5月19日，雷军微博宣布小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1即将亮相。小米将成为继苹果、高通、联发科后，全球第四家发布自主研发设计3nm制程手机处理器芯片的企业。回顾了小米第一代自研手机SoC“澎湃S1”的失败经历，从2014年9月立项，到2017年正式发布，“因为种种原因，遭遇挫折”，暂停了SoC大芯片的研发，转向了“小芯片”路线。包含了快充芯片、电池管理芯片、影像芯片、天线增强芯片等“小芯片”，在不同技术赛道中慢慢积累经验和能力。直到2021年初，小米宣布造车的同时，还在内部重启“大芯片
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继华为和联想在中国开发自主开发的芯片之后，小米正在开发自己的玄戒XRing 01 SoC。据报道，这款新芯片采用标准 Arm Cortex 内核和台积电的 3nm 级工艺节点。根据HXL的说法，XRing 01具有强大的十核配置，并且根据泄密者 Jukanlosreve 分享的现已下架的芯片 Geekbench 测试，小米的替代品似乎提供了与联发科旗舰天玑 9400 SoC 相当的性能。面对来自美国的重大限制，并且与高通和联发科等其他公司相比，中国制造商可能节省成本，因此正在迅速过渡到
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5月15日晚间，小米集团创始人雷军发布微博称，小米自主研发设计的手机SoC芯片名字叫“玄戒O1”，将在5月下旬发布。这不是小米第一次尝试芯片自研，早在2017年就有推出过澎湃 S1。这次玄戒芯片的回归，不仅是一次技术层面的补位，更像是小米正式向“高端自主可控”阵营迈出的一步。自研芯片不仅是技术竞赛，更是对产业链话语权的争夺，若玄戒能站稳脚跟，国产手机厂商或将迎来从「组装创新」到「底层定义」的质变 —— 比如供应链自主可控、软硬协同优化、国产技术链反哺等，或将吸引OPPO、vivo等厂商加速自研芯片投入，进
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近，semiengineering 的文章指出，由于复杂性不断上升，芯片制造从单片芯片转向多芯片组件，需要进行更多次迭代，以及定制化程度不断提高导致设计和验证更加耗时，首次流片的成功率正在急剧下降。从西门子提供的数据看，半导体行业首次流片的成功率已经达到了历史低点。此外，随着 2nm 的到来，先进制程工艺下的芯片良率也很难提高。芯片遇到了大难题。芯片流片成功率，历史低点流片对于芯片设计来说，就是参加一次大考。流片是检验芯片设计是否成功的关键，就是将设计好的方案交给代工厂生产出样品，检验设计的芯片
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世界上只有三家公司能够执行大规模制造最先进的计算机芯片的令人难以置信的精度。上个月，日本的一家初创公司迈出了成为第四家的第一步。Rapidus 在 4 月 1 日实现了一个关键的里程碑，它使用与 IBM 合作开发的配方，基于 IBM 的纳米片晶体管结构，启动并测试了其 2 纳米节点芯片的试验线。 Rapidus 告诉 IEEE Spectrum，其位于千岁的新晶圆厂安装了 200 多台尖端设备，包括 Keystone 部件，一个价值超过 3 亿美元的最先进的极紫外&
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由于三星尖端制程良率偏低，以及美国特朗普政府关税政策影响，处理器大厂AMD可能已经取消了三星4nm制程订单，进而转向了向台积电美国亚利桑那州晶圆厂下单。这一决定标志着三星代工业务继失去高通、英伟达等科技巨头价值数十亿美元的尖端芯片订单后，再次遭遇重大挫折。
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5月6日消息，据报道，台积电的2nm制程技术正在引发前所未有的市场需求，有望成为该公司下一个"淘金热"。报道称，台积电的2nm节点需求远超以往任何制程，甚至在大规模量产之前就已经展现出强劲的吸引力，有望超越目前极为成功的3nm节点。台积电的2nm制程技术在成熟度上取得了快速进展，其缺陷密度率已与3nm和5nm相当，并采用了新的环绕栅极晶体管（GAAFET）架构。此外，与3nm增强版（N3E）相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。在市场需求方面，苹果被认为是2nm制程的最大客户，可
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据外媒WCCFtech报道，小米旗下芯片部门玄戒「Xring」已独立运营，团队规模达1000人，由高通前资深总监秦牧云领导。有消息传出，小米已完成首款3nm工艺SoC原型测试，进入设计定案（tape out），预计会在今年发布。但该芯片将采用Arm现有的设计架构，而非使用任何小米自研核心。根据代码提交记录及供应链消息，玄戒芯片的硬件架构已逐渐清晰，其采用“1+3+4”八核三丛集设计：采用1颗Cortex-X3超大核（主频3.2GHz）、3颗Cortex-A715中核（主频2.6GHz）、4颗Cortex-
