EEPW
技术应用
High-K究竟是什么神奇的技术?这要从处理器的制造原料说起。 由于二氧化硅(SiO2)具有易制性 (Manufacturability),且能减少厚度以持续改善晶体管效能,因此过去40余年来,处理器厂商均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。 当英特尔导入65纳米制造工艺时,虽已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1。2纳米,相当于5层原子,但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时,耗电和散热亦会同时增加,产生电流浪费和不必要的热能,因此若继续采用目前材料,进一步减少厚度,闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升,令缩小晶体管技术遭遇极限。
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