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　　High-K究竟是什么神奇的技术？这要从处理器的制造原料说起。　　由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理器厂商均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。　　当英特尔导入65纳米制造工艺时，虽已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1。2纳米，相当于5层原子，但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时，耗电和散热亦会同时增加，产生电流浪费和不必要的热能，因此若继续采用目前材料，进一步减少厚度，闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升，令缩小晶体管技术遭遇极限。查看更多>>

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high-k资讯

英特尔陈立武：14A制程2029年量产，18A工艺良率回升

英特尔CEO陈立武在受访时透露14A节点计划于2028年启动风险试产，2029年实现规模化量产。据外媒报道，英特尔CEO陈立武在受访时，公布了14A工艺的最新路线图，并透露该节点计划于2028年启动风险试产，2029年实...

英特尔 High-NA EUV 2026-05-20

阿斯麦CEO：首批High-NA光刻机生产的芯片将在数月内面世

据路透社消息，全球顶尖芯片设备制造商阿斯麦（ASML）首席执行官克里斯托夫·富凯于当地时间周二在比利时微电子研究中心（imec）举办的行业会议上公开表示，公司预计未来数月内，将迎来首批采用新款高数值孔径（High-NA）...

ASML 阿斯麦 2026-05-20

台积电暂缓引入High-NA EUV，先进制程竞争不只是设备选择

台积电并没有急着把High-NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻技术放进2029年前的量产节点。作为对比，英特尔则更早导入High-NA设备。两家公司真正的差异，不只是设备选择，而是量产节奏、成本和良率风险的取舍。...

台积电英特尔 2026-04-28

4亿美元太贵！台积电仍拒绝购买ASML的High-NA EUV设备

目前，生产尖端半导体必不可少的EUV（极紫外）光刻设备由荷兰ASML独家供应，而台积电2nm工艺就是利用现有的EUV设备实现晶圆的大规模量产，并保持较高的良率。但随着推进到更先进的次2nm节点 —— 即1.4nm与1nm...

台积电 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2纳米时代的唯一道路

半导体行业正在重新评估其制造最先进芯片的长期路线图。高数字光圈(High-NA)光刻技术,曾被视为2 nm以下节点小型化的明确路径,现在正在与其他选项进行权衡。尽...

High-NA 2纳米 2025-09-18

SK海力士引入全球首台High-NA EUV设备

据SK海力士官方消息，2025年9月3日，该公司在韩国利川M16工厂成功引进了业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），并举行了设备入厂庆祝仪式。此次引进的设备为荷兰ASML公司开发的TWINSCA...

SK海力士 High-NA 2025-09-03

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