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　　High-K究竟是什么神奇的技术？这要从处理器的制造原料说起。 　　由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理器厂商均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。 　　当英特尔导入65纳米制造工艺时，虽已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1。2纳米，相当于5层原子，但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时，耗电和散热亦会同时增加，产生电流浪费和不必要的热能，因此若继续采用目前材料，进一步减少厚度，闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升，令缩小晶体管技术遭遇极限。查看更多>>

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4亿美元太贵！台积电仍拒绝购买ASML的High-NA EUV设备

台积电 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2纳米时代的唯一道路

High-NA 2纳米 2025-09-18

SK海力士引入全球首台High-NA EUV设备

SK海力士 High-NA 2025-09-03

半导体巨头对high-NA EUV态度分化

半导体 high-NA EUV 2025-07-01

台积电仍在评估ASML的“High-NA”，因为英特尔未来会使用

台积电 ASML 2025-05-28

英特尔：ASML首批两台High-NA EUV设备已投产

英特尔 ASML 2025-02-26
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