东芝与天岳先进达成SiC功率半导体衬底合作协议

据“天岳先进”官方微信公众号消息，8月22日，东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝电子元件”）与山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）就SiC功率半导体用衬底达成基本合作协议。双方将在技术协作与商业合作两方面展开深入合作，具体包括提升SiC功率半导体特性和品质，以及扩大高品质稳定衬底供应。未来，双方将围绕合作细节展开进一步磋商。

东芝电子元件凭借在铁路用SiC功率半导体领域的开发与制造经验，正加速推进服务器电源用和车载用SiC器件的研发。未来，东芝电子元件计划进一步降低SiC功率半导体的损耗，开发高可靠性、高效率的产品。为实现这一目标，东芝电子元件不仅依赖自主研发，还积极寻求与SiC衬底技术领先企业的合作。此次与天岳先进达成合作，将为各类应用场景提供更优解决方案，助力业务扩展。

天岳先进自2010年成立以来，专注于单晶SiC衬底的开发与生产，将品质与技术研发作为核心经营理念。公司在碳化硅衬底领域的专利数量位居全球前五。2022年，天岳先进成为中国首家上市的SiC概念企业，实现了全球化业务拓展与市场份额的快速增长。2024年，公司率先发布全球首款12英寸SiC衬底，并计划在2025年实现全系产品的12英寸衬底布局。未来，天岳先进将继续以卓越品质与尖端技术赢得客户信赖。

通过此次合作，天岳先进将结合东芝电子元件对SiC衬底核心技术的需求，进一步提升衬底品质与可靠性，推动SiC功率半导体市场的发展。双方将基于此次签署的基本协议，继续商讨具体合作内容，以实现业务共赢。