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日本参议院已通过法律修订，使政府能够收购 Rapidus 的股权，这是加强该国下一代半导体行业的更广泛努力的一部分，这一步将使得日本政府可以通过法律收购Rapidus股权并加强对芯片战略的控制，这也让Rapidus可能成为未来台积电最大的竞争对手之一。 Rapidus成立于2022年8月，Rapidus由软银、索尼、丰田等8家日本大公司共同筹办，公司地址位于日本东京都千代田区，公司已经与IBM达成合作协议制造半导体芯片，是日本瞄准未来先进半导体制造工艺的重要企业。2024年之前，日本本土的数字工艺产能最多
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4月26日消息，在近日举办的北美技术论坛上，台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。台积电没有给出具体数据，只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。台积电N2首次引入了GAAFET全环绕晶体管，目前距离大规模量产还有2个季度，也就是要等到年底。N2试产近2个月来，缺陷率和同期的N5/N4差不多，还稍微低一点，同时显著优于N7/N6、N3/N3P。从试产到量产半年的时间周期内，N7/N6的综合缺陷率是最高的，N3/N3P从量产开始就低得多了，
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台积电在其 2025 年北美技术研讨会上透露，该公司有望在今年下半年开始大批量生产 N2（2nm 级）芯片，这是其首个依赖于全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管的生产技术。这个新节点将支持明年推出的众多产品，包括 AMD 用于数据中心的下一代 EPYC“Venice”CPU，以及各种面向客户端的处理器，例如用于智能手机、平板电脑和个人电脑的 Apple 2025 芯片。得益于 GAAFET 和增强的功率传输，新的 2nm 节点将在更高的性能和晶体管密度中实现切实的节能。此外，后续工艺技术 A16
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4月22日消息，据媒体报道，Intel已加入台积电2nm制程的首批客户行列，计划用于生产下一代PC处理器，目前相关准备工作正在台积电新竹厂区紧锣密鼓地进行，以确保后续良率的调整。台积电计划在下半年量产2nm制程，近期相关客户陆续浮出水面，此前，AMD已宣布下单台积电2nm制程。报道称，Intel和台积电目前在2nm制程上仅合作一款产品，可能是Intel明年要推出的PC处理器Nova Lake中的运算芯片。对于Intel加入的消息，台积电表示不评论市场传闻，也不评论特定客户业务，Intel方面也未对相关消息
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2024年第四季度，全球智能手机应用处理器（AP SoC）市场格局悄然生变。Counterpoint最新数据显示，联发科（34%）、苹果（23%）、高通（21%）、紫光展锐（14%）、三星（4%）和华为海思（3%）依次占据前六位。能够看到，紫光展锐的市场份额还在持续的扩大，成为继华为海思之后，又一家在全球AP市场站稳脚跟的中国厂商。而市场份额提升最大的地方，就是中低端市场。全球智能手机AP SoC市场格局我们先来看看全球智能手机 AP SoC市场规模变化。2022年第四季度，全球智能手机AP市场中，联发科
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台积电管理层在周四的公司财报电话会议上透露，该公司计划在美国生产其 30% 的 N2（2 纳米级）产品，并将其 Fab 21 工厂设在亚利桑那州凤凰城附近，这是一个独立的半导体制造集群。这家全球最大的芯片合同制造商还表示，打算加快构建新的 Fab 21 模块，以生产 N3（3 纳米级）、N2 和 A16（1.6 纳米级）节点上的芯片。“完成后，我们约 30% 的 2nm 和更先进的产能将位于亚利桑那州，在美国创建一个独立的领先半导体制造集群，”台积电首席执行官兼董事长 C.C. Wei 在准备好的讲话中说
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4月17日消息，博主数码闲聊站表示，明年苹果、高通、联发科确定上台积电2nm，预计成本大幅增长，新机或许还会有一轮涨价。去年10月份，因高通骁龙8 Elite、联发科天玑9400芯片切入台积电3nm工艺，国产品牌集体涨价。当时REDMI总经理王腾解释，旗舰机涨价有两个原因，一是旗舰处理器升级最新3nm制程，工艺成本大幅增加；二是内存、存储经过持续一年的涨价，已经来到了最高点，所以大内存的版本涨幅更大。展望明年，高通骁龙8 Elite 3、天玑9600等芯片都将升级为全新的台积电2nm制程，成本将会再度上涨
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