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high-speed 文章 最新资讯

imec 率先利用high-NA光刻技术制备出量子点量子比特

  • imec（比利时微电子研究中心）成为全球首家采用高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV） 工艺制造量子点量子比特的机构。一台具备实用价值的量子计算机，需要数百万个互联互通的量子比特，同时满足高可靠性与精准控制的要求。在目前各类研发中的量子计算技术路线里，硅基量子点自旋量子比特被认为最适合实现产业化规模化量产，也常被业内称作 “产业级量子比特”。其制造流程与主流 CMOS 芯片工艺高度兼容。硅基量子点自旋量子比特会将单个电子束缚在硅纳米结构（栅极层）内部，并利用被捕获电子的自旋态来存储量子信息。为降低
  • 关键字： imec   量子点   量子比特   high-NA  

英特尔陈立武：14A制程2029年量产，18A工艺良率回升

  • 英特尔CEO陈立武在受访时透露14A节点计划于2028年启动风险试产，2029年实现规模化量产。据外媒报道，英特尔CEO陈立武在受访时，公布了14A工艺的最新路线图，并透露该节点计划于2028年启动风险试产，2029年实现规模化量产。 这一计划较原定2027年下半年试产、2028年量产的安排有所推迟。作为第二代RibbonFET环绕栅极晶体管技术的载体，14A将首次采用ASML价值3.8亿美元的High-NA EUV光刻设备，配合全新背部供电架构PowerDirect，预计在能效比和晶体管密度上
  • 关键字： 英特尔   High-NA EUV   14A   18A  

阿斯麦CEO：首批High-NA光刻机生产的芯片将在数月内面世

  • 据路透社消息，全球顶尖芯片设备制造商阿斯麦（ASML）首席执行官克里斯托夫·富凯于当地时间周二在比利时微电子研究中心（imec）举办的行业会议上公开表示，公司预计未来数月内，将迎来首批采用新款高数值孔径（High-NA）EUV光刻机生产的芯片产品，覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域。富凯在会议中明确指出，High-NA EUV光刻机作为面向2nm以下（1.8nm/1.4nm及更先进节点）制程的核心图形化设备，核心价值在于降低顶尖芯片电路光刻成型成本，同时适配AI芯片、HBM/DRAM等高端存储芯片的制造需
  • 关键字： ASML   阿斯麦   光刻机   芯片   High-NA EUV  

台积电暂缓引入High-NA EUV，先进制程竞争不只是设备选择

  • 台积电并没有急着把High-NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻技术放进2029年前的量产节点。作为对比，英特尔则更早导入High-NA设备。两家公司真正的差异，不只是设备选择，而是量产节奏、成本和良率风险的取舍。
  • 关键字： 台积电   英特尔   High-NA   EUV   先进制程   3nm   三星  

4亿美元太贵！台积电仍拒绝购买ASML的High-NA EUV设备

  • 目前，生产尖端半导体必不可少的EUV（极紫外）光刻设备由荷兰ASML独家供应，而台积电2nm工艺就是利用现有的EUV设备实现晶圆的大规模量产，并保持较高的良率。但随着推进到更先进的次2nm节点 —— 即1.4nm与1nm（分别代号A14与A10）—— 制造工艺将面临更多技术瓶颈。理论上，这些问题可以通过采购ASML的最先进High-NA EUV设备来解决，但最新消息称台积电选择的方向并非购买新设备，而是转向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻机？从早期的深紫外
  • 关键字： 台积电   ASML   High-NA   EUV   2nm  

High-NA不是通往2纳米时代的唯一道路

  • 半导体行业正在重新评估其制造最先进芯片的长期路线图。高数字光圈(High-NA)光刻技术,曾被视为2 nm以下节点小型化的明确路径,现在正在与其他选项进行权衡。 尽管在光学领域取得了里程碑式的成就,但高NA所需的重大挑战和巨大的资本投资刺激了互补模式技术的平行发展。事实上,这些技术作为竞争和实用的替代品正在获得牵引力。这不是对光学进步的拒绝。这是一个多方面工具包的务实拥抱,其中材料科学,物理学和创新过程的进步融合在一起,以克服强大的障碍。High-N
  • 关键字： High-NA   2纳米  

SK海力士引入全球首台High-NA EUV设备

  • 据SK海力士官方消息，2025年9月3日，该公司在韩国利川M16工厂成功引进了业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），并举行了设备入厂庆祝仪式。此次引进的设备为荷兰ASML公司开发的TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量产型High-NA EUV设备。相比现有EUV设备（NA 0.33），其光学性能（NA 0.55）提升了40%，能够绘制精密度高达1.7倍的电路图案，同时将芯片集成度提升2.9倍。这一技术突破将显著推动半导体制造向更微细化和高集成度方向发展。SK海力士自
  • 关键字： SK海力士   High-NA   EUV设备  

