首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> nand

日韩贸易战与东芝跳电影响DRAM/NAND短期价格走势,长期须关注原厂库存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,继6月中旬东芝断电事件后,日本政府近日宣布从7月4日起,开始管控向南韩出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料,造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况,然而,由于目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出货,仅是申请流程延长,短期结构性供需反转的可能性低。日韩贸易战的爆发使得业界盛传存储器价格将反转,集邦咨询分析指出,因DRAM价格已历经连续三个季度快速下滑,下游
  • 关键字: 日韩贸易战  东芝  DRAM/NAND  

SK海力士宣布:全球首款128层4D NAND下半年开卖

  • SK海力士于26日宣布,将量产全球首款128层的1Tb(Terabit) TLC 4D NAND闪存,并计划下半年开始销售。
  • 关键字: SK海力士  4D NAND  128层  

停电余威冲击NAND Flash出货 价格维持小跌

  • 日本三重县四日市日前发生停电意外,市场传出存储器大厂东芝存储器(TMC)当地营运的5座 NAND Flash工厂的营运中断,尽管东芝存储器尚未对外说明影响,但据传出,合作投资的威腾(WD)已通知客户可能无法按照原定时程出货。
  • 关键字:  威腾  东芝存储器  NAND Flash  

NAND闪存连跌一年半 减产也阻止不了跌价

  • NAND闪存价格已经连跌了6个季度,这让上游NAND厂商三星、东芝、美光等损失惨重,纷纷削减NAND产能。在群联台北电脑展上,群联公司董事长潘建成也预测NAND闪存价格已经跌破了成本,未来跌幅会收窄,需求则会升温。
  • 关键字: NAND  减产  

长江存储64层NAND量产在即 与紫光集团角力战渐起

  • 市场传出,长江存储有意改变策略,越过大股东紫光集团的销售管道,采取自产自销3D NAND芯片的模式,也让双方暗自较劲的角力战俨然成形。
  • 关键字: 紫光集团  长江存储  3D NAND  

为物联网行业发展做出突出贡献,Entegris用了哪些方法?

  • 当前,我们正在经历第四次工业革命的历史进程,在这里催生了很多新技术和新市场,比如物联网、人工智能、新能源、3D打印、纳米技术等等。这么多新的技术和产品相互激励、互相融合,共同推动半导体行业不断发展,从而改变人类的生活方式。
  • 关键字: 物联网  Entegris  3D NAND  

NAND价格走跌,2019年PCIe SSD市场发展潜力巨大

  •   Admin 固态硬盘 今天由于NVMe的价格溢价下降,预计今年PCIe连接驱动器的销售量将与SATA固态硬盘达到同等水平。  据报道,固态硬盘(SSD)和闪存卡中使用的NAND闪存大幅降价正在推动市场两端的销售。制造商正在为相对有利可图的企业和数据中心用例定制新的解决方案,而客户端SSD的低成本正在推动OEM厂商的采用率,以包含在PC中。  根据该报告,最引人注目的是,512 GB固态硬盘的单价与2018年同期的256 GB固态硬盘相匹配,预计到2019年剩余时间内固态硬盘的价格将从512 GB降
  • 关键字: NAND  SSD  

集邦咨询:受惠需求回温及产能调节,第二季NAND Flash合约价跌幅略有收敛

  •   Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出,受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击,2019年第一季各类NAND Flash产品合约价综合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。  展望第二季,DRAMeXchange分析师叶茂盛表示,历经第一季的需求低谷之后,智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面,NAND Flash供应商
  • 关键字: NAND  UFS  SSD  

东芝和西数正研发128层3D NAND闪存:最早2020年上市

  •   根据外媒的报道,东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存。在东芝的命名法中,该芯片将命名为BiCS-5。    据介绍,芯片将实现TLC,而不是更新的QLC。这可能是因为NAND闪存制造商仍然对QLC芯片的低产量有担心。该芯片的数据密度为512 Gb,新的128层芯片的容量比96层芯片多33%,可以在2020到2021年实现商业化生产。  据报道,新芯片每单位信道的写入性能从66 MB / s增加到132 MB / s。据报道,该芯片还采用了CuA(阵列电路),这是一
  • 关键字: 东芝  西数  NAND  

存储市场寡头竞争,中国能否突出重围

  • 事实上中国巨额的投入也间接促进了韩、美两国大厂资本开支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的资本开支就达到200亿美金,因此,我国厂商的数字分摊到每年,还难以和龙头厂商相比。虽然在量产初期,如此巨大的资本开支也会给中国企业带来不小的折旧压力,下行周期中技术、管理略逊的中国企业可能必须经历几年内亏损,但若想实现存储器的国产替代,这种投入十分必要。
  • 关键字: NAND  存储器  

中国将增加在美半导体采购量?韩媒:不太容易

  •   据businesskorea报道,中国计划在未来六年内将在美国的半导体采购增加到2000亿美元(约合225.9万亿韩元),大约是目前水平的五倍。  然而,许多专家表示,美国急于遏制中国的半导体野心,不太可能接受中国的提议,因为它将增加对中国的半导体依赖。  韩国企业对该计划持谨慎态度,主要有两个原因。  首先,中国没有提及将购买哪一种半导体。一家韩国半导体公司的高级官员表示:“中国没有说明将进口何种半导体芯片,无论是内存、中央处理器(CPU)还是系统半导体芯片。在这种情况下,很难预测对韩国企业的影响。
  • 关键字: NAND  DRAM  

IC Insights:大陆半导体制造困难大,五年后自制率不过半

  • ICInsights最新报告显示,大陆的集成电路生产仍远低于政府的目标。报告指出,2018年大陆半导体市场为......
  • 关键字: 半导体  晶圆  NAND  

韩媒:存储器产业陷入低迷,中国企业或放缓前进步伐

  • 根据韩国媒体Business Korea报道,由于存储器产业从2018年年底迎来低迷,存储器产品价格下跌,各大存储器厂商先后宣布降低产量以来,虽然三星仍然稳坐半导体产业头把交椅,但是其盈利能力已经受到质疑。  无独有偶,SK海力士等厂商的日子也不好过。头部厂商的日子尚且如此,那还在奋斗中的中国存储器厂商又将面对怎样的未来呢? 
  • 关键字: 存储器,NAND  

集邦咨询:供需失衡态势难止,NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%

  •   根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市场经历全年供过于求,且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色,预计产能过剩难解。在此情况下,供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程,避免位元成长过多导致过剩状况加剧。  DRAMeXchange调查指出,2018年因供过于求难以遏制,韩系供应商带头降低资本支出。NAND Flash总体资本支出下调近10%,但供需失衡的情形仍无法逆转。2019年美系厂商减少资本支出,使得NAND
  • 关键字: NAND  东芝  

存储器行业的2018:冰与火之歌|盘点2018

  • 存储器一直被看成是半导体行业的晴雨表,它的表现也影响着整个市场的枯荣变换。2018年的存储器行业在兴奋和失望迷茫的情绪交替中前行,伴随着技术上的几许亮色,迈向了2019年。从热火朝天到凛冬将至  2017年的存储器市场可以用火热来形容,三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人。
  • 关键字: 存储器  NAND  
共1079条 9/72 |‹ « 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 » ›|

nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

相关主题

热门主题

Nand/Nor    Nand-Flash    V-NAND    NANDFlash    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473