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High-k

　　High-K究竟是什么神奇的技术？这要从处理器的制造原料说起。 　　由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理器厂商均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。 　　当英特尔导入65纳米制造工艺时，虽已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1。2纳米，相当于5层原子，但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时，耗电和散热亦会同时增加，产生电流浪费和不必要的热能，因此若继续采用目前材料，进一步减少厚度，闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升，令缩小晶体管技术遭遇极限。查看更多>>

High-k电路方案

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