3nm 文章
- 原文流传年的幻灯片并非出自Intel官方，而是荷兰光刻机巨头ASML在Intel原有幻灯片基础上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm规划均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路线图。Intel官方原始幻灯片如下：在IEDM（IEEE国际电子设备会议上），有合作伙伴披露了一张号称是Intel 9月份展示的制造工艺路线图，14nm之后的节点一览无余，甚至推进到了1.4nm。让我们依照时间顺序来看——目前，10nm已经投产，7nm处于开发阶段，5nm处于技术指标定义阶段，3nm处于探索、先导阶
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英特尔 10nm 7nm 5nm 3nm
- 尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产，但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议，公布了旗下新一代工艺的进展，其中3nm工艺明年就完成开发了。三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单，三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上，预计2021年量产。在3nm节点，三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺，其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管
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CPU处理器，3nm
- 如今在半导体工艺上，台积电一直十分激进，7nm EUV工艺已经量产，5nm马上就来，3nm也不远了。台积电CEO兼联席主席蔡力行(C.C. Wei)在投资者与分析师会议上透露，台积电的N3 3nm工艺技术研发非常顺利，已经有早期客户参与进来，与台积电一起进行技术定义，3nm将在未来进一步深化台积电的领导地位。目前，3nm工艺仍在早期研发阶段，台积电也没有给出任何技术细节，以及性能、功耗指标，比如相比5nm工艺能提升多少，只是说3nm将是一个全新的工艺节点，而不是5nm的改进版。台积电只是说，已经评估了3n
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台积电 3nm
- 今天有多家媒体报道了中国科研人员实现了3nm半导体工艺的突破性进展，香港《南华早报》称中科院微电子所团队的殷华湘等人研究出了3nm晶体管，相当于人类DNA链条宽度，这种晶体管解决了玻尔兹曼热力学的限制。
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3nm 半导体
- 作为全球晶圆代工市场的一哥，台积电一家就占了全球50-60%的份额，几乎吃下所有7nm先进订单。不过今年遇到了半导体市场熊市，台积电Q1季度营收、盈利也不免受影响下滑，净利润暴跌了32%。不过台积电今年依然要砸钱研发新工艺，预计会在7nm、5nm及3nm工艺研发上投资80亿美元之多。
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台积电 Q1 7/5/3nm
- 在智能手机、存储芯片业务陷入竞争不利或者跌价的困境之时，三星也将业务重点转向逻辑工艺代工。在今天的三星晶圆代工SFF美国分会上，三星宣布四种FinFET工艺，涵盖了7nm到4nm，再往后则是3nm GAA工艺了，通过使用全新的晶体管结构可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面积缩小45%。
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三星 3nm
- 在半导体晶圆代工市场上，台积电TSMC是全球一哥，一家就占据了全球50%以上的份额，而且率先量产7nm等先进工艺，官方表示该工艺领先友商一年时间，明年就会量产5nm工艺。在台积电之外，三星也在加大先进工艺的追赶，目前的路线图已经到了3nm工艺节点，下周三星就会宣布3nm以下的工艺路线图，紧逼台积电，而且会一步步挑战摩尔定律极限。
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三星 台积电 3nm
- 科技的发展有时超出了我等普通人的想象，今年台积电才开始量产7nm，计划明年量产5nm，这不3nm又计划在2022年实现量产，这样的大踏步前进可以说是竞争争夺激烈的结果、也是科技快速发展的结果。
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3nm 台积电
- 5月28日，三星电子在位于美国的 2018 年三星半导体代工论坛上，公布其全面的芯片制程技术路线图，目前已经更新至 3nm 工艺。 据介绍，三星的 7nm LPP 将成为该公司首款使用EUV(极紫外光刻)方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分为 LPE 和 LPP 两代，不过 7nm 算是个例外，没有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 将于 2018 年下半年量产，2019 年的高通和三星芯片有望采用该制造工艺。 三星表示，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 将为 So
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三星 芯片 3nm
- 半导体业界为EUV已经投入了相当庞大的研发费用，因此也不难理解他们急于收回投资。虽然目前还不清楚EUV是否已经100%准备就绪，但是三星已经迈出了实现大规模量产的第一步。
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三星 EUV 3nm
- 台积电在8月14日宣布，公司董事会已批准了一项约45亿美元的资本预算。未来将会使用该预算来修建新的晶圆厂，而现在中国台湾媒体报道称，台积电计划2020年开始建造3nm制程的晶圆厂，希望能够在2022年实现3nm制程芯片的量产。 根据台湾《经济日报》的报道，台湾相关部门通过了「台南科学园区二期基地开发暨原一期基地变更计划环差案」，这项议案主要是为了台积电全新的晶圆制造厂而打造。 据悉，台积电计划2020年开始建造最新的3nm制程的晶圆厂，同时最快可以在2022年实现对于3nm制程芯片的量产。目前台积
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台积电，3nm，芯片
- 为2D互连和3D硅穿孔封装提供颠覆性湿沉积技术与化学材料的开发商与生产商aveni S.A.今日宣布，其已获得成果可有力支持在先进互连的后段制程中，在5nm及以下技术节点可继续使用铜。 「值此铜集成20周年之际，我们的研究结果证实了IBM研究员Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主题演讲中所表达的意见：『铜集成可持续使用』。」aveni执行长Bruno Morel指出。 由于器件要满足(和创
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aveni 3nm
- 目前晶圆代工市场三强分立，Intel、三星、台积电都在积极备战之中。而中国市场也是这些大佬的兵家必争之地，拥有了中国市场便拥有了全世界。晶圆市场暗流涌动，鹿死谁手犹未可知。
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晶圆 3nm
- 摩尔定律的提出只为预测半导体行业的发展趋势，但是随着其在半导体行业的声名鹊起，外界各行各业对于竞相仿效。
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摩尔定律 3nm
- 台积电创始人兼董事长张忠谋在近日的一次公司会议上披露，台积电将在2020年开工建设3nm工艺晶圆厂，但不会去美国设厂，而是坚持留在中国台湾本土，确切地说是在南部科技园区。
张忠谋提出，台积电相信当地政府会解决好3nm工厂建设所需的水电土地问题，并提供全力协助。
按照张忠谋此前的说法，3nm工厂建设预计会花费超过200亿美元，同时有望带动相关供应商跟进建厂，拉动台南地区经济发展。
他没有透露3nm工厂何时完工、新工艺何时量产，但即便不考虑额外困难和挑战，最快也得是2023年的事儿了。
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3nm 晶圆
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