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DRAM的 “打地鼠” 式安全危机

核心要点Rowhammer（行锤）仍是 DRAM 的主要安全威胁，Rowpress（行压）正成为新的相关威胁。内存控制器发出的新型刷新指令可缓解问题，但并非完美解决方案。更小的垂直结构 DRAM 单元有望从根本上消除...

DRAM 安全危机 2026-04-10

三星无惧DRAM崩盘恐慌：一季度涨价翻倍后，二季度再提价 30%

如今的内存市场，简直像维多利亚时代那位被焦虑裹挟的贵妇一样歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 领域：现货价格小幅回调，就引发了 “行业末日” 的唱衰论调，甚至连带股价大跌。但三星这类真正的行业巨头却始终淡定，并且铁...

三星 DRAM 2026-04-09

内存涨不停 Q2上看5成

TrendForce最新存储器产业研究指出，大厂逐步退出成熟DDR4以下产品制造的策略不变，在市场供给结构持续收敛下，过去几个月，整体价格已累积惊人涨幅。由于目前市场供需仍未平衡，市场普遍看好，内存报价涨势，至少将延伸...

内存 TrendForce 2026-04-08

DRAM合约价再度上涨30%

韩国媒体ETnews报道，三星在一季度将DRAM合约价上涨了100%之后，二季度的DRAM合约价将再度上涨30%。由于随着对AI基础设施投资的扩展，包括三星在内的主要内存制造商将产能集中在HBM上，通用DRAM的供应变得...

DRAM SK海力士 2026-04-07

美光CEO：DRAM供不应求将持续至2027年

4月2日，据外资投行摩根士丹利针对美光科技（Micron）的跟踪报告显示，美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投资人会议中透露，尽管美光正在加速扩产DRAM，但新产能最快要到2027年底才能出货。因此...

美光 DRAM 2026-04-03

长鑫科技IPO最新进展

根据上交所官网披露的信息显示，国产DRAM巨头长鑫科技科创板IPO审核状态变更为“中止”，引起市场关注。关于此次“中止”，上交所给出的说明为“长鑫科技集团股份有限公司因发行上市申请文件中记载的财务资料已过有效期，需要补充...

长鑫科技 IPO 2026-04-02

存储市场超级周期来临：AI 驱动下的机遇、挑战与产业重构

存储器行业固有的 boom-bust 周期魔咒、供应链重构压力、技术迭代挑战以及全球产业格局的重新洗牌，也让这场繁荣背后暗藏多重考验。...

存储市场超级周期 2026-03-27

“黄金气体”短缺成为半导体供应链新危机

中东冲突的蔓延正通过氦气短缺影响半导体供应链。伊朗对全球主要氦气生产国卡塔尔的设施发动袭击，导致现货价格翻番，并加剧了合同压力。氦气在晶圆刻蚀中不可替代，这对芯片生产构成重大风险，尤其对三星电子和SK海力士等韩国企业造成...

半导体芯片 2026-03-26

闪迪10亿美元入股南亚科技，强化DRAM供应链合作

据彭博社报道，存储芯片巨头闪迪（Sandisk）旗下子公司闪迪科技（Sandisk Technology）近日通过私募配售方式，以10亿美元收购南亚科技1.39亿股股份，占其流通普通股比例约3.9%。南亚科技...

闪迪南亚科技 2026-03-26

三星面临大罢工，存储价格或加速上涨

最新消息，由超过6.6万名韩国三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。若无重大变化，三星电子工会成员将于5月21日至6月7日全面罢工。据悉，本次罢工将是三星史上最大规模的罢工计划。关键诉求：...

三星存储 2026-03-19

Q1 DRAM再涨180%，NAND涨150%

据韩媒Chosun Biz、韩联社等援引市调机构Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度，64GB服务器级DRAM模块（RDIMM）DDR5价格较2025年第四季度上涨150%，移动终端用1...

DRAM NAND 2026-03-17

全球首款1c LPDDR6，来了

SK 海力士宣布，已成功开发基于第六代 10 奈米级（1c）制程技术的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，该产品已完成全球首度 1c LPDDR6 验证，预计今年上半年完成量产准备，并于下半年开始供货。LPDD...

SK 海力士 LPDDR6 DRAM 2026-03-13

应用材料与美光、SK海力士合作

随着人工智能热潮推动存储需求增长，半导体设备制造商在收获红利的同时，也在加深与头部存储厂商的合作。据路透社报道，应用材料（Applied Materials）已与美光科技（Micron）、SK 海力士达成合作，共同开发对...

应用材料美光 2026-03-12

应用材料携手美光加速HBM、闪存及DRAM技术研发

应用材料公司今日宣布，正与美光科技展开合作，研发新一代动态随机存取存储器、高带宽内存及闪存解决方案，以提升人工智能系统的高能效表现。双方整合了应用材料位于硅谷的 EPIC 创新中心的先进研发能力，以及美光位于爱达荷州博伊...

应用材料美光 2026-03-11

存储涨价后遗症来了

此前，国家发改委价格监测中心发文称，2025 年 9 月至今，受需求「爆发式」增长、产能「断崖式」紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨，近 1 个月多以来，涨幅呈现扩大态势，建议关注存储芯片对下游...

