- IT之家 3 月 11 日消息，博主 Revegnus 近日否认了三星旗舰手机未来将使用联发科旗舰处理器的传闻，但称三星曾考虑在 S 系列手机上使用天玑 9000 处理器，但因供应不足而放弃。该博主称当年联发科曾考虑向三星供应 1000 万颗天玑 9000，而这一供应量远低于三星 Galaxy S 系列所需的 3000-3500 万颗，协议最终没有达成。此外，该博主曾于 2 月发文称，传言联发科向三星提供了特殊价格，三星的入门手机系列将扩大联发科处理器的使用范围。Revegnus 强调联发科与三
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天玑9000 三星
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，三星 Galaxy S24 系列的部分设备已搭载美光低功耗 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0 移动闪存存储，为全球手机用户带来强大的人工智能（AI）体验。Galaxy S24 系列由三星的生成式人工智能工具套件 Galaxy AI 提供支持，能够实现无障碍通信并且最大限度地实现创作自由，从而进一步提升用户体验。随着数据密集型和功耗密集型应用不断推动智能手机的硬件性能达到极致，美光 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0
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美光 三星 Galaxy S24 移动AI
- AI服务器浪潮席卷全球，带动AI加速芯片需求。DRAM关键性产品HBM异军突起，成为了半导体下行周期中逆势增长的风景线。业界认为，HBM是加速未来AI技术发展的关键科技之一。近期，HBM市场动静不断。先是SK海力士、美光科技存储两大厂释出2024年HBM产能售罄。与此同时，HBM技术再突破、大客户发生变动、被划进国家战略技术之一...一时间全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全称为High Bandwidth Memory），是高带宽存储器，是属于图形DDR内存的一种。从技术原理上讲，HB
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三星 半导体存储器 HBM
- 三星电子今日宣布，已开始向客户提供其256GB[1]SD Express[2] microSD存储卡样品，该款存储卡顺序读取速度最高可达800MB/s，此外，1TB[3] UHS-1 microSD存储卡现已进入量产阶段。随着新一代microSD存储卡产品的推出，三星将着力打造差异化存储解决方案，更好满足未来移动计算和端侧人工智能应用的需求。"来自移动计算和端侧人工智能应用的需求与日俱增，三星推出的这两款全新micro
SD卡为应对这一问题提供了有效解决方案。"三星电子品牌存储事业
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三星 microSD 移动计算 端侧AI
- IT之家 2 月 28 日消息，据韩媒 Chosunbiz 报道，三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果，有望提前导入未来制程节点。传统芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。但随着制程工艺的收缩，传统供电模式的线路层越来越混乱，对设计与制造形成干扰。BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面，可简化供电路径，解决互连瓶颈，减少供电对信号的干扰，最终可降低平台整体电压与功耗。对于三星而言，还特别有助于移动端 SoC 的小型化。▲&n
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三星 BSPDN 芯片测试
- 三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。 &n
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三星 HBM3E DRAM 人工智能
- 据三星官网消息，2月26日，AI-RAN 联盟在巴塞罗那 MWC2024 世界通信大会上正式成立，旨在通过与相关公司合作，将人工智能（AI）技术融入蜂窝移动网络的发展，推动5G及即将到来的6G通信网络进步，以改善移动网络效率、降低功耗和改造现有基础设施。据悉，该组织共有11个初始成员，其中包括：三星、ARM、爱立信、微软、诺基亚、英伟达、软银等行业巨头。联盟将合作开发创新的新技术，以及将这些技术应用到商业产品中，为即将到来的 6G 时代做好准备。据了解，AI-RAN 联盟将重点关注三大研究和创新领域：AI
