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4亿美元太贵！台积电仍拒绝购买ASML的High-NA EUV设备

目前，生产尖端半导体必不可少的EUV（极紫外）光刻设备由荷兰ASML独家供应，而台积电2nm工艺就是利用现有的EUV设备实现晶圆的大规模量产，并保持较高的良率。但随着推进到更先进的次2nm节点 —— 即1.4nm与1nm...

台积电 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2纳米时代的唯一道路

半导体行业正在重新评估其制造最先进芯片的长期路线图。高数字光圈(High-NA)光刻技术,曾被视为2 nm以下节点小型化的明确路径,现在正在与其他选项进行权衡。尽...

High-NA 2纳米 2025-09-18

SK海力士引入全球首台High-NA EUV设备

据SK海力士官方消息，2025年9月3日，该公司在韩国利川M16工厂成功引进了业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），并举行了设备入厂庆祝仪式。此次引进的设备为荷兰ASML公司开发的TWINSCA...

SK海力士 High-NA 2025-09-03

半导体巨头对high-NA EUV态度分化

据外媒报道，近期，一位匿名英特尔高层提出一种颇具争议的观点：未来晶体管设计，例如GAAFET和CFET架构，可能会降低芯片制造对先进光刻设备的依赖，尤其是对EUV光刻机的需求。这一观点无疑对当前芯片制造技术的核心模式提出...

半导体 high-NA EUV 2025-07-01

ASML研发5纳米分辨率Hyper NA光刻机

据外媒报道，ASML正与蔡司（Carl Zeiss）合作，启动研发分辨率可达5纳米的Hyper NA光刻机设备。ASML技术执行副总裁Jos Benschop表示，这种新型光刻机将满足2035年及之后的芯片制造需求。目前...

ASML 5纳米 2025-06-30

台积电仍在评估ASML的“High-NA”，因为英特尔未来会使用

全球最大的合同芯片制造商台积电制造股份有限公司（2330.TW）仍在评估何时将 ASML 的尖端高数值孔径（NA）机器用于其未来的工艺节点，一位高管周二表示。芯片制造商正在权衡这些价值近 4 亿美元的机器的速度和...

台积电 ASML 2025-05-28

三星已组建专注于1nm芯片开发的团队量产目标定于2029年

2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才...

三星 1nm 2025-04-10

英特尔：ASML首批两台High-NA EUV设备已投产

据路透社报道，半导体大厂英特尔近日表示，半导体设备大厂阿斯麦（ASML）的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，且早期数据显示，这些设备的性能比之前的机型更可靠。报道称，英特尔资深首席工程...

英特尔 ASML 2025-02-26

英特尔两台High NA EUV光刻机已投产，单季完成3万片晶圆

据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约...

英特尔 High NA EUV 2025-02-26

英特尔：首批两台High-NA EUV 设备已投产

英特尔24日表示，ASML首批的两台先进曝光机已投产，早期数据显示比之前机型更可靠。英特尔资深首席工程师 Steve Carson 指出，英特尔用ASML 高数值孔径（High NA）曝光机一季内生产 3 万片晶圆，即生...

英特尔 High-NA 2025-02-25

移远通信高性能5G-A模组RG650V-NA通过北美两大重要运营商认证

近日，全球领先的物联网整体解决方案供应商移远通信宣布，其旗下符合3GPP R17标准的新一代5G-A模组RG650V-NA成功通过了北美两家重要运营商认证。凭借高速度、大容量、低延迟、高可靠等优势，该模组可满足CPE...

移远通信 5G-A模组 2024-11-21

imec采用High-NA EUV技术展示逻辑与DRAM架构

比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后...

imec High-NA 2024-08-13

价值3.83亿美元！Intel拿下全球第二台High NA EUV光刻机

8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8...

Intel High NA EUV 2024-08-07

ASML第二台High-NA设备，即将导入英特尔奥勒冈厂

英特尔正接收ASML第二台耗资3.5亿欧元（约3.83亿美元）的新High NA EUV设备。根据英特尔8/1财报电话会议纪录，CEO Pat Gelsinger表示，英特尔12月开始接收第一台大型设备，安装时间需要数月...

ASML High-NA 2024-08-06

ASML或将Hyper-NA EUV光刻机定价翻倍，让台积电、三星和英特尔犹豫不决

ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机，业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案，计划在203...

ASML Hyper-NA EUV 2024-07-03

台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？

5月26日，台积电举办“2024年技术论坛台北站”的活动，台积电CEO魏哲家罕见的没有出席，原因是其秘密前往荷兰访问位于埃因霍温的ASML总部，以及位于德国迪琴根的工业激光专业公司TRUMPF。ASML CEO Chri...

