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64层堆栈是3D NAND的「甜蜜点」?

  •   64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎,预计将在未来18个月内成为市场主流...   Western Digital(WD)内存技术执行副总裁Siva Sivaram日前指出,64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎。   在最近接受《EE Times》的访问中,Siva Sivaram将64层3D NAND定义为一种「开创性技术」(seminal technology),可望应用于WD逾50种产品线。 他预计今年WD约有一半的产品线都将采用3D
  • 关键字: NAND  堆栈  

三星64层NAND闪存宣布量产

  •   三星电子 15 日宣布,最新 64 层 256GB V-NAND 闪存已进入量产,与此同时,三星还将扩展包含服务器、PC 与行动装置的储存解决方案。   64 层 V-NAND 闪存用称为第四代 V-NAND 芯片,南韩 ITtimes.com 报导指出,三星为稳固领先优势,打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。   其实,三星今年 1 月已先为某关键客户,打造第一颗内含 64 层 V-NAND 芯片的固态硬盘(SSD),自此之后,三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用,务求与 I
  • 关键字: 三星  NAND  

若拿下东芝 郭董:优先设厂美国

  •   鸿海董事长郭台铭昨(12)日证实,将筹组美、日、台梦幻团队,共同竞标东芝半导体。 对日本出现担心鸿海「中国因素」的评论,郭董炮火全开,左打美系私募基金,右批日本经济产业省高层,并强调,鸿海如果顺利得标,海外市场将优先考虑在美设内存芯片厂。   东芝半导体竞标案进入倒数计时,预计本周公布结果。 竞标者之一鸿海动作不断,郭台铭接连接受日经新闻、路透社专访。 郭董强调,如果鸿海顺利标下东芝半导体事业,希望未来能在海外建立内存工厂,地点将优先考虑美国。   郭台铭补充,因为美国国内市场需求在当地还没达到,
  • 关键字: 东芝  NAND   

NAND闪存的三种架构:MLC、SLC、MBC

  • NAND闪存的内部架构:NAND闪存可以分为三种不同架构,即:单层单元SLC 多层单元MLC多位单元MBC。其中,MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构,由英飞凌与Saifun合作开发,但该项架构技术并不成熟。采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息,以达到其稳定、读写速度快等特点,Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构,其也有很大的缺点,就是面积容量相对比较小,并且由于技术限制,基本上很难再向前发展了。
  • 关键字: MLC  闪存  NAND  英特尔  

每况愈下 东芝还能否从风暴中脱身?

  • 公司内部派系斗争问题,又因外部的2008年金融海啸与2011年福岛核灾影响日本经济及东芝业绩,造成派系斗争恶化,及为自保而伪造业绩歪风兴起,等到2015年事件爆发,发现该厂从2008会计年度(2008/4~2009/3)便有业绩灌水的问题,事件逐一发不可收拾。
  • 关键字: 东芝  NAND   

NAND Flash下季度或史上最缺货

  •   NAND Flash控制芯片与模块厂群联董事长潘健成日前估计,接下来将面临史上最缺货的第3季,而该公司也积极备战,近日捧着5000多万美元现金,大举吃下某大厂释出的货源,为下半年建立更多库存。   群联在去年初NAND Flash市况尚未大热时,建立的库存水位一度超过三亿美元,后来市场景气于去年第3季开始往上,价格走升,也让该公司因此大赚。   潘健成提到,今年大概只有5月有机会多收货,所以该公司在前两个礼拜以现金买了大约5000多万美元的额外货源,预计可供第3季使用。   群联在今年4月时,手
  • 关键字: NAND  

2017第一季度NAND Flash品牌厂商营收排名

  •   集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,第一季整体NAND Flash市况延续第四季持续受到缺货影响,即使第一季度为传统NAND Flash淡季,渠道颗粒合约价却仍上扬约20-25%。在智能终端设备如智能手机与平板电脑内的行动式存储价格也呈现双涨的状况下,2017年将是NAND Flash成果丰硕的一年。   DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮表示,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制,进而转进垂直堆栈制程(3D/Vertical-NAND)
  • 关键字: NAND  SK海力士  