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- 半导体已经与我们的生活融为一体，我们日常生活的许多方面，包括手机、笔记本电脑、汽车、电视等，都离不开半导体。而制造半导体所需的多任务流程被分为几个基本工艺，这些工艺的第一步就是晶圆制造。晶圆可以说是半导体的基础，因为半导体集成电路包含许多处理各种功能的电气元件。而集成电路是通过在晶圆的基板上创建许多相同的电路来制造的。晶圆是从硅棒上切成薄片的圆盘，由硅或砷化镓等元素制成。大多数晶圆是由从沙子中提取的硅制成。美国的硅谷始于半导体产业，最终成为全球软件产业的中心。据报道，它的名字是半导体原材料“硅”和圣克拉拉
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- 据报道，三星已在硅谷成立了一个新的半导体研发组织，旨在开发下一代AGI芯片。三星不打算就此止步，因为他们决定抓住潜在的“黄金矿藏”与AGI半导体部门一拥而上，比其他公司更早
三星电子，特别是其铸造部门，在扩大半导体能力方面正在迅速进展，公司宣布新的下一代工艺以及最终的客户。然而，在人工智能时代，与像台积电这样的竞争对手相比，三星在AI方面没有取得显著进展，因为该公司未能引起像NVIDIA这样的公司对半导体的关注，但看起来这家韩国巨头计划走在前面，随着世界转向AGI主导的技术领域。相关故事报告显示去年销售
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三星，AGI，芯片
- IT之家 2 月 20 日消息，三星半导体业务虽然面临着持续的挑战，但该公司仍对今年下半年的市场前景持乐观态度。为了提高效率并更好地响应市场需求，三星正在对其芯片工厂进行一些调整。具体而言，三星正在调整位于韩国平泽的 P4 工厂的建设进度，以便优先建造 PH2 无尘室。此前，三星曾宣布暂停建设 P5 工厂的新生产线。三星正在根据市场动态调整其建设计划。平泽是三星主要的半导体制造中心之一，是三星代工业务的集中地，也是该公司生产存储芯片的地方。目前，P1、P2 和 P3 工厂已经投入运营，P4 和
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- 最新报道，三星的3nm GAA生产工艺存在问题，原计划搭载于Galaxy S25/S25+手机的Exynos 2500芯片在生产过程中被发现存在严重缺陷，导致良品率直接跌至0%。报道详细指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工艺下的生产质量问题，未能通过三星内部的质量检测。这不仅影响了Galaxy S25系列手机的生产计划，还导致原定于后续推出的Galaxy Watch 7的芯片组也无法如期进入量产阶段。值得关注的是，Exynos 2500原计划沿用上一代的10核CPU架构，升级之处在于将采用全新的
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- 2 月 6 日消息，和 iPhone 15 Pro Max 一样，三星 Galaxy S24 Ultra 也采用了钛合金框架，以提升手机的耐用性和轻量化程度。然而，两款手机的钛合金含量和品质却并不相同。知名 Youtube 科技频道 JerryRigEverything 通过火烧测试，揭示了其中的奥秘。此前，JerryRigEverything 已经对 iPhone 15 Pro Max 进行了同样的测试，发现其钛合金框架在高温灼烧下依然完好无损。这并不令人意外，因为测试所用的熔炉温度不足以熔
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- 2 月 5 日消息，据报道，三星将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息，但我们知道，这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引
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- 2月5日消息，据媒体报道，三星计划明年在韩国开始2nm工艺的制造，并且在2047年之前，三星将在韩国投资500万亿韩元，建立一个巨型半导体工厂，将进行2nm制造。据悉，2nm工艺被视为下一代半导体制程的关键性突破，它能够为芯片提供更高的性能和更低的功耗。作为三星最大的竞争对手，台积电在去年研讨会上就披露了2nm芯片的早期细节，台积电的2nm芯片将采用N2平台，引入GAAFET纳米片晶体管架构和背部供电技术。台积电推出的采用纳米片晶体管架构的2nm制程技术，在相同功耗下较3nm工艺速度快10%至15%，在相
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2nm 半导体 三星
- 2月5日消息，三星与台积电据悉都将从2025年开始投入2nm制程量产。此前，韩国政府1月中旬表示，三星公司计划到2047年在首尔南部投资500万亿韩元建设“超大集群”半导体项目，将重点生产先进产品，包括使用2nm工艺制造的芯片。
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