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NAND闪存主控芯片供应商2023年第1季财报出炉

  • 据中国台湾《经济日报》报道,全球NAND闪存主控芯片供应商慧荣科技(SIMO)公布2023年第1季财报,营收1亿2407万美元,季减38%,年减49%,第1季毛利率42.3%,税后净利1116万美元。报道引述慧荣科技总经理苟嘉章表示,包括NAND大厂在内的主要客户,目前一致认为市况仍极具挑战。PC和智能手机终端市场持续呈现疲弱,上下游供应链皆将重心放在去化库存,包括消费级SSD和eMMC/UFS等嵌入式存储设备供应商,因此影响相关控制芯片的营收。苟嘉章认为,见到一些客户的下单模式从第2季开始有所改善,再加
  • 关键字: NAND  闪存  主控芯片  

3D NAND 堆叠可超 300 层,铠侠解读新技术

  • 5 月 5 日消息, 铠侠和西数展示最新的技术储备,双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文,铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,读取延迟缩小到 40 微秒。此外,铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件,这是一个具有实验性的 3D NAND IC,通过金属诱导侧向
  • 关键字: 3D NAND  

复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品

  • 4月27日,上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会,推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺,具备低功耗、
  • 关键字: 复旦微电  NAND Flash  EEPROM  存储器  

先进封装推动 NAND 和 DRAM 技术进步

  • 先进封装在内存业务中变得越来越重要。
  • 关键字: 封装  NAND  DRAM   

预估第二季NAND Flash均价续跌5~10%,能否止跌端看下半年需求

  • 即便原厂持续进行减产,然需求端如服务器、智能手机、笔电等需求仍未见起色,NAND Flash市场仍处在供给过剩状态,故TrendForce集邦咨询预估,第二季NAND Flash均价仍将持续下跌,环比下跌幅度收敛至5~10%。而后续恢复供需平衡的关键在于原厂是否有更大规模的减产,TrendForce集邦咨询认为若目前需求端未再持续下修,NAND Flash均价有机会在第四季止跌反弹,反之,若旺季需求端持续疲弱,均价反弹时间恐再延后。Client SSD方面,目前PC OEM零部件库存去化已见成
  • 关键字: 集邦  NAND Flash  

2023年内存芯片趋势

  • 2023 年,存储芯片的跌势仍在延续,何时止跌还是未知数。
  • 关键字: 存储芯片  DRAM  NAND  

NAND Flash 大降价,固态硬盘取代机械硬盘指日可待

  • 相信有很多小伙伴已经注意到了,目前市场上很多固态硬盘的价格相比去年又降低了不少。这是由于制造固态硬盘所需的 NAND 芯片降价导致的。根据集邦咨询的数据显示,NAND Flash 市场自 2022 年下半年以来面临需求逆风,供应链积极去化库存加以应对,此情况导致第四季 NAND Flash 合约价格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企业级固态硬盘)是下跌最剧烈的产品,跌幅约 23-28%。这对于 NAND 芯片厂商来说并不是什么好消息,但对于普通消费者来说,我们确实能买到更便宜的固态
  • 关键字: NAND Flash  

内存双雄:市况否极泰来

  • 华邦消费性电子应用需求回温本季是谷底;南亚科上半年跌幅收敛。
  • 关键字: DRAM  NAND  

(2023.3.20)半导体周要闻-莫大康

  • 半导体周要闻2023.3.13-2023.3.171. 任正非:华为三年完成了13000型号器件的替代开发近日,华为公司在深圳坂田总部举办“难题揭榜”火花奖颁奖典礼,为在解题揭榜中做出突出贡献的获奖人员代表颁奖,华为总裁任正非发表了讲话,部分参与座谈的大学发布了座谈纪要。任正非表示,在美国制裁华为这三年期间,华为完成 13000 + 型号器件的替代开发、4000 + 电路板的反复换板开发等,直到现在电路板才稳定下来,因为有了国产的零部件供应。任正非表示,华为现在还属于困难时期,但在前进的道路上并没有停步。
  • 关键字: 莫大康  半导体  华为  光刻机  NAND  

存储器厂商Q1亏损恐难逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌,加上库存水位过高,终端消费支出持续放缓,据外电消息,韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出,南亚科(2408)及华邦电(2344)因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑,第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导,三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出,截至去年第四季,整体库存资产达到52.2兆韩元(约折合399亿美元),远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史新高。其中,占三星营收比重最高的半导
  • 关键字: 存储器  DRAM  NAND Flash  

存储大厂展示300层NAND Flash,预计最快2024年问世

  • 近日,在第70届IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市,有望打破纪录。外媒报导,SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发,提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s,较上一代238层堆叠和164MB/
  • 关键字: 300层  NAND Flash  SK海力士  

(2023.3.20)半导体周要闻-莫大康

  • 半导体一周要闻2023.3.13-2023.3.171. 任正非:华为三年完成了13000型号器件的替代开发近日,华为公司在深圳坂田总部举办“难题揭榜”火花奖颁奖典礼,为在解题揭榜中做出突出贡献的获奖人员代表颁奖,华为总裁任正非发表了讲话,部分参与座谈的大学发布了座谈纪要。任正非表示,在美国制裁华为这三年期间,华为完成 13000 + 型号器件的替代开发、4000 + 电路板的反复换板开发等,直到现在电路板才稳定下来,因为有了国产的零部件供应。任正非表示,华为现在还属于困难时期,但在前进的道路上并没有停步
  • 关键字: 半导体  莫大康  华为  NAND  光刻机  

均价跌幅扩大,2022年第四季NAND Flash总营收环比下跌25%

  • TrendForce集邦咨询最新调查显示,NAND Flash市场自2022年下半年以来面临需求逆风,供应链积极去化库存加以应对,此情况导致第四季NAND Flash合约价格下跌20~25%,其中Enterprise SSD是下跌最剧烈的产品,跌幅约23~28%。在原厂积极降价求量的同时,客户为避免零部件库存再攀高,备货态度消极,使得第四季NAND Flash位元出货量环比增长仅5.3%,平均销售单价环比减少22.8%,2022年第四季NAND Flash产业营收环比下跌25.0%,达
  • 关键字: 集邦  NAND Flash  

支持下一代 SoC 和存储器的工艺创新

  • 本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装(用于移动应用程序、数据中心和人工智能)的性能,就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料,包括更薄的势垒层和热预算更高的材料,以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台,包括一个或多
  • 关键字: 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  

西部数据宣布进一步削减生产和投资,NAND 晶圆产量将减少至 30%

  • IT之家 2 月 7 日消息,据韩媒 Business Korea 报道,在内存半导体行业持续低迷的情况下,全球 NAND 闪存市场第四大公司西部数据宣布将进一步缩减设备投资和生产。西部数据 1 月 31 日在 2022 年第四季度业绩电话会议上表示,2023 财年设备投资总额将达到 23 亿美元(当前约 156.17 亿元人民币)。据IT之家了解,这一数字比 2022 年 10 月披露的 27 亿美元(当前约 183.33 亿元人民币)下降了 14.8%,与 2022 年 8 月公布
  • 关键字: NAND  内存  西部数据  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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