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封装 文章 进入封装技术社区

长电科技:2021圆满收官 看好2022业绩持续性增长

  • 2021 年业绩符合我们预期    公司公布2021 年业绩:收入305.0 亿元,同比增长15.3%,毛利率18.4%,同比提升2.9ppts;归母净利润29.6 亿元,同比增长126.8%,扣非后净利润24.9 亿元,同比增长161.2%,上述主要财务指标均创下历史新高。对应到4Q21 单季度来看,公司实现收入85.9 亿元,环比增长6.0%;毛利率19.8%,环比继续提升1.0ppts;归母净利润8.4 亿元,环比增长6.3%。整体业绩符合我们预期。 &nbs
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长电科技焊线封装技术

  • 焊线封装技术焊线形成芯片与基材、基材与基材、基材与封装之间的互连。焊线被普遍视为最经济高效和灵活的互连技术,目前用于组装绝大多数的半导体封装。长电技术优势长电科技可以使用金线、银线、铜线等多种金属进行焊线封装。作为金线的低成本替代品,铜线正在成为焊线封装中首选的互连材料。铜线具有与金线相近的电气特性和性能,而且电阻更低,在需要较低的焊线电阻以提高器件性能的情况下,这将是一大优势。长电科技可以提供各类焊线封装类型,并最大程度地节省物料成本,从而实现最具成本效益的铜焊线解决方案。解决方案LGABGA/FBGA
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长电科技MEMS与传感器封装技术

  •  MEMS与传感器随着消费者对能够实现传感、通信、控制应用的智能设备的需求日益增长,MEMS 和传感器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力,正在成为一种非常关键的封装方式。MEMS 和传感器可广泛应用于通信、消费、医疗、工业和汽车市场的众多系统中。长电技术优势凭借我们的技术组合和专业 MEMS 团队,长电科技能够提供全面的一站式解决方案,为您的量产提供支持,我们的服务包括封装协同设计、模拟、物料清单 (BOM) 验证、组装、质量保证和内部测试解决方案。长电科技能够为客户的终端产品提供更小外形
  • 关键字: 封装  测试  长电科技  MEMS  

长电科技倒装封装技术

  • 倒装封装技术在倒装芯片封装中,硅芯片使用焊接凸块而非焊线直接固定在基材上,提供密集的互连,具有很高的电气性能和热性能。倒装芯片互连实现了终极的微型化,减少了封装寄生效应,并且实现了其他传统封装方法无法实现的芯片功率分配和地线分配新模式。长电技术优势长电科技提供丰富的倒装芯片产品组合,从搭载无源元器件的大型单芯片封装,到模块和复杂的先进 3D 封装,包含多种不同的低成本创新选项。解决方案FCBGAfcCSPfcLGAfcPoPFCOL - Flip Chip on Leadframe
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长电科技系统级封装技术

  • 系统级封装(SiP)半导体公司不断面临复杂的集成挑战,因为消费者希望他们的电子产品体积更小、速度更快、性能更高,并将更多功能集成到单部设备中。半导体封装对于解决这些挑战具有重大影响。当前和未来对于提高系统性能、增加功能、降低功耗、缩小外形尺寸的要求,需要一种被称为系统集成的先进封装方法。系统集成可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化子系统中,以实现更高的性能、功能和处理速度,同时大幅降低电子器件内部的空间要求。长电技术优势长电科技在SiP封装的优势体现在3种先进技术:双面塑形技术、EM
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长电科技晶圆级封装技术

  • 晶圆级封装技术晶圆级封装(WLP)与扇出封装技术当今的消费者正在寻找性能强大的多功能电子设备,这些设备不仅要提供前所未有的性能和速度,还要具有小巧的体积和低廉的成本。这给半导体制造商带来了复杂的技术和制造挑战,他们试图寻找新的方法,在小体积、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。长电技术优势长电科技在提供全方位的晶圆级技术解决方案平台方面处于行业领先地位,提供的解决方案包括扇入型晶圆级封装 (FIWLP)、扇出型晶圆级封装 (FOWLP)、集成无源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封芯片封装 (EC
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苹果M1 Ultra封装是普通CPU的3倍

  • 据外媒videocardz报道,Mac Studio的全面拆解表明,苹果最新的M1 Ultra芯片到底有多大。此多芯片模块包含两个使用 UltraFusion 技术相互连接的 M1 max 芯片。需要注意的是,这款超大型封装还包含128GB内存。不幸的是,在拆卸过程中看不到硅芯片,因为整个封装被一个非常大的集成散热器覆盖。M1 Ultra具有两个10核CPU和32核GPU。整体有1140亿个晶体管。根据苹果的基准测试,该系统应该与采用RTX 3090显卡的高端台式机竞争。虽然该系统确实功能强大,并
  • 关键字: 苹果  M1 Ultra  封装  CPU  

三星电子调整组织架构 提升封装测试业务地位

  • 作为全球第二大的芯片代工厂,最近三星又在芯片领域做出重要一步。三星电子在其 DX 事业部的全球制造和基础设施部门内设立了测试和封装(TP,Test & Package)中心。
  • 关键字: 三星  封装  业务  

AMD 官宣 3D Chiplet 架构:可实现“3D 垂直缓存”

