- 美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 为存储产品事业部副总裁兼总经理。 在此职位上，Dicker 将负责领导和拓展美光的固态存储业务，包括打造世界领先的存储解决方案，从而把握云端、企业级和客户端计算等大型细分市场中日渐增多的机遇。他将向美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 汇报。 Dicker 在半导体行业拥有 20 年的从业经验，包括在 Intel、
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美光 NAND
- 内存大厂旺宏(2337)在3D NAND Flash研发获得重成果，昨(29)日宣布，最新研发3D NAND记忆晶胞架构的论文入选国际电子组件大会(IEDM)，被评选为「亮点论文」，是今年台湾产学研界唯一获选的厂商，彰显旺宏在先进内存研发实力受到国际高度肯定，也显示旺宏在业界最关注的3D NAND议题上扮演重要角色。
旺宏强调，独立研发的平坦垂直渠道型晶体管结构(SGVC)，相较其他大厂现有技术，以相同的堆栈层数，却可达到二到三倍的内存密度。
目前很多公司大举投入64层或72层等3D NA
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旺宏 NAND
- 被誉为世界三大车展之一的东京车展于近日开幕，来自全世界的主要汽车生产厂商通过展示最新的产品和技术来描绘下一代汽车发展蓝图，其中 “人工智能”、“自动驾驶”和“新能源”俨然已成为汽车产业界公认的未来的发展方向。 例如，丰田展出的“爱i”系列，能凭借大量数据分析解驾驶员的日常习惯及行为模式，甚至判断出驾驶员的兴趣爱好、感情状态等。不仅是轿车，丰田展示的依靠氢燃料电池提供动力的大巴“SORA”，不仅助力环保，更在智能性方面有了极大提高。SORA内外搭载有8个高清晰摄像头，能捕捉到周围的行人、车辆
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NAND LPDDR4
- 中国存储器后进厂商 2018 年开始产能逐步开出，目前状况到底如何?
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DRAM NAND
- 三星(Samsung)今年资本支出将倍增至260亿美元，其中，又将以3D NANDFlash为最大宗，研调机构IC Insights认为，3D NANDFlash恐将供过于求。
IC Insights预估，今年全球半导体资本支出金额将达908亿美元，将成长35%;其中，三星今年资本支出将倍增至260亿美元，比英特尔(Intel)与台积电的总和还多。
三星今年的资本支出主要投入3D储存型闪存(NAND Flash)，将达140亿美元，IC Insights指出，三星将斥资70亿美元，推进动态
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三星 NAND
- 11月9日消息，据国外媒体报道，日本东芝公司今天公布财报显示，由于受到旗下内存芯片业务强劲业绩的驱动，该公司本财年第二季度运营利润增长了76%。最近，该公司同意将旗下内存芯片业务以180亿美元对外出售。
处于困境状况的这家日本工业巨头表示，本财年7至9月份这个第二季度运营利润从上年同期的768.8亿日元增长至1250,8亿日元(约合12亿美元)。
这个业绩好于分析师预期，汤森路透StarMine SmartEstimate此前根据5位分析师预估，东芝本财年第二季度运营利润是1244.7亿日
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东芝 NAND
- 美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后，开始拓展旗下产品线广度，日前耕耘工业领域有成，将推出影像监控边缘储存解决方案，32GB和64GB版microSD卡抢先问世，预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样，同年第2季量产。
美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产，除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域，也积极推动工业领域应用，日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合，以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。
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美光 3D NAND
- 美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后，开始拓展旗下产品线广度，日前耕耘工业领域有成，将推出影像监控边缘储存解决方案，32GB和64GB版microSD卡抢先问世，预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样，同年第2季量产。
美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产，除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域，也积极推动工业领域应用，日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合，以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。
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美光 NAND
- 据IC Insights预测，2017年的IC市场增长率有望提高到22%，较今年年中预期的16%再提升6个百分点，出货量增长率预测也从年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市场预测是由于DRAM和NAND闪存市场的激增。
此外，IC Insights同时调稿对O-S-D(光电子，传感器/执行器和分立器件)市场的预测。总体而言，2017年半导体产业整体预计增长达20%，比年中预期调高5个百分点。
2017年，IC Insights预测DRAM的平均售价将大涨77%，预计今年将推动DRAM
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DRAM NAND
- DRAM/NAND都是啥？科普内存和硬盘的区别-现如今随着手机的不断推广和普及，已掩盖电脑时代的辉煌，很多新生代的用户都与手机的存储就陷入了茫然。
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DRAM NAND 存储器
- 援引DigiTimes报道，东芝的NAND部门近日遭受了非常严重的恶意攻击，被迫关闭NAND生产线数周时间，这将导致近阶段公司NAND闪存的供应比较紧张。
DigiTimes消息称为了清除恶意程序，东芝公司的NAND生产线将停工3-6周时间才能恢复正常供应，预估将减少10万个wafers产量。PCGamesN网站预估假设这段停产时间正常生产，能够带来5000万个芯片或者40万TB的NAND闪存。
近年来由于智能手机和服务器的需求不断增大，NAND的售价也水涨船高。但是由于NAND厂商在生产
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东芝 NAND
- DRAM供货吃紧的情况下，其再次出现价格疯涨现象，在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的这场角逐中，也许大家都是赢家。
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DRAM NAND
- 摘要：NAND FLASH在电子行业已经得到了广泛的应用，然而在生产过程中出现坏块和在使用过程中会出现坏块增长的情况，针对这种情况，本文介绍了一种基于magnum II 测试机的速测试的方法，实验结果表明，此方法能够有效提高FLASH的全空间测试效率。另外，针对NAND FLASH的关键时序参数，如tREA(读信号低电平到数据输出时间)和tBERS(块擦除时间)等，使用测试系统为器件施加适当的控制激励，完成NAND FLASH的时序配合，从而达到器件性
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NAND magnum
- DRAM与NAND的区别及工作原理-本文就DRAM与NAND在工作原理上做比较，弄清两者的区别
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DRAM NAND RAM
- Nand Flash存储器是flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。 1989年，东芝公司发表了Nand Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。经过十几年的发展，NAND应用越来越广泛，但是大多数工程师却仍然不知道关于NAND应用的一些难点：分区、ECC纠错、坏块管理等。只有真正了
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Nand Flash 东芝
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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