- 4月26日消息，在近日举办的北美技术论坛上，台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。台积电没有给出具体数据，只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。台积电N2首次引入了GAAFET全环绕晶体管，目前距离大规模量产还有2个季度，也就是要等到年底。N2试产近2个月来，缺陷率和同期的N5/N4差不多，还稍微低一点，同时显著优于N7/N6、N3/N3P。从试产到量产半年的时间周期内，N7/N6的综合缺陷率是最高的，N3/N3P从量产开始就低得多了，
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- 去年末有报道称，小米即将迎来了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步骤就是与代工合作伙伴确定订单，批量生产自己设计的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭载于小米5c，对SoC并不陌生。据Wccftech报道，虽然中国大陆的芯片设计公司或许不能采用台积电（TSMC）最新的制造工艺，但最新消息指出，相关的管制措施暂时没有影响到小米，该款SoC有望在今年晚些时候推出。不过与之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工艺，而是4nm工艺，具体来说是N4P。小米的SoC在C
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- 3月31日消息，据媒体报道，位于新竹和高雄的两大台积电工厂将是2nm工艺制程的主要生产基地，预计今年下半年正式进入全面量产阶段。在前期试产中，台积电已经做到了高达60%的良率表现，待两大工厂同步投产之后，月产能将攀升至5万片晶圆，最大设计产能更可达8万片。与此同时，市场对2nm芯片的需求持续高涨，最新报告显示，仅2025年第三、四季度，台积电2纳米工艺即可创造301亿美元的营收，这一数字凸显先进制程在AI、高性能计算等领域的强劲需求。作为台积电的核心客户，苹果将是台积电2nm工艺制程的首批尝鲜者，预计iP
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- 据外媒报道，英特尔确认将于今年晚些时候在其位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34量产3nm芯片。据了解，Intel 3是该公司的第二个EUV光刻节点，每瓦性能比Intel 4工艺提高了18%。Intel公司在年度报告中表示，该工艺于2024年在美国俄勒冈州完成首批量产，2025年产能将全面转至爱尔兰莱克斯利普工厂。据介绍，英特尔同步向代工客户开放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工艺。此外，该公司还与联电合作开发12nm代工工艺。英特尔还表示：基于Intel 18A工艺的客户端处理器Pa
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- 快科技3月25日消息，据悉，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。据悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发射，输出功率100-120W，频率8k-9kHz，再通过光学系统调整，用于光刻设备。中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计，由自制的Yb:YAG晶体放大器
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- 3月21日消息，投资公司GF Securities在报告中称，iPhone 18系列搭载的A20芯片将会采用台积电第三代3nm工艺N3P制造，对此，分析师Jeff Pu予以反驳，称A20芯片基于台积电2nm制程打造，苹果使用3nm的消息可以被忽略了。据悉，台积电已经开始了2nm工艺的试产工作，该项目在新竹宝山工厂进行，初期良率是60%，预计在2025年下半年开始进行批量生产阶段。之前摩根士丹利发布报告称，2025年台积电2nm月产能将从今年的1万片试产规模，增加至5万片左右的量产规模。由于产能爬坡以及良率
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- 对于iPhone 17系列将搭载的芯片将是由台积电第三代3nm制程工艺，也就是由N3P制程工艺代工的A19和A19 Pro，iPhone 17和iPhone 17 Air搭载A19芯片，iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max搭载A19 Pro芯片。这也意味着iPhone 17系列无缘台积电最新的2nm工艺制程，苹果最快会在iPhone 18系列上引入台积电2nm制程。资料显示，台积电2nm（N2）工艺最快会在2025年推出，台积电CEO魏哲家在近几个季度的财报分析师电话会议上表示2
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- 11月19日消息，分析师Jeff Pu在报告中提到，iPhone 17、iPhone 17
