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nand 文章

DRAM与NAND差别这么大,存储之争都争啥?

  •   什么是DRAM?  DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)  工作原理  动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。    
  • 关键字: DRAM  NAND  

DRAM迈入3D时代!

  • 平面DRAM最重要也最艰难的挑战,是储存电容的高深宽比,为了要延长DRAM这种内存的寿命,在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。
  • 关键字: DRAM  NAND  

打破市场垄断 国产32层堆栈3D闪存将于2019年量产

  •   NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断,中国公司在此领域毫无话语权,甚至连收购、合作外资公司都没可能,想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工,2019年全速量产,预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。   长江存储科技前身是武汉新芯公司,该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,
  • 关键字: NAND  东芝  

三星稳居全球NAND Flash龙头地位 估供应吃紧整年

  •   市调机构集邦科技预期,今年储存型快闪存储器(NAND Flash)整年都将维持供应吃紧的情况,NAND Flash厂商业绩可望逐季攀高。   集邦科技调查,随着NAND Flash缺货达到高峰,产品平均售价走扬,加上终端出货畅旺,去年第4季NANDFlash产值达120.45亿美元,季增达17.8%,各NANDFlash厂获利也攀上去年高峰。   集邦科技指出,三星去年第4季市占率37.1%,稳居全球NAND Flash龙头地位;东芝市占率18.3%,居第2大厂;西部数据市占率17.7%,居第3大
  • 关键字: 三星  NAND  

发展3D NAND闪存的意义

  • “首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会”于2017年1月14日在上海召开,长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法,及选择3D NAND闪存作为主打产品的战略思考。
  • 关键字: 存储器  3D NAND  DRAM  20170203  

各大厂抢进3D NAND致存储器价格大涨

  •   据海外媒体报道,去年下半年以来NANDFlash市场供不应求,主要关键在于上游原厂全力调拨2DNANDFlash产能转进3DNAND,但3DNAND生产良率不如预期,2DNAND供给量又因产能排挤缩小,NANDFlash市场出现货源不足问题,价格也因此明显上涨。   不过,随着3DNAND加速量产,下半年产能若顺利开出,将成为NANDFlash市场最大变数。   2DNANDFlash制程持续往1y/1z纳米进行微缩,如三星及SK海力士去年已转进14纳米,东芝及西部数据(WD)进入15纳米,美光导
  • 关键字: NAND  存储器  

比NAND闪存更快千倍 40nm ReRAM在中芯国际投产

  •   非挥发性电阻式内存(ReRAM)开发商CrossbarInc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料,并透过电场转换机制,开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件,同时就像先前在2016年所承诺地如期实现量产。   根据Crossbar策略营销与业务发展副总裁SylvainDubois表示,专为嵌入式非挥发性内存(eNVM)应用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能,密度比DRAM更高40倍,耐久度与写入速度更高1,000倍,单芯片尺寸约200mm2左右,即可实现高达
  • 关键字: NAND  ReRAM  

迎需求热潮!三星或追投西安3D NAND厂43亿美元

  •   据海外媒体报道,传三星电子于2017~2018年,将大举追加投资西安3D NAND Flash厂,业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元),以迎接存储器市场史上最大需求热潮。   Chosun Biz日前引述业界消息指出,三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议,2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资,皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。   三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的2
  • 关键字: 三星  3D NAND  

东芝分拆半导体业务 提升东芝/西数阵营的NAND Flash竞争力

  •   集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查显示,东芝公司为提升半导体业务竞争力,已正式宣布将在今年三月三十一日前将完成分拆内存业务。预期分拆出来的新公司将有更多经营弹性及更佳的筹资能力,长期而言对东芝/西数(Western Digital)电子阵营在NAND Flash产能提升、产品开发均有所帮助。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,东芝公司这一做法,一方面为的是应付日渐沉重的产业竞争环境,另一方面是为缓解经营压力,并满足筹措营运资金的需求。从产业结构来看,DRAMeX
  • 关键字: 东芝  NAND   