Gartner:2016年全球半导体收入增长2.6%

  •   全球领先的信息技术研究和顾问公司Gartner的研究显示,2016年全球半导体收入总计3,435亿美元,较2015年的3,349亿美元提升2.6%。在企业并购潮的影响下,前二十五大半导体厂商总收入增加10.5%,表现远优于整体产业增长率。  Gartner研究总监James Hines表示:“2016年半导体产业出现回弹。虽然其年初因受到库存调整的影响而表现疲软,但下半年需求增强,定价环境得到改善。助力全球半导体收入增长的因素包括多项电子设备部门产量的增加、NAND闪存售价的上扬及相对温和的
  • 关键字: 半导体  NAND  

物联网风起 我国亟需建设自主存储

  •   “物联网”是指连接到互联网的传感器,通过开放的专用连接、自由共享数据和允许非预期应用程序,以互联网的方式行事,因此电脑可以了解周围的世界,成为类似人类的神经系统 ”凯文·阿什顿说(这个术语的发明者)。   在我们的上一篇文章中,我们考虑了IoT的潜力——也被称为“一切互联网” ——在接下来的十年中,将推动NAND销售,从而使Micron的利润得以增加。 本文将对体系架构及其与内存
  • 关键字: 物联网  NAND  

东芝出售半导体导致NAND短缺恶化?韩媒:三星最受惠

  •   东芝(Toshiba Corp.)决定出售半导体事业,但竞标者众、过程冗长,如此一来,韩国厂商反倒会成为最大受惠者?   韩联社 24 日报导,Shinhan Investment 研究员 Choi Do-yeon 发表研究报告指出,东芝的 3D NAND 快闪存储器投资计划势必将因此延后,这会让供给短缺更形恶化,也为三星电子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多扩产良机。   美国硬盘机制造巨擘 Western Digital(WD
  • 关键字: 东芝  NAND   

中国必须建设自主存储,为什么?

  • 在即将到来的物联网的世界里,NAND的应用会非常广泛,作用也会愈发重要,出现的各种装置和新兴应用都会用到NAND。
  • 关键字: NAND  长江存储  

东芝是大股东的群联董事长:东芝芯片会卖给日资

  •   东芝半导体事业各路人马抢亲,包括鸿海集团等展现高度意愿,东芝是群联大股东,对于东芝内存出售案,但长期和东芝半导体合作的群联董事长潘健成分析,东芝不可能被单一企业或公司买下。 他推断最后结果,将会由日本境内私募基金或现有股东拿下,仍会维持原有东芝控制权,再让部分策略合作伙伴持有少数股权入股。   潘健成强调,东芝半导体和早期的尔必达破产不一样,东芝半导体是东芝最赚钱的事业体,而且东芝的储存型闪存(NAND Flash)也是日本最引以为傲的技术,引发东芝财务危机的是核电事业,因此切割半导体事业独立新公司
  • 关键字: 东芝  NAND   

传三星今年资本支出较去年增长85.6%达219.5亿美元

  •   三星登上全球半导体龙头,不惜砸重金投入研发,传今年资本支出将大幅增加逾 10 兆韩圜。   新韩投资(Shinhan Investment Corp)日前发布报告预测,三星今年半导体资本支出将扩增至 24.5 兆韩圜(约 219.5 亿美元),较 2016 年成长 85.6%,且将超越 2015 年的 14.7 兆韩圜成为三星史上新高。   存储器目前供不应求,也是三星今年布局的重点,预料将占据资本支出的一半左右。据新韩分析师预测,光是 NAND 快闪存储器,三星就将砸下 12.05 兆韩圜(约
  • 关键字: 三星  NAND   

钱都被海外品牌挣走了!中国亟需自主高端芯片

  • 过去十年,中国进口芯片累计耗资高达10万亿元人民币,钱都被海外知名品牌挣走了。
  • 关键字: 芯片  NAND  

3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术关键

  •   DIGITIMES Research观察,2D NANDFlash制程在物理限制下难度加剧,透过3DNAND Flash制程,无论是效能及储存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可谓为摩尔定律在半导体内存领域延伸的一项重要技术。   3D NAND Flash依存储元件储存机制可分浮动闸极(Floating Gate;FG)及电荷缺陷储存(Charge Trap;CT);依不同堆栈结构技术又可分为BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
  • 关键字: 摩尔定律  3D NAND  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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