中国存储器产业起步较晚，我国作为全球最重要的存储器市场，在国家产业政策扶持以及大量资本投入的背景下，通过自主研发关键技术与引入半导体巨头，有望实现存储器产业的“弯道超车”，在全球竞争中占有一席之地。
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DRAM NAND 存储器
随着智能型手机、平板、PC等消费类电子扩大普及，以及大数据、安防监控、物联网、人工智能、5G网络、无人驾驶等热潮的兴起，数据存储需求与日俱增。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，预计2018年全球存储市场规模将达到1500亿美元。 在9月19日的中国闪存市场峰会(CFMS2018)上，央视记者采访了存储产业链内的知名企业，比如：西部数据、长江存储、慧荣、江波龙、群联、大华、元禾华创等，同时业内大咖也分享了对存储产业发展的看法。 央视财经频道精彩回顾：原厂3D闪存芯片产出增加存储容量
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NAND 长江存储
北京，西部数据公司今日发布三个安防监控存储解决方案更新，扩展了其用于现代监控市场的数据存储设备系列。这一系列更新包括：业内率先发布的用于监控的工业级3D NAND UFS嵌入式闪存盘(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移动卡系列，以及使OEM及系统集成商能够主动管理其存储子系统、维持运行优化状态的新款设备分析软件Western Digital Device Analytics(WDDA)。 <左1：西部数据公司中国区产品市场总监-张丹女士、左2：西部数据公司
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西部数据 NAND
前言 多年来，全球的非易失存储功能都仰仗于 NAND 闪存技术。其用途已经从单纯的闪存驱动器扩展到笔记本电脑、智能手机和平板电脑，如今又扩展至云端存储操作所需固态存储记忆体。随着时间的推移，结构上的逐渐演进已满足对存储容量增加、尺寸缩小和可靠度提升上的不断需求，而且此技术已经验证，可提供高性能，低功耗，并和以前的固态存储技术相比，每存储单位比特成本更低，其价值不言而喻。 最初，NAND 闪存制造商使用多重图案化技术来缩小尺寸，从而增加存储密度，降低相对应成本。遗憾的是，2D 或平面 NAND 闪存
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NAND 闪存
西部数据公司于今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽车嵌入式闪存盘(EFD)，丰富了其高质量、高耐用性的汽车储存解决方案，用以满足对先进汽车系统和自动驾驶车辆的需求(如高级驾驶辅助系统ADAS)。西部数据公司iNAND® AT EU312 嵌入式闪存盘的 UFS 2.1接口，可提供高容量和相比较此前基于e.MMC 产品更强的性能，满足了汽车设备严格的质量和可靠性要求。 车联网需要以越来越高的容量快速可靠地存储数据，以支持由数字集群、信息娱乐系统、3D地图导航、远程信息处理、高级驾驶辅助系统的
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西部数据 NAND
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND eMMC UFS
西部数据公司（NASDAQ：WDC）今天推出96层3D NAND UFS2.1嵌入式闪存盘（EFD）-西部数据iNAND® MC EU321，旨在加速实现人工智能（AI）、增强现实（AR）、支持多个摄像头的高分辨率摄影、4K视频采集以及其他面向高端手机及计算设备的高要求应用。 <西部数据iNAND® MC EU321嵌入式闪存盘> 新款西部数据iNAND® MC EU321嵌入式闪存盘
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NAND 闪存盘
根据《韩联社》报导，这所新的M15新产线位于清州，SK海力士从2016年12月宣布兴建，并且于2017年4月动工，并已在今日完工启用，新厂将加强韩国存储器产业中的竞争力。SK计划持续扩大这条产线，不过详细内容将会视市场状况来决定。该厂将会在2019年第1季开始生产96层NANDFlash快闪存储器，将会有月产20万片的程度，类似于位于首尔以南80公里的利川M14生产线。 SK海力士会长崔泰源宣示，身为国家的关键企业，SK海力士将会持续维持在市场的竞争力。韩国大统领文在寅也出席了启用仪式，并在致词表示
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SK NAND
随着NAND Flash工艺逐渐从2D向3D过渡，技术和产能齐升的态势下，长江存储以Xtacking技术切入3D NAND市场，为国产存储技术的发展点燃了希望。
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NAND Xtacking
对于一个多月前在美国圣克拉拉召开的全球闪存峰会上发布的突破性技术Xtacking，长江存储执行董事长高启全接受中国证券报记者专访表示，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。未来十年，长江存储将持续增加研发投入。 制程的两大难点 中国证券报：3D NAND制造工艺的难点在哪些地方? 高启全：3D NAND的困难点在于一层层叠上去的时候需要打洞把每一层连接起来，层数越多需要打的洞就越多，每一个单位都要打洞，数量可达几百万个。必须保证做到垂直地
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长江存储，NAND
全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)，将于9月19日在深圳举办的 “2018中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit)〞展示全系列最新主控芯片解决方案来满足全方位巿场需求，其包括专为数据中心、超高速Client SSD及适用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片为全方位存储市场带来最完整的解决方案，此外支持高速移动存储方案，慧荣将展示UFS 2.1主控
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慧荣科技 NAND
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND 闪存
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND UFS
近日国际半导体产业协会SEMI公布了最新的中国集成电路产业生态系统报告，报告显示，中国前端晶圆厂产能今年将增长至全球半导体晶圆厂产能的16%，到2020年，这一份额将增加到20%。受跨国公司和国内公司存储和代工项目的推动，中国将在2020年的晶圆厂投资将以超过200亿美元的支出，超越世界其他地区，占据首位。 2014年中国成立大基金以来，促进了中国集成电路供应链的迅速增长，目前已成为全球半导体进口最大的国家市场。SEMI指出，目前中国正在进行或计划开展25个新的晶圆厂建设项目，代工厂、DRAM和3D
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晶圆 DRAM 3D NAND
内存价格从2016年起一路上扬，但自2018下半年起，由于各厂商产能陆续开出，因此资策会MIC预测内存价格将于开始下滑。 资策会MIC资深产业顾问洪春晖表示，2018年的半导体市场概况是近5年来难得的乐观，尽管2018年内存价格成长空间有限，但NAND Flash需求仍然持续增加。 因此，预估2018年全球半导体市场规模将成长10.1%，其中最大的原因是各应用终端内存需求持续增加，以及车用电子等新兴应用带动。 洪春晖进一步指出，内存受惠于市场价格上扬，2018年全年台湾内存产业产值将成长25%，产
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内存 NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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