  • 6 月 1 日消息 在今日召开的 2021 台北国际电脑展(Computex 2021)上,AMD CEO 苏姿丰发布了 3D Chiplet 架构,这项技术首先将应用于实现“3D 垂直缓存”(3D Vertical Cache),将于今年年底前准备采用该技术生产一些高端产品。苏姿丰表示,3D Chiplet 是 AMD 与台积电合作的成果,该架构将 chiplet 封装技术与芯片堆叠技术相结合,设计出了锐龙 5000 系处理器原型。官方展示了该架构的原理,3D Chiplet 将一个 64MB 的 7n
  • 关键字: AMD  chiplet  封装  

英特尔对chiplet未来的一些看法

  • 在英特尔2020年架构日活动即将结束的时候,英特尔花了几分钟时间讨论它认为某些产品的未来。英特尔客户计算部门副总裁兼首席技术官Brijesh Tripathi提出了对2024年以上未来客户端产品前景的展望。他表示,他们将以英特尔的7+制造工艺为中心,目标是启用“Client 2.0”,这是一种通过更优化的芯片开发策略来交付和实现沉浸式体验的新方法。Chiplet(小芯片)并不是新事物,特别是随着英特尔竞争对手最近发布的芯片,并且随着我们进入更复杂的过程节点开发,小芯片时代可以使芯片上市时间更快,给定产品的
  • 关键字: 英特尔  chiplet  封装  

子单元长期存放对焊接质量的影响*

  • 长期进行IGBT器件焊接封装发现,IGBT器件封装所用关键部件子单元的存放时间长短对焊接空洞影响较大,本文分别对两批存放时间差别较大的子单元进行封装,通过实验对比两批产品的空洞率,结果表明存放时间较短的子单元焊接的IGBT器件空洞率明显偏小,从而提高了IGBT器件的可靠性。
  • 关键字: IGBT  焊接  封装  空洞率  子单元  202201  

三星图像传感器计划采用CSP封装技术 以降低成本

  • 据国外媒体报道,三星电子计划采用一种新的封装技术,以降低图像传感器的成本。从外媒的报道来看,三星图像传感器计划采用的是芯片级封装(Chip Scale Package,CSP)技术,从明年开始采用,不过只会用于低分辨率的图像传感器。COB封装技术据The Elec报道,目前三星电子的图像传感器采用板上芯片封装(Chips on Board,COB) —— COB是当前图像传感器最常用的封装方法,即将图像传感器放置在PCB上,并通过导线连接,再将镜头附着在上面。然而,该过程需要一个洁净室,因为在封
  • 关键字: 三星  图像传感器  CSP  封装  

长电科技上半年延续高增长 大力布局先进封装功不可没

  • 5G通信与新能源汽车引领的新一轮科技迭代浪潮,将全球半导体行业引入了新一轮景气周期。面对强劲市场需求,包括封测在内的行业相关企业普遍迎来业绩利好。日前,国内封测龙头长电科技(股票代码600584)发布了截至2021年6月30日的半年度财务报告。财报显示,长电科技上半年实现营收人民币138.2亿元,同比增长15.4%。净利润为人民币13.2亿元,同比增长261.0%,创历年上半年净利润新高。自2020年起,长电科技进入增长快车道,去年全年净利润达到13亿元。进入2021年,长电科技的业绩增速势头不减,上半年
  • 关键字: 封装  先进  

三星加快部署3D芯片封装技术 希望明年同台积电展开竞争

  • 据国外媒体报道,本月中旬,三星展示了他们的3D芯片封装技术,而外媒最新的报道显示,三星已加快了这一技术的部署。外媒是援引行业观察人士透露的消息,报道三星在加快3D芯片封装技术的部署的。加快部署,是因为三星寻求明年开始同台积电在先进芯片的封装方面展开竞争。从外媒的报道来看,三星的3D芯片封装技术名为“eXtended-Cube” ,简称“X-Cube”,是在本月中旬展示的,已经能用于7nm制程工艺。三星的3D芯片封装技术,是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案,允许多层超薄叠加,利用直通硅通孔技术来
  • 关键字: 三星  3D  芯片  封装  台积电  

Intel宣布全新混合结合封装:凸点密度猛增25倍

  • 在Intel的六大技术支柱中,封装技术和制程工艺并列,是基础中的基础,这两年Intel也不断展示自己的各种先进封装技术,包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。Intel又宣布了全新的“混合结合”(Hybrid Bonding),可取代当今大多数封装技术中使用的“热压结合”(thermocompression bonding)。据介绍,混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch),提供更高的互连密度、更小更简单的电路、更大的带宽、更低的电容、更低的功耗(每比特不到0.0
  • 关键字: Intel  封装  凸点密度  
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封装介绍

程序  封装 (encapsulation)   隐藏对象的属性和实现细节,仅对外公开接口,控制在程序中属性的读和修改的访问级别.   封装 (encapsulation)   封装就是将抽象得到的数据和行为(或功能)相结合,形成一个有机的整体,也就是将数据与操作数据的源代码进行有机的结合,形成“类”,其中数据和函数都是类的成员。   封装的目的是增强安全性和简化编程,使用者不必了解具体的 [ 查看详细 ]

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