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ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更...

ROHM SiC塑封型模块 2026-02-26

化合物半导体衬底市场年复合增长率达 14%

2031 年，化合物半导体衬底与开放式外延片市场规模合计预计将接近 52 亿美元，年复合增长率约为 14%。汽车电动化推动碳化硅（SiC）衬底市场发展，射频领域仍由砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）主导，磷化铟（InP...

化合物半导体衬底 2026-02-25

英飞凌推出带光耦仿真输入的隔离式栅极驱动IC，加速SiC方案设计

英飞凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在简化从传统基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率级的迁移。据官方新闻稿介绍，新型 EiceDRIVER™ 1ED...

英飞凌 IC 2026-02-10

SiC为电动汽车的高压逆变器功率模块

汽车零部件供应商舍弗勒已启动新款高压逆变器功率模块的量产工作。该模块采用罗姆的碳化硅功率场效应晶体管裸片，是双方战略合作的重要成果。这款逆变器组件也被称为功率模块（brick），是电动汽车牵引逆变器的核心功率单元，其功能...

SiC 电动汽车 2026-01-27

功率电路进阶教程：SiC JFET 如何实现热插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过...

安森美功率电路 2026-01-19

功率电路进阶教程：固态断路器采用SiC JFET的四个理由

本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过浪涌电...

安森美功率电路 2026-01-19

聚焦固态断路器核心：安森美SiC JFET特性深度解读

输配电系统与各类灵敏用电设备的安全运行，离不开对长时间过载与瞬态短路故障的妥善防护。这些风险若未及时管控，轻则导致设备损坏，重则引发系统瘫痪。随着电力系统电压等级持续提升、电动汽车高压化趋势加剧，电路中可能出现的最大故障...

安森美固态断路器 2026-01-19

Melexis硅基RC缓冲器获利普思选用，携手开启汽车与工业能源管理技术新征程

全球微电子工程公司Melexis近日宣布，其创新的MLX91299硅基RC缓冲器已被全球先进的功率半导体模块制造商利普思（Leapers）选用，将其集成于新一代功率模块中。此次合作标志着双方在技术创新与系统优化上的深度融...

Melexis 迈来芯 2026-01-13

SiC市场发展周期修正

Power SiC市场持续转型。继2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，Yole Group表示，行业现正进入调整周期。汽车市场放缓导致硅碳需求下降，硅碳供应链发生了转变。利用率下降、产能过剩和投资减...

SiC yole 2025-12-23

硅质原材料价格上涨，而6英寸基材则引发价格战

截至2025年11月，碳化硅（SiC）市场正处于价值重新评估和结构分歧的关键阶段。在价格方面，低端散装硅碳材料因成本失控而价格上涨，而主流6英寸硅碳基材在供应过剩下持续暴跌。然而，在应用方面，SiC卓越的导热率使其成为英...

硅质原材料 6英寸 2025-11-26

安森美已完成获得奥拉半导体Vcore电源技术授权

安森美(onsemi) 宣布已与奥拉半导体（Aura Semiconductor）完成Vcore电源技术及相关知识产权（IP）的授权交易。此项战略交易增强了安森美的电源管理产品组合与路线图，加速实现公司在人工智能（AI）...

安森美奥拉 2025-11-05

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）...

ROHM SiC MOSFET 2025-10-17

英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度

● 英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持● 未来，客户可在英飞凌与罗姆各自的对应产品间轻松切换，从而提升设计与采购的灵活性● 此类产品能提高汽车车载充...

英飞凌罗姆 2025-09-26

罗姆与英飞凌携手推进SiC功率器件封装兼容性

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）近日宣布，与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及A...

罗姆英飞凌 2025-09-25

175℃极限突破！SiC JFET 让固态断路器（SSCB）无惧高温工况

断路器是一种用于保护电路免受过流、过载及短路损害的装置。它不用于保护人员免受电击，而用于防范此类电击的装置被称为剩余电流装置（RCD）或接地故障断路器（GFCI）。该装置可检测泄漏电流并切断电路。机电式断路器的设计可...

安森美 SiC 2025-09-24

SiC推动电动汽车向800V架构转型，细数安森美的核心SiC方案

随着电动汽车(EV)逐渐成为主流，人们对电动汽车的性能、充电时间和续航里程的期望持续攀升。要满足这些需求，不仅需要在用户界面层面进行创新，更要深入动力系统架构展开革新。而推动这一演进的关键趋势之一，便是电池系统从400V...

安森美 SiC 2025-09-24

SiC和GaN技术重塑电力电子行业前景

电力电子行业将进入增长的最后阶段，预计到 2025 年评估市场价值将达到 517.3 亿美元，到 2030 年将达到 674.2 亿美元。5.4% 的稳定复合年增长率源于对能源效率、可再生能源集成和半导体先进技术的需求稳...

SiC GaN 2025-09-15

东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET

中国上海，2025年8月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备...

东芝 SiC MOSFET 2025-08-28

东芝与天岳先进达成SiC功率半导体衬底合作协议

据“天岳先进”官方微信公众号消息，8月22日，东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝电子元件”）与山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）就SiC功率半导体用衬底达成基本合作协议。双方将在技术协作与商...

