第二位。不过遗憾的是，中国大陆暂时没有公司进入这个榜单的前15名。 根据发布的数据显示，三星、英特尔、SK海力士、台积电、镁光排名榜单的前五位，相较于去年同期，这几家公司都有比较明显的增长，特别是三星、SK海力士以及镁光，分列六至十五位的分别是博通、高通、东芝\东芝内存、德州仪器、英伟达、西数\闪迪、英飞凌、恩智浦、意法半导体和联发科。这里，英伟达数据最为抢眼，相较于去年同期，英伟
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DRAM NAND
- 在最近发布的《麦克莱恩2018年中期报告》(McClean Report 2018)中，IC Insights预测，2018-2022年全球GDP和IC市场相关系数将达到0.95，高于2010-2017年期间的0.88。 IC Insights描述了从2010年到2017年全球GDP增长与IC市场增长之间日益密切的关联，以及到2022年的最新预测。 如图所示，在2010-2017年的时间段内，全球GDP增长与IC市场增长的相关系数为0.88，这是一个强劲的数字，因为完全相关为1.0。在此期间之前的3
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DRAM NAND
- NAND闪存价格2018年以来一直在降低，大家也应该注意到了今年发布的智能手机闪存容量也越来越大了，中高端机中64GB是起步，128GB已经是主流了。NAND闪存降价的趋势在下半年还会继续，因为智能手机出货量增长放缓，而3D NAND闪存产能持续增加，预计Q3、Q4两个季度中NAND价格都会下跌10%，不用过这也加速了大容量SSD硬盘的普及，未来2-3内512GB将成为主流之选。 集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发布了有关NAND闪存市场下半年趋势的报告，认为Q3季度虽然是传统旺季，但是N
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NAND SSD
- 今年下半年，随着长江存储、福建晋华、合肥长鑫国内三大存储厂商相继进入试产阶段，中国存储产业将迎来发展的关键阶段。业界认为，国内存储产业发展初期虽难大举撼动全球版图，但或将对全球存储市场价格走势造成影响。 而随着中美贸易局势的紧张，以及中国监管机构正式启动对三星、美光、SK海力士等存储机构的反垄断调查，中国存储产业的发展也愈发受到关注。 目前，中国存储器产业已经形成以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营。 近期传出合肥长鑫投产8
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NAND DRAM
- 据韩国媒体报道称，三星已经上调了今明两年在NAND生产上的投资，总计高达150亿美元，这主要用于扩大韩国平泽工厂以及中国西安工厂的3D NAND产能。报道中提到，三星如此投资，只是为了提高NAND产量，所以未来SSD的继续降价是基本没悬念的事。 全球NAND闪存市场份额中，三星排名第一，占有率达到37%，其一举一动直接影响整个行业的发展，而此番投资NAND领域以扩大产能，也势必让竞争对手采用同样的策略。 有报道称，东芝/西数、美光、SK Hynix及Intel都在大举投资NAND产能，今年底到明年
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三星 NAND
- 近日，据IC Insights的数据预测，2018年NAND Flash行业的资本支出(CAPEX)将比预期产量增加40%以上，从2017年的220亿美元增至2018年的310亿美元，属于近8年来的最大增幅。
其中，3D NAND的市场需求，成为驱动NAND闪存资本支出激增的主要因素之一。3D NAND闪存技术采用堆叠的方式处理设备层关系，可以使得每颗芯片的储存容量增加，从而实现更大的结构和单元间隔，利于增加产品的耐用性、降低生产成本。因此深受NAND闪存厂商的追捧，目前已成为NAND闪存厂商的
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NAND CAPEX
- 美光科技有限公司(纳斯达克代码：MU)宣布，中国福建省福州市中级人民法院于今日通知美光科技的两家中国子公司，针对联华电子股份有限公司(以下简称“联电”)与福建省晋华集成电路有限公司(以下简称“晋华”)提起专利侵权诉讼的案件，该法院已批准向美光科技两子公司裁定初步禁令。这次联电和晋华提起专利侵权诉讼，实为报复此前台湾检察机关针对联电及其三名员工侵犯美光商业机密提起的刑事诉讼，以及美光科技就此针对联电和晋华向美国加利福尼亚北区联邦地区法院提起的民事诉讼。 该初步禁令禁止美光科技两中国子公司在中国制造、销
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美光科技 DRAM NAND
- 在2018年第一季度，全球半导体产业销售额达到了1158亿美元。即使该季度半导体产业总营收出现些许下滑，然而NAND市场依然创下了有史以来第二高的季度收入，其中，来自企业和消费性固态硬盘(SSD)市场的需求最为强劲。 随着企业和储存市场对于相关零组件需求的增加，在2018年第一季度，储存类别增长率为1.7%，达到397亿美元。事实上，对于服务器用内存(Server DRAM)的强劲需求将持续推动该市场。然而，也能看到NAND涨幅在该季度内收入略有下降，IHS Marki内存与储存市场资深总监Crai
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无线通讯 NAND
- 在“2018中国半导体市场年会暨IC中国峰会”上，紫光集团有限公司董事长赵伟国作了“自主可控的中国存储器产业崛起之路”报告，介绍了从2015年3月到2018年上半年的三年时间，紫光进入3D NAND闪存芯片的思考与愿景。
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存储器 3D NAND 自主可控 201807
- 为实现更高储存密度，NAND Flash的堆栈层数不断增加，单一晶胞内能储存的信息也越来越多。 目前NAND Flash芯片已经进入64层TLC时代，展望2019年，三星(Samsung)、东芝(Toshiba)等业者都将进一步推出96层QLC颗粒。 为了因应即将量产的新一代NAND Flash规格特性，控制器业者群联已备妥对应的解决方案。 群联电子发言人于绍庭表示，3D NAND Flash技术不断推进，目前64层TLC已经是相当稳定的产品。 而为了进一步提升储存密度，NAND Flash供货商正
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NAND，芯片
- 存储芯片三巨头此次遭中国反垄断机构调查，最终结果究竟如何，人们拭目以待。
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存储 NAND
- 随物联网时代来临，数据中心、高速传输的5G受重视，研调单位指出，协助运算处理的DRAM与资讯储存的NAND Flash等需求也持续增温，南亚科(2408)日前表示，今年DRAM市场仍供不应求，带动存储器族群行情向上，旺宏(2337)在权证市场同受关注，昨(29)日登上成交金额之首。 南亚科昨日股价虽然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新台币，后同)，但获外资逆势敲进逾2,000张，颇有逢低承接意味。 南亚科今年首季每股盈余(EPS)达2.39元，随着DRAM市场仍持续供不应求，对今年整体营运表
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DRAM NAND
- 美光科技有限公司推出的业界首款基于革命性四层单元(QLC)NAND 技术的固态硬盘现已开始供货。美光® 5210 ION 固态硬盘在美光 2018年分析师和投资者大会上首次亮相，面向之前由硬盘驱动器 (HDD) 提供服务的细分市场，可提供高出三层单元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固态硬盘的推出，奠定了美光在实现更高容量和更低成本方面的领导者地位，可以满足人工智能、大数据、商业智能、内容传输和数据库系统对读取密集型且性能敏感的云存储的需求。 随着工作负载的演变以满足对于实时数据的
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美光 NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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