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3D NAND 堆叠可超 300 层,铠侠解读新技术
- 5 月 5 日消息, 铠侠和西数展示最新的技术储备,双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文,铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,读取延迟缩小到 40 微秒。此外,铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件,这是一个具有实验性的 3D NAND IC,通过金属诱导侧向
- 关键字: 3D NAND
复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品
- 4月27日,上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会,推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺,具备低功耗、
- 关键字: 复旦微电 NAND Flash EEPROM 存储器
预估第二季NAND Flash均价续跌5~10%,能否止跌端看下半年需求
- 即便原厂持续进行减产,然需求端如服务器、智能手机、笔电等需求仍未见起色,NAND Flash市场仍处在供给过剩状态,故TrendForce集邦咨询预估,第二季NAND Flash均价仍将持续下跌,环比下跌幅度收敛至5~10%。而后续恢复供需平衡的关键在于原厂是否有更大规模的减产,TrendForce集邦咨询认为若目前需求端未再持续下修,NAND Flash均价有机会在第四季止跌反弹,反之,若旺季需求端持续疲弱,均价反弹时间恐再延后。Client SSD方面,目前PC OEM零部件库存去化已见成
- 关键字: 集邦 NAND Flash
NAND Flash 大降价,固态硬盘取代机械硬盘指日可待
- 相信有很多小伙伴已经注意到了,目前市场上很多固态硬盘的价格相比去年又降低了不少。这是由于制造固态硬盘所需的 NAND 芯片降价导致的。根据集邦咨询的数据显示,NAND Flash 市场自 2022 年下半年以来面临需求逆风,供应链积极去化库存加以应对,此情况导致第四季 NAND Flash 合约价格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企业级固态硬盘)是下跌最剧烈的产品,跌幅约 23-28%。这对于 NAND 芯片厂商来说并不是什么好消息,但对于普通消费者来说,我们确实能买到更便宜的固态
- 关键字: NAND Flash
存储器厂商Q1亏损恐难逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌,加上库存水位过高,终端消费支出持续放缓,据外电消息,韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出,南亚科(2408)及华邦电(2344)因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑,第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导,三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出,截至去年第四季,整体库存资产达到52.2兆韩元(约折合399亿美元),远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史新高。其中,占三星营收比重最高的半导
- 关键字: 存储器 DRAM NAND Flash
存储大厂展示300层NAND Flash,预计最快2024年问世
- 近日,在第70届IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市,有望打破纪录。外媒报导,SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发,提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s,较上一代238层堆叠和164MB/
- 关键字: 300层 NAND Flash SK海力士
均价跌幅扩大,2022年第四季NAND Flash总营收环比下跌25%
- TrendForce集邦咨询最新调查显示,NAND Flash市场自2022年下半年以来面临需求逆风,供应链积极去化库存加以应对,此情况导致第四季NAND Flash合约价格下跌20~25%,其中Enterprise SSD是下跌最剧烈的产品,跌幅约23~28%。在原厂积极降价求量的同时,客户为避免零部件库存再攀高,备货态度消极,使得第四季NAND Flash位元出货量环比增长仅5.3%,平均销售单价环比减少22.8%,2022年第四季NAND Flash产业营收环比下跌25.0%,达
- 关键字: 集邦 NAND Flash
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR.
简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]