东芝天岳先进 2025-08-26

SiC MOSFET 界面陷阱检测升级：Force-I QSCV 方法详解

电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大...

202509 SiC MOSFET 2025-08-22

第三代半导体洗牌GaN跃居主角

拓墣产业研究院最新报告指出，第三代半导体产业竞争日益激烈，氮化镓（GaN）功率元件凭借其高频、高功率特性，在5G/6G基地台、航空航天、AI运算等应用领域快速崛起。拓墣预估，2025年全球GaN功率半导体市场规模将达7....

第三代半导体 GaN 2025-07-28

Microchip与台达电子签署碳化硅解决方案合作协议，共创电源管理未来

随着人工智能（AI）快速发展与万物电气化进程加速，市场对更高的电源效率与可靠性的需求持续增长。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布与全球电源管理与智能绿色解决方案领导者台达电子工业股...

Microchip 台达 2025-07-21

基于onsemi NCP51752隔离式SiC MOSFET闸极驱动器评估板

NCP51752是隔离单通道栅极驱动器系列,源极和吸收峰电流分别为+4.5 A/-9A。它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。 NCP51752提供短而匹配的传播延...

onsemi NCP51752 2025-07-08

650V GaN器件在高功率应用中对SiC构成挑战

瑞萨电子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平台，该平台具有适用于高功率应用的 650 V、30 毫欧姆氮化镓器件。此次发布代表了该公司在收购 Transphorm 并与其控制器和驱动器 IC 产品线集成后对 ...

650V GaN 2025-07-04

香港首座8英寸SiC晶圆厂获得批准

6月25日，香港特区政府创新科技局辖下创新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工业加速计划」申请已获得评审委员会批准。获批项目涉及在香港兴建宽禁带半导体...

香港 8英寸 2025-07-01

基于SiC的熔丝保护高压电气系统

在减少排放和实现净零目标的前进道路上，碳化硅技术将在可持续发展应用中发挥关键作用。这些应用可以通过在系统中添加电力电子器件（例如电机驱动器）或增强现有系统中的电力电子器件以达到更高的电压并提高效率。随着越来越多的应用集成...

SiC 熔丝保护 2025-06-30

一文读懂SiC Combo JFET技术

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通...

安森美 SiC 2025-06-30

SiC Combo JFET技术概览与特性

SiC Combo JFET 安森美 2025-06-26

罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新...

罗姆 SiC MOSFET 2025-06-24

从单管到并联：SiC MOSFET功率扩展实战指南

在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源...

意法半导体 SiC 2025-06-24

SiC过剩预警：新能源汽车能否消化疯狂扩产？

就在去年，「抢占 SiC，谁是电动汽车市场的赢家？」「第三代半导体，来势汹汹」「碳化硅:渗透新能源车半壁江山第三代半导体百亿级市场拉开帷幕」……这样的形容是 SiC 的专属标签，市场利好，一片光明。好景没有一...

SiC 2025-06-20

复旦大学研发新型SiC MOSFET器件

在功率半导体领域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高临界电场强度和优异的热导率，被广泛应用于新能源汽车、智能电网和轨道交通等高压高频场景。然而，如何在确保击穿电压（BV）的同时优化导通电阻（Ron），一直是行业亟...

复旦大学 SiC 2025-06-16

SiC市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解

安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，本文将重点介绍Cascode结构。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争...

SiC 共源共栅 2025-06-13

ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模...

ROHM SPICE模型 2025-06-11

SiC Combo JFET讲解，这些技术细节必须掌握

安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 ...

安森美 SiC 2025-06-11

因中国价格战和Wolfspeed不确定性瑞萨电子放弃SiC生产计划

根据 MoneyDJ 援引日经新闻的一份报告，电动汽车（EV）市场增长放缓，加上中国制造商增产导致供应过剩，导致价格下跌，据报道，这促使日本半导体巨头瑞萨电子放弃了生产电动汽车碳化硅功率半导体的计...

价格战 Wolfspeed 2025-06-03

Wolfspeed破产传闻使瑞萨电子20亿SiC供应交易面临风险

据日本媒体《日刊工业新闻》报道，据报道，总部位于美国的碳化硅晶圆生产商 Wolfspeed 正在申请第 11 章破产保护。报告指出，这一发展促使日本公司（包括与 Wolfspeed 签订了 10 年供应协议的瑞萨电子以及...

Wolfspeed 破产 2025-05-28

将电流传感器集成到EV用SiC功率模块中

功率半导体研究实验室 Silicon Austria Labs （SAL）完成了将电流传感器集成到电源模块中的概念验证，该模块旨在用于电动汽车牵引逆变器和 DC-DC 转换器。该实验室表示，这项技术...

电流传感器 EV 2025-05-27

东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的...

东芝 DFN8×8 2025-05-20

东芝在SiC专利申请中挑战泰科天润

中国功率芯片开发商泰克天润（Global Power Technology）在碳化硅（SiC）功率技术专利申请排名中面临东芝的挑战。法国分析机构 KnowMade 的最新数据显示，2025 年第一季度全球申请了 8...

东芝 SiC 2025-05-20