美光科技美国工厂量产1α DRAM，DDR4供应量将增4倍

据Tom’s Hardware引述美光声明报道，美光科技位于美国弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂已完成扩建并正式量产1α DRAM。这一技术成为美国本土最先进的存储器制造工艺。扩建完成后，该厂DDR4晶圆的供应量将提升4倍，标志着美国正加速推进本土存储器供应链的重建，以应对人工智能（AI）浪潮下传统DRAM供应紧张的局面。

马纳萨斯厂主要生产DDR4与LPDDR4等长生命周期存储器，广泛应用于汽车、国防与航天、工业、网络通信及医疗设备等领域。随着全球三大DRAM厂商近年来将产能转向DDR5、LPDDR5X及高带宽存储器（HBM）等高端AI存储器，传统DDR4的供应显著减少，尤其对汽车与工业客户造成较大影响。

标普全球移动的研究数据显示，2026年汽车DRAM合约价格可能较2025年上涨70%~100%。与此同时，汽车与工业客户的DDR4库存缓冲期已从过去的31周缩短至6~8周。美光此次在美国保留1α DDR4产线，旨在缓解AI技术发展对传统存储器市场的冲击。

技术层面来看，1α节点是美光当前成熟DDR4产品中最先进的制程技术，最早于2020年底在中国台湾地区导入量产。相比前代1z制程，其位元密度提升了约40%，并采用深紫外光（DUV）微影技术，而非成本更高的极紫外光（EUV）设备。美光更新的1β与1γ节点则已转向DDR5与HBM等AI导向产品。

此次扩建与现代化改造投资超过20亿美元，并获得了美国《芯片与科学法案》约2.75亿美元的补助。美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra表示，这是公司2,000亿美元美国投资计划的重要一步，旨在提升美国本土存储器制造与研发能力，同时增强对美国客户及全球市场的供应韧性。

美国商务部长Howard Lutnick指出，美国重新在本土生产先进存储器半导体，将有助于工业、汽车、国防与航天等领域的存储器芯片产出提升4倍，并推动美国先进制造业的复兴。

除弗吉尼亚州外，美光还在推进爱达荷州与纽约州的大型存储器制造项目。其中，纽约州Clay新园区已于2026年初动工，爱达荷州新厂预计2027年中开始初步晶圆生产。美光预计，整体美国布局将创造约9万个直接与间接就业机会，而马纳萨斯厂本身则可支持超过3,100个相关工作岗位。