据外媒报道,三星正在扩大韩国和其他国家芯片封装工厂的产能,主要是苏州工厂和韩国忠清南道天安基地。由于人工智能领域激增的需求,下一代高带宽存储器封装(HBM)的重要性日益重要,三星希望通过提升封装能力,确保他们未来的技术竞争力,并缩小与SK海力士在这一领域的差距。· 苏州工厂是三星目前在韩国之外仅有的封装工厂,业内人士透露他们在三季度已同相关厂商签署了设备采购协议,合同接近200亿韩元,目的是扩大工厂的产能。· 另外,三星近期已同忠清南道和天安市签署了扩大芯片封装产能的投资协议,计划在韩国天安市新建一座专门
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三星 高带宽存储器 封装 HBM
11 月 6 日消息,天风证券分析师郭明錤昨日(11 月 5 日)在 Medium 上发布博文,深入分析了英特尔 Lunar Lake 失败的前因后果。IT之家此前报道,是英特尔近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后,将不再把 DRAM 整合进 CPU 封装。虽此事近来成为焦点,但业界早在至少半年前就知道,在英特尔的
roadmap 上,后续的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther
Lake 与 Wildcat La
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郭明錤 英特尔 Lunar Lake DRAM CPU 封装 AI PC LNL
台积电公开称,高雄晶圆厂兴建工程按照计划进行,并且进展良好,2nm将如期于2025年量产。此前有消息称,高雄厂第一座2纳米厂将于11月26日举行进机典礼,并自12月1日展开装机。ASML也已经向台积电交付了NAEUV光刻机,该光刻机是生产制造2nm及以下工艺芯片的最佳设备。台积电明年量产2nm芯片,还是在高雄工厂,这说明魏哲家说的没错,台积电根留台湾,最先进的技术,也留在了台湾省。芯片规则修改后,美明确想要台积电最先进的芯片技术,还要求更多芯片在本土制造。台积电就加速在美建厂,连续投资超650亿美元,建设
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台积电 2nm芯片 ASML NAEUV 光刻机 封装
由德州仪器开发的这些超小型电源模块比同类设备小23%,同时提高了功率密度和效率。当你认为低功率DC-DC模块的尺寸已经无法再缩小时,材料和设计方面的创新发展会挑战并推翻这个看似合理的假设。以德州仪器最新推出的一系列电源模块为例。这些模块基于一种新的磁性封装技术,在不影响性能的情况下显著减小了尺寸,满足了我们对DC-DC模块和本地化电源调节的无尽需求(图1)。德州仪器
图1:采用MagPack技术的新电源模块比上一代产品小50%,在保持出色的热性能的同时将功率密度提高了一倍。
采用MagPack技术的新
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封装,磁性封装
随着平面缩放优势的减弱,三维领域和新技术的代工竞争愈演愈烈。
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3D晶体管 封装
7月28日消息,SEMI日本办事处总裁Jim Hamajima近日呼吁业界尽早统一封测技术标准,尤其是先进封装领域。他认为,当前台积电、三星和Intel等芯片巨头各自为战,使用不同的封装标准,这不仅影响了生产效率,也可能对行业利润水平造成影响。目前仅台积电、三星和Intel三家公司在先进制程芯片制造领域竞争,同时随着芯片朝着高集成度、小特征尺寸和高I/O方向发展,对封装技术提出了更高的要求。目前,先进封装技术以倒装芯片(Flip-Chip)为主,3D堆叠和嵌入式基板封装(ED)的增长速度也非常快。HBM内
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SEMI 封装 台积电 三星 Intel
7月22日消息,据国内媒体报道称,中国半导体行业协会理事长陈南翔近日接受采访时表示,中国集成电路产业仍在路上,未来一定孕育巨大成功模式。“在40年前,我不曾想过中国半导体产业能有如今的发展规模,但是在过去的20年我们可以清楚的看到,未来中国一定会有今天这样的发展。”陈南翔称,不过,当下还不是中国半导体产业最好的发展状态,中国最好的状态正在路上。陈南翔指出,当前看到的三星正在做的三纳米和英特尔正在做的三纳米都是不一样的,有着各自的定义。“以前摩尔定律有效的时候,在每一个节点上,大家都知道三年后如何发展、六年
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封装 半导体
7 月 18 日消息,为减少对亚洲的依赖并在美洲封装美国芯片,美国政府启动了一项提升拉丁美洲芯片封装能力的计划。值得注意的是,英特尔已经在哥斯达黎加的圣何塞设有组装、测试和封装工厂。然而,目前尚不清楚这家蓝色巨头是否会从新计划中受益。该计划网站上的声明强调了加强半导体制造和确保供应链安全的重要性,目的是防止任何单一国家或地区垄断关键的芯片封装行业。美国政府的《芯片与科学法案》计划的一大特点是,尽管到本十年末美国将生产更多的半导体产品,但其中大多数需要在美国境外的亚洲地区进行封装,这使整个供应链变得更加复杂
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美国 芯片 封装 供应链
