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三星公布新工艺节点,2nm工艺SF2Z将于2027年大规模生产

作者: 时间:2024-06-18 来源:SEMI 收藏

据韩媒报道,当地时间6月12日,电子在美国硅谷举办“论坛2024(Samsung Foundry Forum,SFF)”,并公布了其技术战略。

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/202406/459974.htm

活动中,公布了两个新工艺节点,包括。其中,是2nm工艺,采用背面电源输送网络(BSPDN)技术,通过将电源轨置于晶圆背面,以消除与电源线和信号线有关的互联瓶颈,计划在2027年大规模生产。与第一代2nm技术相比,不仅提高了PPA,还显著降低了电压降(IR drop),从而提高了高性能计算(HPC)的性能。则是4nm工艺变体,通过结合光学缩放技术改进功率、性能和面积(PPA),该工艺计划于2025年量产。

目前,三星对SF1.4(1.4nm)的准备工作进展顺利,正在按计划达成性能和量产目标,预计该工艺将于2027年量产。

在技术路线上,三星重点介绍了全环绕栅极(GAA)工艺技术的进展。三星的GAA工艺已进入量产的第三年,基于GAA技术演进,三星计划在今年下半年量产第二代3nm工艺(SF3),并计划在即将推出的2nm工艺上采用GAA。

三星电子事业部总裁崔思英在演讲中表示:“在所有技术都在围绕AI发生革命性变革的时代,最重要的是能够实现AI的高性能、低功耗半导体,”三星电子将通过针对AI半导体优化的GAA(Gate-All-Around)工艺技术和光学器件技术,提供客户在AI时代所需的一站式AI解决方案,以实现低功耗的高速数据处理。到2027年,该公司计划将光学元件集成到其AI解决方案中。



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