- 当前，不论DRAM还是NAND Flash等存储器，中国市场基本上100%依赖进口，这使得产业发展需求也最为迫切。因此，现阶段在政府的支持下，除了紫光集团旗下的长江存储已经在武汉建设NAND Flash工厂，预计2018年下半年量产之外，其他包括安徽合肥、福建晋江也有团队在进行DRAM研发，这使得未来几年，中国生产存储就会逐渐进入市场。
对此，韩国企业也开始关注中国竞争对手的加入。韩国预测，在2022年时会因为中国竞争的影响，韩国企业将减少78亿美元的存储器的销售金额。
根据韩国媒体《et
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存储器 NAND
- 根据Gartner的报告显示，在过去的2017年中，三星已经成功取代英特尔，抢下了全球最大芯片制造商的宝座。要知道，英特尔从1992年就一直占据着这一宝座，如今被三星超越实在是无奈，因为没有人能预料到这两年内存市场会如此强劲。
也许大家都快忘记了，两年前8GB的内存条价格还不到200元，然后8GB内存条的价格一路上涨到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大关，用了几年的二手内存条都还能大赚一笔。内存价格的飙升也带动了整个半导体产业的增长，其中三星获益匪浅，
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NAND DRAM
- IHS Markit研究指出，2017年全球半导体市场营收达到4291亿美元，与2016年相较成长了21.7%，年成长率创下近14年新高。 而三星也借着53.6%的年成长率，取代蝉连25年的英特尔成为2017年全球最大半导体厂商。
在前20大半导体厂商中，SK海力士(SK Hynix)的营收成长幅度最大，较2016年成长81.2%;美光科技(Micron)居次，营收较2016年成长了79.7%。 对此，IHS Markit半导体供应链分析师Teevens表示，强劲的需求以及价格上涨，是企业营收大
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三星 NAND
- 位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。
目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于2017年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯片。这颗耗资10亿美元、由1000人的团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入全球存储芯片第
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NAND 存储器
- DRAM工艺尺寸的缩减正在面临基本的物理限制，目前还有没有明确的解决方案，由于印刷需求的推动，DRAM的清洗复杂度也在增加。
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DRAM NAND
- 近年来，全球信息技术创新进入密集发生期，呈现多方向、宽前沿、集群式等特征，有望引发产业格局重大调整。这有助于我国电子信息产业打破因核心关键技术缺失带来的低端锁定，加快迈向全球价值链中高端，迎来从跟跑到并跑乃至领跑的历史契机。
工业和信息化部副部长罗文8日在深圳举行的全国电子信息行业工作座谈会上透露，2017年我国规模以上电子信息产业整体规模达18.5万亿元，手机、计算机和彩电产量稳居全球第一，在通信设备、互联网等领域涌现了一批具有全球竞争力的龙头企业。
据前瞻产业研究院《电子信息制造业发展
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AMOLED NAND
- 全球半导体行业在2017年创下了10年以来的最好成绩，年收入比2016年增长了22%，达到4291亿美元。
这是根据英国分析公司IHS Markit的新统计数据得出的，HIS认为市场对内存芯片处理能力需求的大幅增加归因于新兴应用如大数据、物联网和机器学习。
这一需求的增长使得三星电子作为全球领先芯片制造商占据第一位置，领先于竞争对手英特尔，而英特尔已经占据第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增长了54%。
IHS表示，动态随机存取存储器芯片的销售总额增长了77%，而闪存芯片
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内存 NAND
- 中国已经提出,提高从美国进口半导体芯片的比例,取代来自韩国和中国台湾的产品。
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DRAM NAND
- 在当前NandFlash存储器仍旧供不应求，市场价格依旧居高不下的情况下，日前全球NandFlash存储器龙头企业的韩国三星，日前宣布将在本月底正式动工的中国西安NandFlash存储器厂的扩建计划，28日正式动工，预计将在2019年完工启用。
据了解，该项总金额高达70亿美元，工程期间达到3年的扩厂计划，是三星在2017年的8月间所宣布。目前三星西安厂的第一期产线是在2014年所建置，月产能为12万片。如今，新的产线动工建置，未来完成之后将可再为三星增加每月20万片的产能。
只是，该新的
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三星 NAND
- 美光科技嵌入式产品事业部市场副总裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海电子展”期间，介绍了美光及多家行业分析师对存储器尤其是嵌入式存储器市场的预测，重点是DRAM和NAND在汽车和工业领域的趋势。
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存储器 DRAM NAND 汽车 摄像头 201804
- 美光科技有限公司今日宣布推出三种全新 64 层第二代 3D NAND 存储产品，这三种产品均支持高速通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准。全新美光移动 3D NAND 产品提供 256GB、128GB 和 64GB 三种容量选择。 该全新移动解决方案基于美光业界领先的三级单元 (TLC) 3D NAND 技术，
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美光 NAND
- 打造万亿级产业集群,推动武汉经济高质量发展。春节阖家团圆之时,仍有大量建设者、生产者坚守岗位,为城市发展贡献“加速度”。过年期间,分布在誉为“黄金大道”的8公里左岭大道上的多个重大产业项目上,有超过2000多人坚守岗位过大年,光谷“芯片—显示—智能终端”万亿级产业集群正在“加速度”中加快锻造。
在国家存储器基地,有600多人在建设工地上忙碌。据了解,目前,他们正在进行厂内洁净室
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存储器 NAND
- 全球领先的工业气体供应商——空气产品公司 (Air Products，纽约证券交易所代码：APD) 今天宣布将为三星电子位于西安市的第二座半导体工厂供应工业气体。 位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一，也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。 空气产品公司西安工厂自2014年起开始服务于这一项目，目前运作两座大型空气分离装置、一座氢气生产装
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三星 V-NAND
- 现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质，就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别，存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢? 我们总是在说手机内存，那到底是用什么介质存储的呢?99%是用NAND Flash和eMMC这两种的存储介质。eMMC是近几年智能手机兴起后，为满足不断增大的系统文件而诞生的，是NAND Flash的升级版,他的结构如下：
我们接触到的16G、32G等手机，为何实际
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eMMC NAND
- 旺宏昨日召开财报会表示，2017年在NOR型快闪存储器的市占率约30%，为全球霸主。另外，小于75纳米制程产品占2017年第四季NOR营收60%，旺宏并预计NOR型快闪存储器2018年成长动力将来自于数据中心、电信与车用产品等。NOR型快闪存储器占上季旺宏营收48%为最大产品线。
旺宏电子总经理卢志远表示，预期今年高品质的NOR型快闪存储器价格仍稳定微扬，旺宏不做低阶产品，也仍看好SLC NAND市况，因此对今年营运看法乐观。
就短期来看，卢志远表示，本季整体需求预估会比去年第四季缓和;虽
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NOR NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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