Air首发搭载A19芯片，iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max首发搭载A19
Pro芯片，这两颗芯片都是基于台积电第三代3nm制程（N3P）打造。据悉，iPhone 15 Pro系列首发的A17 Pro基于台积电第一代3nm制程（N3B）打造，iPhone 16系列的A18和A18 Pro基于台积电第二代3nm制程（N3E）打造。相比N3E，采用N3P工艺打造的芯片拥有更高的晶体管
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- 台积电的 5nm 和 3nm
工艺是该公司在市场上"最热门"的产品之一，据报道，这家台湾巨头的利用率达到了
100%。众所周知，台积电是迄今为止半导体行业中最具主导地位的公司之一，原因很简单，因为英特尔代工厂和三星等竞争对手在产品供应方面有所懈怠，这就使得这家台湾巨头可以充分利用不断涌现的需求。根据Ctee的报道，台积电预计到明年5纳米生产线的利用率将达到100%，理由是人工智能行业的需求将大幅上升。 这一进展充分显示了台积电在现代市场中的主导地位，不给竞争对手任何空间。台积电
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- 根据韩国三星证券初步的预测数据显示，三星3nm GAA制程的良率约为20%，比可达成大规模生产的建议值低了三倍。因订单量不足关闭代工生产线进入5nm制程时，三星晶圆代工业务就因为无法克服良率障碍而失去了高通骁龙 8 Gen 3的独家代工订单，高通的订单全给了台积电，同样上个月最新推出的3nm芯片骁龙 8 Gen 4也是由台积电代工。为了满足客户需求，三星并不坚持使用自家代工厂，即将发布的三星Galaxy 25系列手机全系酱搭载骁龙 8 至尊版芯片，放弃自研Exynos2500版本。目前在代工领域，台积电拿
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- 10月20日消息，据北京卫视消息，北京市经济和信息化局总经济师唐建国表示，小米公司成功流片国内首款3nm手机系统级芯片。所谓流片，就是像流水线一样通过一系列工艺步骤制造芯片，简单来说就是芯片公司将设计好的方案，交给晶圆制造厂，先生产少量样品，检测一下设计的芯片能不能用，根据测试结果决定是否要优化或大规模生产。为了测试集成电路设计是否成功，必须进行流片，这也是芯片设计企业一般都在前期需要投入很大成本的重要原因。此时的小米再次成功流片，距离上次小米澎湃S1发布，相隔了7年多时间。在2017年，小米澎湃S1正式
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- IT之家 10 月 15 日消息，小米中国区市场部副总经理、Redmi 品牌总经理王腾今日发文，解释了今年旗舰手机涨价的原因：一是旗舰处理器升级最新 3nm 制程，工艺成本大幅增加另一方面是内存经过持续一年的涨价，已经到了高点，所以大内存的版本涨幅更大王腾表示：“年底这一波旗舰定价都挺难的，每一款好产品都值得被鼓励。”IT之家注意到，王腾在这条微博评论区表示：“坚持价格厚道”“耐心等下，一定不让大家失望”。a10 月 10 日，王腾发文称：“Redmi 的旗舰新品详细梳理了一遍，这一代产品定位和
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- 9月24日消息，今天，联发科官方宣布将于10月9日举行新一代MediaTek天玑旗舰芯片新品发布会。本次发布会将发布天玑9400移动平台，这将是联发科最强悍的手机芯片，它首次采用台积电3nm工艺制程，是安卓阵营第一颗3nm芯片。不止于此，天玑9400首发采用Arm Cortex-X925超大核，这次为了突出CPU升级巨大，Arm专门更改了Cortex-X的命名规则，对比上代X4，Cortex-X925超大核性能提升36%，AI性能提升41%。GPU方面，天玑9400搭载最新的Mali-G925-Immor
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- 三星最新推出的Galaxy Watch 7，继续重新定义可穿戴技术的极限。这款最新型号承袭了其前身产品的成功之处，同时在性能、健康追踪和用户体验方面实现了重大突破。TechInsights在位于渥太华和华沙的实验室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在对其进行拆解和详细的技术分析。敬请期待我们对Galaxy Watch 7内部结构的深入分析，我们将揭示这款设备在智能手表领域脱颖而出的原因。 Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000处理器。这款最新的Exyn
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- 7月14日消息，据媒体报道，三星3nm工艺的Exynos 2500芯片研发取得显著进展。Exynos 2500的工程样品已经实现了3.20GHz的高频运行，这一频率不仅超越了此前的预期，而且比苹果A15 Bionic更省电，效率表现更为出色。此前，有关三星3nm GAA工艺良率过低的担忧一度影响了市场对Exynos 2500的信心，特别是在Galaxy S25系列手机的稳定首发方面。不过三星在月初的声明中，对外界关于3nm工艺良率不足20%的传闻进行了否认，强调其3nm GAA工艺的良率和性能已经稳定，产
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