7 月 12 日消息,集邦咨询于 7 月 10 日发布博文,玻璃基板技术凭借着卓越的性能以及诸多优势,已经成为先进封装领域一颗冉冉升起的新星。玻璃基板技术芯片基板是用来固定晶圆切好的裸晶(Die),封装的最后一步的主角,基板上固定的裸晶越多,整个芯片的晶体管数量就越多。芯片基板材料主要经历了两次迭代,上世纪 70 年代开始使用引线框架,在 90 年代过渡到陶瓷基板,也是目前最常见的有机材料基板。在封装解决方案中,玻璃基板相比有机基板有更多优势,IT之家简要汇总如下:· 卓越的机械、物理和光学特性· 芯片上
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半导体 芯片 封装 玻璃基板
在摩尔定律的旅程中,先进封装技术正发挥着越来越重要的作用,通过堆叠技术的创新,可以在单个设备中集成更多的晶体管。目前的大多数芯片都采用了异构架构设计,先进封装技术也让设备中采用不同制程技术、来自不同厂商、执行不同功能的芯粒能够在一起妥善工作,从而提高性能并降低功耗。EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)是英特尔的一种2.5D先进封装技术,支持把不同的芯片放在同一块平面上相互连接。传统的2.5D封装是在芯片和基板间的硅中介层上进行布线,EMIB则是通过一个嵌入基板内部的单独芯片完成互连。作为一种高成本效益的方法,
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英特尔 代工 EMIB 封装
全球AI芯片封装市场由台积电、日月光独占,中国台湾这两大巨头连手扩大与韩厂差距,日月光是半导体封测领头羊,市占率达27.6%,而截至2023年,韩厂封装产业市占率仅6%。专家表示,韩国封装产业长期专注在内存芯片,在AI半导体领域相对落后,短时间内难以缩小与台厂差距。 朝鲜日报报导,业界人士指出,台积电正在中国台湾南部扩建先进封装(CoWos)产线,而日月光上月宣布将在美国加州兴建第二座测试厂,同时计划在墨西哥兴建封装与测试新厂。所谓CoWos是透过连接图形处理器(GPU)和高带宽内存(HBM),来提升效能
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7 月 4 日消息,根据经济日报报道,在 AMD 之后,苹果公司在 SoIC 封装方案上已经扩大和台积电的合作,预估在2025 年使用该技术。台积电正在积极提高 CoWoS 封装产能的同时,也在积极推动下一代 SoIC 封装方案落地投产。AMD 是台积电 SoIC 的首发客户,旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封装解决方案,可将不同尺寸、功能、节点的晶粒进行异质整合,目前在位于竹南的第五座封测厂 AP6 生产。台积电目前已经整合封装工艺构建 3D Fabric 系统,其中分为 3
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6月21日消息,据日媒报道,在CoWoS订单满载、积极扩产之际,台积电也准备要切入产出量比现有先进封装技术高数倍的面板级扇出型封装技术。而在此之前,英特尔、三星等都已经在积极的布局面板级封装技术以及玻璃基板技术。报道称,为应对未来AI需求趋势,台积电正与设备和原料供应商合作,准备研发新的先进封装技术,计划是利用类似矩形面板的基板进行封装,取代目前所采用的传统圆形晶圆,从而能以在单片基板上放置更多芯片组。资料显示,扇出面板级封装(FOPLP)是基于重新布线层(RDL)工艺,将芯片重新分布在大面板上进行互连的
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6月17日,据台媒《工商时报》报道,在产能供不应求的情况下,台积电将针对3nm/5nm先进制程和先进封装执行价格调涨。其中,3nm代工报价涨幅或在5%以上,而2025年度先进封装报价也将上涨10~20%。
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台积电 制程 封装 3nm 5nm 英伟达 CoWoS
AI大势之下,高性能AI芯片需求紧俏,与之相关的CoWoS先进封装产能告急,AI芯片大厂加速生产的同时,也在积极寻求其他先进封装技术,以缓解AI芯片供应不足的难题。英伟达GB200需求增长,CoWoS产能吃紧今年3月AI芯片大厂英伟达发布了平台Blackwell,包括B系列GPU及整合NVIDIA自家Grace Arm CPU的GB200等。与前一代GH200相比,GB200性能与功耗均大幅升级,因而备受关注,未来需求有望持续增长。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询今年4月调查显示,供应链对NV
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英伟达 封装
封装介绍
程序 封装 (encapsulation)
隐藏对象的属性和实现细节,仅对外公开接口,控制在程序中属性的读和修改的访问级别.
封装 (encapsulation)
封装就是将抽象得到的数据和行为(或功能)相结合,形成一个有机的整体,也就是将数据与操作数据的源代码进行有机的结合,形成“类”,其中数据和函数都是类的成员。
封装的目的是增强安全性和简化编程,使用者不必了解具体的 [
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