基于onsemi NCP51752隔离式SiC MOSFET闸极驱动器评估板
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NCP51752是隔离单通道栅极驱动器系列,源极和吸收峰电流分别为+4.5 A/-9A。 它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。 NCP51752提供短而匹配的传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地关闭，NCP51752具有嵌入式负偏置轨机制在GND2和VEE引脚之间。
本用户指南支持NCP51752的评估板。 它应该与NCP51752数据表以及onsemi的应用说明和技术支持团队一起使用。
本文档描述了孤立单体的拟议解决方案使用NCP51752系列的通道门驱动器。 本用户指南还包括有关操作程序、输入/输出连接、电气原理图、印刷电路板（PCB）布局以及评估板的物料清单（BOM）。
这些评估板可用于评估：
•NCP51752xDR2G
•NCV51752xyDR2G
典型应用图：
►场景应用图
►展示板照片
►方案方块图
►核心技术优势
• VCC UVLO参考GND2 • GND2和VEE引脚之间的内置负偏压 • 通过微调可选择的负偏差水平 • 3−V至20−V输入电源电压 • 输出电源电压为6.5 V至30 V，6−V和8−V ,MOSFET，SiC为12−V和17−V，阈值 • 4.5−A峰值源，9−A峰谷输出电流能力 • 最小CMTI为200 V/ns dV/dt • 输入引脚具有负5-V处理能力 • 传播延迟典型值为36 ns • 5 ns最大延迟匹配 • 隔离和安全
►方案规格
• 窄体（4毫米）SOIC-8封装中NCP51752产品系列的评估板 • 3 V至20 V输入电源电压 • 输出电源电压为6.5 V至30 V，MOSFET为6 V和8 V，SiC为12 V和17 V，阈值 • 4.5 A和9 A源/汇电流驱动能力 • TTL兼容输入和允许的输入电压上升，带IN+和IN-引脚的VDD • 3位插头，带IN+和IN-引脚 • 支持使用MOSFET和连接到外部功率级的SiC MOSFET进行测试
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