NAND Flash，涨幅明显

中国双十一多数终端产品销售平淡，但在记忆体三大原厂包括三星、SK海力士及美光大幅减产、控制产出下，记忆体现货价涨势持续。其中，NAND因亏损较严重，涨幅较为明显。

依据InSpectrum最新报价显示，在DRAM现货报价方面，4Gb和8Gb DDR4近一周报价持平，近一月报价分别上涨3.03％和上涨1.97％。

在NAND Flash现货价方面，256Gb和512Gb TLC Flash周报价，分别为持平和上涨4.12％，月报价分别涨15.25％和上涨27.78％。

在合约价方面，集邦预估，第四季DRAM报价季增3～8％，优于第三季的0～5％跌幅；第四季NAND报价季增8～13％，也远优于第三季的5～10％跌幅。

就三大产业应用需求展望而言，PC和手机需求已落底，2024年需求可望转为正成长，一般型伺服器需求，也将逐渐恢复，加计企业在AI伺服器投资持续，2024年伺服器需求将转为正成长。

在产业供给方面，三大记忆体原厂的减产状况，三星在第四季DRAM减产幅度达30％，SK海力士及美光减产幅度达20％，原厂对NAND的减产幅度更高，预计三大供应商减产将持续至2024年中，且资本支出和产出，将聚焦于利润较佳产品，如高频宽记忆体（HBM）和DDR5。

产业界人士认为，目前记忆体报价涨势，主要有赖于供应商的减产，但伴随手机、PC及伺服器三大终端需求缓步复苏，将有助于记忆体产业供需结构和产业库存改善，加计记忆体报价，不论是现货价或是合约价，皆已转为上涨循环，可正向看待后市。

价格上涨从 DRAM 延伸到 NAND

内存价格的上涨趋势从 DRAM 开始，现在已扩展到 NAND Flash。减产和需求复苏相结合，实现了成功的扭亏为盈。预计三星电子和SK海力士的业绩改善步伐也将加快。

市场研究公司TrendForce 11月9日表示，三星电子预计今年第四季度NAND价格将上涨10%至15%。预计明年上半年还会再增长 10% 至 20%。

NAND价格的实际上涨已经开始。根据市场研究公司 DRAMeXchange 的数据，截至 10 月份，用于存储卡和 USB 设备的通用 128 Gb NAND 价格已上涨 1.59%。这是自 2021 年 7 月以来的首次反弹。

尽管需求复苏仍然缓慢，但减产推动了价格上涨。由于无法承受亏本销售，供应商已将减产幅度扩大到低于成本的水平。事实上，据报道三星电子将在明年上半年将 NAND 产量削减幅度扩大到 40% 至 50%。

SK海力士在上个月的第三季度财报电话会议上表示，“NAND库存高于DRAM。我们暂时将维持保守的 NAND 生产方式。”

此外，智能手机和个人电脑的出货量也有增长的迹象。据KB证券预测，明年智能手机和PC出货量将比上年增长5%，分别达到12亿台和2.6亿台。

对于智能手机而言，预期累积的换机需求以及中国手机市场需求的复苏将推动增长。至于PC，预计由于2025年停止支持“Windows 10”的影响，企业将出现更换PC的需求。

尤其是美国持续实施的半导体制裁，导致中国移动企业增加库存，被视为利好因素。随着他们扩大订单，这支撑了价格上涨。

随着DRAM价格上涨，NAND价格上涨，三星电子和SK海力士的财务业绩有望加速复苏。

尽管截至今年第三季度，仅半导体行业的累计赤字就达到了 12.69 万亿韩元（96.8 亿美元），但三星电子预计将出现显着复苏。虽然根据证券公司的平均预测，今年全年营业利润的共识为7.23万亿韩元，但明年预计将飙升至33.9万亿韩元，增幅为368.7%。

预计 SK 海力士的营业利润也将出现积极的转变。今年营业赤字的共识是8.43万亿韩元，而明年的预期是利润8.44万亿韩元。

来源：芯榜

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