半导体巨头对high-NA EUV态度分化

  • 据外媒报道，近期，一位匿名英特尔高层提出一种颇具争议的观点：未来晶体管设计，例如GAAFET和CFET架构，可能会降低芯片制造对先进光刻设备的依赖，尤其是对EUV光刻机的需求。这一观点无疑对当前芯片制造技术的核心模式提出了挑战。目前，ASML的极紫外光（EUV）及高数值孔径（high-NA）EUV光刻机在先进制程中扮演关键角色，通过曝光步骤将电路设计转印至晶圆，随后通过沉积和蚀刻工艺形成晶体管结构。然而，该英特尔高层认为，随着GAAFET和CFET等3D晶体管结构的发展，芯片制造将更依赖蚀刻技术，而非单纯
  • 关键字： 半导体   high-NA EUV  

台积电仍在评估ASML的“High-NA”，因为英特尔未来会使用

  • 全球最大的合同芯片制造商台积电制造股份有限公司 （2330.TW） 仍在评估何时将 ASML 的尖端高数值孔径 （NA） 机器用于其未来的工艺节点，一位高管周二表示。芯片制造商正在权衡这些价值近 4 亿美元的机器的速度和精度优势何时会超过芯片制造厂中最昂贵的设备几乎翻倍的价格标签。当被问及台积电是否计划将这台机器用于其即将推出的 A14 和未来节点的增强版本时，Kevin Zhang 表示，该公司尚未找到令人信服的理由。“A14，我所说的增强，在不使用 High-NA 的情况下非常可观。因此，我们的技术团
  • 关键字： 台积电   ASML   “High-NA”  

英特尔：ASML首批两台High-NA EUV设备已投产

  • 据路透社报道，半导体大厂英特尔近日表示，半导体设备大厂阿斯麦（ASML）的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，且早期数据显示，这些设备的性能比之前的机型更可靠。报道称，英特尔资深首席工程师Steve Carson在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上指出，英特尔已经利用ASML高数值孔径光刻机在一个季度内生产了3万片晶圆，这些晶圆是足以生产数千个计算芯片的大型硅片。2024年，英特尔成为全球第一家接收这些先进设备的芯片制造商，与之前的ASML设备相比，这些机器可望制造出更小
  • 关键字： 英特尔   ASML   High-NA   EUV  

英特尔两台High NA EUV光刻机已投产，单季完成3万片晶圆

  • 据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约是上一代光刻机的两倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作，从而节省时间和成本。英特尔工厂的早期结果显示，High NA EUV 机器只需要一次曝光和“个位数”的处理步骤，即可完成早期机器需要三次曝光和约40个处
  • 关键字： 英特尔   High NA EUV   光刻机   晶圆  

英特尔：首批两台High-NA EUV 设备已投产

  • 英特尔24日表示，ASML首批的两台先进曝光机已投产，早期数据显示比之前机型更可靠。英特尔资深首席工程师 Steve Carson 指出，英特尔用ASML 高数值孔径（High NA）曝光机一季内生产 3 万片晶圆，即生产数千颗运算芯片的大型硅片。英特尔去年成为全球第一间接收这些设备的芯片制造商，与之前ASML设备相比，这些机器可望制造出更小、更快的运算芯片。 此举是英特尔策略转变，因英特尔采用上代极紫外光（EUV）曝光机时落后竞争对手。英特尔花了七年才将之前机器全面投产，导致领先优势被台积电超越。 生产
  • 关键字： 英特尔   High-NA   EUV  

imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构

  • 比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后，9纳米和5纳米（间距19纳米）的随机逻辑结构、中心间距为30纳米的随机通孔、间距为22纳米的二维特征，以及间距为32纳米的动态随机存取内存（DRAM）专用布局全部成功成形，采用的是由imec与其先进图形化研究计划伙伴所优化的材料和基线制程。透过这些研究成果，imec证实该微影技术的生态系
  • 关键字： imec   High-NA   EUV   DRAM  

价值3.83亿美元！Intel拿下全球第二台High NA EUV光刻机

  • 8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。帕特·基辛格表示，第二台High NA设备即将进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，预计将支持公司新一代更强大的计算机芯片的生产。此前，Intel已于去年12月接收了全球首台High NA EUV光刻
  • 关键字： Intel   High NA EUV   光刻机   晶圆   8纳米  

ASML第二台High-NA设备，即将导入英特尔奥勒冈厂

  • 英特尔正接收ASML第二台耗资3.5亿欧元（约3.83亿美元）的新High NA EUV设备。根据英特尔8/1财报电话会议纪录，CEO Pat Gelsinger表示，英特尔12月开始接收第一台大型设备，安装时间需要数月，预计可带来新一代更强大的电脑英文。Gelsinger在电话中指出，第二台High NA设备即将进入在奥勒冈州的厂房。由于英特尔财报会议后股价表现不佳，因此这番话并未引起注意。ASML高阶主管7月曾表示，该公司已开始出货第二台High NA设备给一位未具名客户，今年只记录第一台的收入。不过
  • 关键字： ASML   High-NA   英特尔   光刻机  

