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High NA‑EUV 从实验走向量产

英特尔制造部门与阿斯麦（ASML）表示，高数值孔径极紫外光刻（High‑NA EUV）已经跨过一道重要分水岭：它不再只是研发工具，正式成为一项量产工艺技术。在 SPIE 光掩模技术与极紫外光刻大会上，两家企业披露，英特尔...

High NA‑EUV ASML 2026-09-09

英特尔与台积电在High-NA EUV 光刻上走出两条差异化路线

英特尔与台积电的终极目标一致：制造尺寸更小、速度更快、能效更高的半导体芯片，但二者在先进光刻技术上选择了截然不同的发展策略。英特尔早早布局研发高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV），台积电则持续迭代现有常规 EU...

英特尔台积电 2026-08-14

掩模成本经济格局决定高数值孔径极紫外光刻落地节奏

掩模成本上涨、High-NA 严苛指标、新材料难题倒逼芯片厂商权衡光刻方案：兼顾产能、设计策略与整体制程成本核心要点掩模成本并未阻挡先进制程微缩进程，但正持续影响芯片厂商的工艺节点选择、产品设计方案...

掩模成本高数值孔径极紫外光刻 2026-06-24

魏哲家亲自辟谣：台积电早已购入High-NA EUV光刻机

2026年6月4日，台积电在台北召开股东大会，董事长魏哲家宣布一季度合并营收达11341亿元新台币（约2439.45亿元人民币），净利润5724.8亿元新台币（约1231.4亿元人民币）。第二季度营收预计390亿至402...

台积电 High-NA 2026-06-04

imec 率先利用high-NA光刻技术制备出量子点量子比特

imec（比利时微电子研究中心）成为全球首家采用高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）工艺制造量子点量子比特的机构。一台具备实用价值的量子计算机，需要数百万个互联互通的量子比特，同时满足高可靠性与精准控制的要求...

imec 量子点 2026-05-26

英特尔陈立武：14A制程2029年量产，18A工艺良率回升

英特尔CEO陈立武在受访时透露14A节点计划于2028年启动风险试产，2029年实现规模化量产。据外媒报道，英特尔CEO陈立武在受访时，公布了14A工艺的最新路线图，并透露该节点计划于2028年启动风险试产，2029年实...

英特尔 High-NA EUV 2026-05-20

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05-13 High-Performance DDR2 SDRAM Interface in Virtex-5 Devices

Rancho|浏览：2549|回复：0| Rancho 2012-05-13 09:25:10

04-29 【应用手册】High-Definition Video Reference Design(UDX4)

bobgeng|浏览：2650|回复：0| bobgeng 2012-04-29 17:29:17

04-23 【应用手册】High-Speed Differential I/O Interfaces in Stratix Devices

bobgeng|浏览：3021|回复：0| bobgeng 2012-04-23 09:13:19

04-23 【应用手册】High-Speed Differential Signaling in Cyclone Devices

bobgeng|浏览：2757|回复：0| bobgeng 2012-04-23 08:55:04

04-22 High-Side Current Sensor Has Period Output

soothmusic|浏览：2432|回复：0| soothmusic 2012-04-22 15:11:51

04-22 High-Side Positive Current Sensor Monitors Negative Supply

soothmusic|浏览：2690|回复：0| soothmusic 2012-04-22 15:04:46

04-19 High-Efficiency Class D Audio Amplifiers Extend Battery Life in Portable Applica

soothmusic|浏览：2589|回复：0| soothmusic 2012-04-19 12:24:46

04-16 Dynamic Testing of High-Speed ADCs, Part 2

soothmusic|浏览：2555|回复：0| soothmusic 2012-04-16 21:38:02

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