台积电 ASML 2024-05-30

High-NA EUV光刻机或将成为英特尔的转机

上个月英特尔晶圆代工宣布完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。随后开始在Fab D1X进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。...

High-NA EUV 2024-05-09

High-NA EUV光刻机入场，究竟有多强？

光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；...

High-NA EUV 2024-04-03

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术

3 月 27 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，运行效率得以提升。根据...

ASM NXE:3800E EUV 2024-03-27

英特尔是否正在垄断ASML HIGH NA光刻机？

HIGH NA 无疑是打赢下一场比赛的重要筹码。...

英特尔 ASML 2024-01-11

英特尔拿下首套High-NA EUV，台积电如何应对？

英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。相较之下，台积电则采...

英特尔 High-NA EUV 2024-01-08

ASML：数值孔径0.75超高NA EUV光刻设备2030年登场

据日本媒体报导，光刻机设备龙头阿斯麦（ASML）执行副总裁Christophe Fouquet近日在比利时imec年度盛会ITF World 2023表示，半导体产业需要2030年开发数值孔径0.75的超高NA EUV光...

ASML NA 2023-06-26

SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革

由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPD...

SK海力士 High-k 2022-11-08

可穿戴与IoT用DC/DC：如何实现纳安级消耗电流？　

可穿戴等市场发展快。DC/DC转换器成为影响这些产品电池寿命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超轻载消耗电流只有180 nA，通过电路、布局和工艺实现。...

可穿戴 DC/DC 2018-03-29

High-end A4监听音箱的制作

一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞，要求音箱做得尽可能小巧一些，摆放在室内不致引人注意。然而，音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系：no=knmiddot;f33middot;VB上式...

制作音箱 2012-10-27

High-end A4监听音箱的制作方法

制作方法音箱 2012-10-04

安森美ADS软件的 High-Q IPD工艺设计套件

电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园...

安森美 ADS 2012-06-25

电流-频率转换电路--1NA~100UA转0.1HZ~10KHZ

IIN/C1（V/S），1UA电流为10的负6次方/800*10的负12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的时间林约是9MS，频率为111HZ。实际上必须加上上升时间，所以振荡频率大约为100H...

100 0.1 2012-03-09

如何制作High-end A4监听音箱

一、设计及制作由于普通家庭室．内空间不够宽敞，要求音箱做得尽可能小巧一些，摆放在室内不致引人注意。然而，音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系：no＝knmiddot;f33middot;VB上式...

监听音箱 2011-12-24

Derive simple high-current source from lab sup

Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate con...

high-current Derive 2010-08-17

制作High-end A4监听音箱的方法

一、设计及制作由于普通家庭室．内空间不够宽敞，要求音箱做得尽可能小巧一些，摆放在室内不致引人注意。然而，音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系：no＝kn・f33・VB上式中，kn是箱体系数，...

音箱方法 2010-05-28

半导体设备业研发经费拮据　联盟关系将成救星

　　市场研究机构Gartner警告，半导体设备产业的研发预算恐怕在接下来的五年内大幅削减80亿美元，使该产业领域陷入危机。不过该机构资深分析师Dean Freeman也表示，研发联盟的兴起将成为救星。　　缺乏适当的投...

半导体设备通孔硅 2009-09-10

台湾晶圆厂选择 ASM 提供 High-k ALD工具

　　ASM International N.V. 宣布一家台湾晶圆厂为其28 纳米节点high-k 闸极介电层量产制程选择ASM的Pulsar原子层沉积技术(ALD)工具。　　除此之外，此家晶圆厂也将与ASM针对最新...

ASM high-k 2009-05-06

凌华推出High Speed Link延伸模块

　凌华科技推出High Speed Link系统延伸模块HSL-HUB3与HSL-Repeater。此产品可以为HSL用户提供最长可达2400公尺的长距离使用及多点连接(multi-drop)接线架构...

High Link 2006-09-05

瑞昱推出High Definition 音讯转换芯片

音讯内容保护 (Content Protection) 技术与透过传统电话的Skype应用功能加速音讯转换芯片在数字家庭的应用瑞昱半导体在美国旧金山的Intel春季科技论坛推出最新一代的高...

High Definition 2006-03-13

尼康NA超过1的液浸设备半导体商正式采用

　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半导体厂商供应用于55nm工艺（hp55）芯片制造、开口数（NA）为1.07的液浸ArF曝光设备“NSR-S609B”。这是全球首次供应NA超过1的液浸ArF曝光设备。 ...

NA 尼康 2006-02-21