传SK海力士有意投资东芝新存储器公司

  •   据报道,东芝(Toshiba)惨亏,将分拆旗下赚钱的半导体部门,成立新公司,卖股筹钱。由于东芝是全球NAND Flash二哥,各方都兴趣浓厚。据传韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)有意投资,借此强化NAND Flash布局。   韩媒BusinessKorea 24日报导,业界专家表示,SK海力士可能会投资东芝独立出来的存储器公司,取得决定NAND Flash表现的控制器技术。东芝在NAND市场表现出色,去年第三季市占率为19.8%,仅次于龙头三星电子(36.6%)。SK海力士落后,市占排
  • 关键字: SK海力士  NAND  

NOR Flash也要涨价 元器件供应链为何进入缺货周期?

  • 从2016年下半年开始,包括CPU、内存、屏幕、CMOS Sensor在内的众多电子元器件都进入了缺货周期,这样就给终端制造商带来了成本压力,最终这个压力就转移到了消费者身上,引起蝴蝶效应。
  • 关键字: DRAM  NAND   

新兴市场智能手机需求增 2017年NAND供货仍吃紧

  •   随着全球对于手机、电脑、汽车等消费性产品需求持续增强,NAND FLASH始终处于供不应求的情况,特别是印度、印尼及越南等新兴智慧手机市场,当地消费者智慧手机持有率大增,进而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此,预计2017年NAND FLASH全年供货仍将持续吃紧,特别是在第2、3季最为严重。   群联董事长潘建成表示,预计NAND FLASH今年将持续缺货,特别是在第2、第3季最为明显,原因在于手机、电脑、汽车等终端消费性产品需求仍旧强劲。因应此一情况,有些记忆体业者将部分产能转去做3D
  • 关键字: SSD  NAND   

2017年中国兴建晶圆厂支出金额将超40亿美元

  •   根据 SEMI (国际半导体产业协会) 的最新研究数据表示,当前中国正掀起兴建晶圆厂的热潮,预估 2017 年时,中国兴建晶圆厂的支出金额将超过 40 亿美元,占全球晶圆厂支出总金额的 70%。而来到2018年,中国建造晶圆厂相关支出更将成长至 100 亿美元,而其中又将以晶圆代工占其总支出的一半以上。   SEMI 中国台湾地区产业研究资深经理曾瑞榆指出,2017 年全球半导体产产值可望达到 7.2% 的年成长率。其中,存储为其中成长的关键。而未来 5 年之内,全球半导体产业仍将持续成长,到了 2
  • 关键字: 晶圆  NAND   

赛普拉斯子公司AgigA Tech宣布推出符合JEDEC标准的DDR4 NVDIMM-N解决方案

  •   赛普拉斯半导体公司旗下子公司,高速、高容量和免电池非易失性存储器解决方案领先提供商AgigA Tech公司今日宣布,正式发布其符合JEDEC标准的AGIGARAM® DDR4 NVDIMM-N系列解决方案。该解决方案与AgigA业界领先的在JEDEC 标准发布之前就已量产的传统DDR4 NVDIMM产品一起,为最新公布的NVDIMM-N解决方案JEDEC标准(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交钥匙式模块产品和控制器解决方案。  Ag
  • 关键字: 赛普拉斯  NAND  

存储器国产化为何选3D NAND作为突破口?

  •   在上海一场以“匠心独运,卓越创芯”为主题的IC技术峰会上,长江存储CEO杨士宁先生参会并发表了题为《发展存储产业的战略思考》的演讲。在演讲中,他对为什么选择发展存储、为什么选择3D NAND Flash作为突破口、还有3D NAND Flash将面临什么样的挑战等问题,作了深刻的分析。     为什么中国要发展存储产业   在详细介绍为什么中国要发展存储产业之前,杨士宁首先对存储产业的整体状况作了一个分析。根据他的说法,在全球的半导体存储产品中,NAND 和
  • 关键字: 存储器  NAND  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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