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  High-K究竟是什么神奇的技术?这要从处理器的制造原料说起。   由于二氧化硅(SiO2)具有易制性 (Manufacturability),且能减少厚度以持续改善晶体管效能,因此过去40余年来,处理器厂商均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。   当英特尔导入65纳米制造工艺时,虽已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1。2纳米,相当于5层原子,但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时,耗电和散热亦会同时增加,产生电流浪费和不必要的热能,因此若继续采用目前材料,进一步减少厚度,闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升,令缩小晶体管技术遭遇极限。

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4亿美元太贵!台积电仍拒绝购买ASML的High-NA EUV设备

台积电 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2纳米时代的唯一道路

High-NA 2纳米 2025-09-18

SK海力士引入全球首台High-NA EUV设备

SK海力士 High-NA 2025-09-03

半导体巨头对high-NA EUV态度分化

半导体 high-NA EUV 2025-07-01

台积电仍在评估ASML的“High-NA”,因为英特尔未来会使用

台积电 ASML 2025-05-28

英特尔:ASML首批两台High-NA EUV设备已投产

英特尔 ASML 2025-02-26

英特尔两台High NA EUV光刻机已投产,单季完成3万片晶圆

英特尔 High NA EUV 2025-02-26

英特尔:首批两台High-NA EUV 设备已投产

英特尔 High-NA 2025-02-25

imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构

imec High-NA 2024-08-13

价值3.83亿美元!Intel拿下全球第二台High NA EUV光刻机

Intel High NA EUV 2024-08-07

ASML第二台High-NA设备,即将导入英特尔奥勒冈厂

ASML High-NA 2024-08-06

台积电CEO秘访ASML,High-NA EUV光刻机竞赛提前打响?

台积电 ASML 2024-05-30

High-NA EUV光刻机或将成为英特尔的转机

High-NA EUV 2024-05-09

High-NA EUV光刻机入场,究竟有多强?

High-NA EUV 2024-04-03

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术

ASM NXE:3800E EUV 2024-03-27

英特尔是否正在垄断ASML HIGH NA光刻机?

英特尔 ASML 2024-01-11

英特尔拿下首套High-NA EUV,台积电如何应对?

英特尔 High-NA EUV 2024-01-08

SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革

SK海力士 High-k 2022-11-08

High-end A4监听音箱的制作

制作 音箱 2012-10-27

High-end A4监听音箱的制作方法

制作方法 音箱 2012-10-04

安森美ADS软件的 High-Q IPD工艺设计套件

安森美 ADS 2012-06-25

如何制作High-end A4监听音箱

监听 音箱 2011-12-24

Derive simple high-current source from lab sup

high-current Derive 2010-08-17

制作High-end A4监听音箱的方法

音箱 方法 2010-05-28

半导体设备业研发经费拮据 联盟关系将成救星

台湾晶圆厂选择 ASM 提供 High-k ALD工具

ASM high-k 2009-05-06

凌华推出High Speed Link延伸模块

High Link 2006-09-05

瑞昱推出High Definition 音讯转换芯片

High Definition 2006-03-13
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