NA技术资讯-电子产品世界网

4亿美元太贵！台积电仍拒绝购买ASML的High-NA EUV设备

目前，生产尖端半导体必不可少的EUV（极紫外）光刻设备由荷兰ASML独家供应，而台积电2nm工艺就是利用现有的EUV设备实现晶圆的大规模量产，并保持较高的良率。但随着推进到更先进的次2nm节点 —— 即1.4nm与1nm...

台积电 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2纳米时代的唯一道路

半导体行业正在重新评估其制造最先进芯片的长期路线图。高数字光圈(High-NA)光刻技术,曾被视为2 nm以下节点小型化的明确路径,现在正在与其他选项进行权衡。尽...

High-NA 2纳米 2025-09-18

SK海力士引入全球首台High-NA EUV设备

据SK海力士官方消息，2025年9月3日，该公司在韩国利川M16工厂成功引进了业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），并举行了设备入厂庆祝仪式。此次引进的设备为荷兰ASML公司开发的TWINSCA...

SK海力士 High-NA 2025-09-03

半导体巨头对high-NA EUV态度分化

据外媒报道，近期，一位匿名英特尔高层提出一种颇具争议的观点：未来晶体管设计，例如GAAFET和CFET架构，可能会降低芯片制造对先进光刻设备的依赖，尤其是对EUV光刻机的需求。这一观点无疑对当前芯片制造技术的核心模式提出...

半导体 high-NA EUV 2025-07-01

ASML研发5纳米分辨率Hyper NA光刻机

据外媒报道，ASML正与蔡司（Carl Zeiss）合作，启动研发分辨率可达5纳米的Hyper NA光刻机设备。ASML技术执行副总裁Jos Benschop表示，这种新型光刻机将满足2035年及之后的芯片制造需求。目前...

ASML 5纳米 2025-06-30

台积电仍在评估ASML的“High-NA”，因为英特尔未来会使用

全球最大的合同芯片制造商台积电制造股份有限公司（2330.TW）仍在评估何时将 ASML 的尖端高数值孔径（NA）机器用于其未来的工艺节点，一位高管周二表示。芯片制造商正在权衡这些价值近 4 亿美元的机器的速度和...

台积电 ASML 2025-05-28

三星已组建专注于1nm芯片开发的团队量产目标定于2029年

2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才...

三星 1nm 2025-04-10

英特尔：ASML首批两台High-NA EUV设备已投产

据路透社报道，半导体大厂英特尔近日表示，半导体设备大厂阿斯麦（ASML）的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，且早期数据显示，这些设备的性能比之前的机型更可靠。报道称，英特尔资深首席工程...

英特尔 ASML 2025-02-26

英特尔两台High NA EUV光刻机已投产，单季完成3万片晶圆

据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约...

英特尔 High NA EUV 2025-02-26

英特尔：首批两台High-NA EUV 设备已投产

英特尔24日表示，ASML首批的两台先进曝光机已投产，早期数据显示比之前机型更可靠。英特尔资深首席工程师 Steve Carson 指出，英特尔用ASML 高数值孔径（High NA）曝光机一季内生产 3 万片晶圆，即生...

英特尔 High-NA 2025-02-25

移远通信高性能5G-A模组RG650V-NA通过北美两大重要运营商认证

近日，全球领先的物联网整体解决方案供应商移远通信宣布，其旗下符合3GPP R17标准的新一代5G-A模组RG650V-NA成功通过了北美两家重要运营商认证。凭借高速度、大容量、低延迟、高可靠等优势，该模组可满足CPE...

移远通信 5G-A模组 2024-11-21

imec采用High-NA EUV技术展示逻辑与DRAM架构

比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后...

imec High-NA 2024-08-13

价值3.83亿美元！Intel拿下全球第二台High NA EUV光刻机

8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8...

Intel High NA EUV 2024-08-07

ASML第二台High-NA设备，即将导入英特尔奥勒冈厂

英特尔正接收ASML第二台耗资3.5亿欧元（约3.83亿美元）的新High NA EUV设备。根据英特尔8/1财报电话会议纪录，CEO Pat Gelsinger表示，英特尔12月开始接收第一台大型设备，安装时间需要数月...

ASML High-NA 2024-08-06

ASML或将Hyper-NA EUV光刻机定价翻倍，让台积电、三星和英特尔犹豫不决

ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机，业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案，计划在203...

ASML Hyper-NA EUV 2024-07-03

台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？

5月26日，台积电举办“2024年技术论坛台北站”的活动，台积电CEO魏哲家罕见的没有出席，原因是其秘密前往荷兰访问位于埃因霍温的ASML总部，以及位于德国迪琴根的工业激光专业公司TRUMPF。ASML CEO Chri...

台积电 ASML 2024-05-30

High-NA EUV光刻机或将成为英特尔的转机

上个月英特尔晶圆代工宣布完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。随后开始在Fab D1X进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。...

High-NA EUV 2024-05-09

High-NA EUV光刻机入场，究竟有多强？

光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；...

High-NA EUV 2024-04-03

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术

3 月 27 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，运行效率得以提升。根据...

ASM NXE:3800E EUV 2024-03-27

英特尔拿下首套High-NA EUV，台积电如何应对？

英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。相较之下，台积电则采...

英特尔 High-NA EUV 2024-01-08

ASML：数值孔径0.75超高NA EUV光刻设备2030年登场

据日本媒体报导，光刻机设备龙头阿斯麦（ASML）执行副总裁Christophe Fouquet近日在比利时imec年度盛会ITF World 2023表示，半导体产业需要2030年开发数值孔径0.75的超高NA EUV光...

ASML NA 2023-06-26

可穿戴与IoT用DC/DC：如何实现纳安级消耗电流？　

可穿戴等市场发展快。DC/DC转换器成为影响这些产品电池寿命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超轻载消耗电流只有180 nA，通过电路、布局和工艺实现。...

可穿戴 DC/DC 2018-03-29

电流-频率转换电路--1NA~100UA转0.1HZ~10KHZ

IIN/C1（V/S），1UA电流为10的负6次方/800*10的负12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的时间林约是9MS，频率为111HZ。实际上必须加上上升时间，所以振荡频率大约为100H...

100 0.1 2012-03-09

尼康NA超过1的液浸设备半导体商正式采用

　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半导体厂商供应用于55nm工艺（hp55）芯片制造、开口数（NA）为1.07的液浸ArF曝光设备“NSR-S609B”。这是全球首次供应NA超过1的液浸ArF曝光设备。 ...

NA 尼康 2006-02-21

NA