- 核心要点2025 年全球半导体行业资本支出1660 亿美元，同比增长 7%。预计 2026 年将达到2000 亿美元，同比大增 20%。台积电、三星、美光、SK 海力士领衔扩产，AI 与高性能计算是主要驱动力。马斯克宣布自建Terafab 晶圆厂，投资 200–250 亿美元，瞄准 2nm 工艺。存储厂商成为 2026 年资本支出最大板块，占比45%。IDM（整合元件厂）资本支出持续下滑，英特尔被美光、SK 海力士超越。半导体行业咨询机构 Semiconductor Intelligence 预测：202
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晶圆代工 存储芯片 资本支出 CapEx
- 近日，据IC Insights的数据预测，2018年NAND Flash行业的资本支出(CAPEX)将比预期产量增加40%以上，从2017年的220亿美元增至2018年的310亿美元，属于近8年来的最大增幅。
其中，3D NAND的市场需求，成为驱动NAND闪存资本支出激增的主要因素之一。3D NAND闪存技术采用堆叠的方式处理设备层关系，可以使得每颗芯片的储存容量增加，从而实现更大的结构和单元间隔，利于增加产品的耐用性、降低生产成本。因此深受NAND闪存厂商的追捧，目前已成为NAND闪存厂商的
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NAND CAPEX
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