台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？

  • 5月26日，台积电举办“2024年技术论坛台北站”的活动，台积电CEO魏哲家罕见的没有出席，原因是其秘密前往荷兰访问位于埃因霍温的ASML总部，以及位于德国迪琴根的工业激光专业公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源设备供应商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通过社交媒体透露了魏哲家秘密出访的行踪。Christophe Fouquet表示他们向魏哲家介绍了最新的技术和新产品，包括High-NA EUV设备将如何实现未来
  • 关键字： 台积电   ASML   High-NA   EUV   光刻机  

High-NA EUV光刻机或将成为英特尔的转机

  • 上个月英特尔晶圆代工宣布完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。随后开始在Fab D1X进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。
  • 关键字： High-NA   EUV   光刻机   英特尔   芯片   半导体  

High-NA EUV光刻机入场，究竟有多强？

  • 光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上历史舞台，进一步提升了光刻的精度和效率，为制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官网显示，其组装了两个 TWINSCAN EXE:5000 高数值孔径光刻系统。其中一个由 ASM 与 imec 合作开发，将于 2024 年安装在 A
  • 关键字： High-NA EUV  

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术

  • 3 月 27 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，运行效率得以提升。根据IT之家之前报道，NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装，可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量，相较以往机型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技术 High-NA（高数值孔径） EUV 采用了更宽的光锥，这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽，会导致影响晶圆吞吐量的光损失。
  • 关键字： ASM   NXE:3800E EUV   光刻机   High-NA  

英特尔是否正在垄断ASML HIGH NA光刻机？

英特尔拿下首套High-NA EUV，台积电如何应对？

  • 英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下，台积电则采取更加谨慎的策略，业界预计台积电可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。Hig
  • 关键字： 英特尔   High-NA EUV   台积电  

SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革

  • 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core Tr
  • 关键字： SK海力士   High-k   Metal Gate  

拆解报告：MOVE SPEED移速20W小精灵快充

  • 　　MOVE SPEED移速近期推出了一款20W PD快充迷你充电器，型号为YSFCP101-20W，还为其取了个很好听的名字——小精灵。这款产品支持QC、PD以及PPS等快充协议，可以满足iPhone 12手机全速快充需求，对其它品牌安卓机也有很好的兼容性，下面充电头网就对其进行拆解，看看用料做工如何。一、移速20W小精灵快充外观　　包装盒蓝白配色，正面印有品牌、充电器外观图、名称以及20W、CCC认证标识等。　　背面印有商家信息。　　侧面印有充电器参数。　　另一侧面印有产品四大特性标识。　　包装内含充
  • 关键字： MOVE SPEED   快充   拆解     

基于LEON3处理器和Speed协处理器的复杂SoC设计实现

  • 　　前言 　　随着科技的发展，信号处理系统不仅要求多功能、高性能，而且要求信号处理系统的开发、生产周期短，可编程式专用处理器无疑是实现此目的的最好途径。可编程专用处理器可分为松耦合式(协处理器方式，即MCU+协处理器)和紧耦合式(专用指令方式，即ASIP)，前者较后者易于实现，应用较广。本文就是介绍一款松耦合式可编程专用复杂SoC设计实现，选用LEON3处理器作为MCU，Speed处理器作为Coprocessor。 　　LEON3及Speed 　　LEON3是由欧洲航天总局旗下的Gaisler Re
  • 关键字： LEON3   Speed  

High-end A4监听音箱的制作

  • 一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞，要求音箱做得尽可能小巧一些，摆放在室内不致引人注意。然而，音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱体系
  • 关键字： 制作   音箱   监听   A4   High-end  

High-end A4监听音箱的制作方法

  • 一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞，要求音箱做得尽可能小巧一些，摆放在室内不致引人注意。然而，音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱体系
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安森美ADS软件的 High-Q IPD工艺设计套件

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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如何制作High-end A4监听音箱

  • 一、设计及制作
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    no＝knmiddot;f33middot;VB
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Derive simple high-current source from lab sup

  • Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
  • 关键字： high-current   Derive   simple   source     

制作High-end A4监听音箱的方法

  • 一、设计及制作
    由于普通家庭室．内空间不够宽敞，要求音箱做得尽可能小巧一些，摆放在室内不致引人注意。然而，音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系：
    no＝kn・f33・VB
    上式中，kn是箱体系数，
  • 关键字： 音箱   方法   监听   A4   High-end   制作  

high-speed介绍

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