DRAM Flash 2026-03-10

存储器现货价格最新动态：DRAM 现货价高于合约价，二季度议价前市场情绪谨慎

DRAM 平均现货价格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，涨幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→3...

存储器 DRAM 2026-03-05

内存价格迈入小时级波动，中小厂商争抢剩余货源艰难求生

人工智能引发内存供应危机，DRAM 市场被迫启用 “小时级定价” 模式 —— 数万家中小企业为生存展开激烈争夺逾 19 万家中小型电子企业正被人工智能浪潮挤出内存市场。据《电子时报》今日发布的报道，受人工智能需求激增引发...

内存 DRAM 2026-03-04

三星和SK海力士将继续大幅提高DRAM价格

据报道，全球前两大DRAM芯片大厂三星和SK海力士已向客户发出通知，今年第二季度将继续大幅提高DRAM价格。而具体的涨价幅度则因客户而异，但中小型客户可能将不得不接受大幅涨价以确保DRAM供应。这一波DRAM价格的持续上...

三星 SK海力士 2026-03-03

DDR5颗粒拟涨40%，Q2 DRAM价格或翻倍

据中国台湾媒体报道，SK海力士和三星两大内存巨头接连传出涨价消息，DDR5内存颗粒价格拟上调40%，第二季度DRAM价格或将翻倍。内存模组厂商已暂停对外报价，等待成本重新核算。据中国台湾《PCDIY！》资深记...

DDR5 DRAM 2026-02-28

存储芯片价格持续攀升，DRAM和NAND再创新高

据市场研究公司DRAMeXchange于2月27日发布的数据显示，DRAM和NAND闪存芯片的价格继续同步上涨，其中DRAM价格再次创下历史新高，达到13美元，而NAND闪存价格涨幅超过33%。自去年4月以来，通用DRA...

存储芯片 DRAM 2026-02-28

存储价格将继续上涨

随着AI服务的进步，需求不断增长，而供应仍然有限，分析师预计今年内存价格的上涨趋势将持续。一些人认为，市场已经进入了供应商主导的阶段。目前，SK海力士的DRAM和NAND库存已降至约四周的供应量。稳健的库存管理和紧张的供...

存储 NAND 2026-02-24

华邦电子预计DRAM价格到2026年6月将暴涨近4倍，产能已预订至2027年

AI应用持续推动内存需求激增，昨日华邦电子（Winbond）在法说会上指出，DRAM供应紧张已成为当前焦点。据《经济日报》报道，公司表示DRAM短缺将持续存在，本季度内存价格预计将飙升90%–95%，而下一季度的涨幅有望...

华邦 DRAM 2026-02-12

如何走出DRAM短缺困境？

如今科技领域似乎一切都围绕AI展开，而事实也的确如此。在计算机内存市场，这一点体现得尤为明显。为AI数据中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求极其旺盛、利润空间巨大，导致原本用于其他领域的内存产能被分流，价格也...

DRAM GPU 2026-02-12

英特尔重返 DRAM 赛道？深入解析与软银合作的 Z-Angle 内存项目

2 月 2 日，英特尔宣布与软银子公司 SAIMEMORY 达成合作，共同研发 Z-Angle 内存（ZAM），其内存领域的野心再度引发关注。根据双方发布的新闻稿，该项目将于 2026 年第一季度启动，预计 2027 年...

英特尔 DRAM 2026-02-04

电动车企成本的“完美风暴”正在形成

瑞银在最新研报中称，随着2026年初刺激政策的全面退潮和5%购置税的征收，需求端本就疲软。然而，供给端却迎来了大宗商品（铜、铝、锂）和关键零部件（存储芯片DRAM）价格的剧烈反弹。据该行测算，一辆典型的中型智能电动车的成...

电动车 DRAM 2026-02-03

上调100%！存储市场又一重磅调价信号

三星今年第一季度对NAND闪存的供应合约价格已上调超过100%，目前客户已收到通知。据行业知情人士透露，三星去年底已经完成了与主要客户的供应合同谈判，从一月起正式实施新的价格体系。另外，SK海力士也对NAND产品采取了类...

存储 NAND 2026-01-27

瑞银示警：DRAM短缺逼近汽车业 2大品牌最危险

生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半导体产业，却可能为汽车供应链埋下新的不确定性。瑞银最新发布的全球汽车产业研究报告警告，受AI服务器需求暴增影响，DRAM产能正大幅向高带宽记忆体（HBM）倾斜，导致汽车级存储器面临价...

瑞银 DRAM 2026-01-23

内存现货价格更新：DRAM飙升，卖家压制库存，主流DDR4上涨10%

根据TrendForce最新的记忆现货价格趋势报告，关于DRAM的现货价格持续日复一日上涨，尽管交易依然低迷，供应商和交易员囤积库存，推动主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均价格上涨9.64%。与此同时，在N...

DDR4 DRAM 2026-01-19

2026年全球DRAM供应仍将严重不足

据韩媒Chosun Biz援引市调机构Omdia数据，2026年三星电子的DRAM晶圆产量预计为793万片，较2025年的759万片增长约5%。SK海力士的DRAM产量则预计将从2025年的597万片提升至2026年的6...

DRAM 供应 2026-01-15

华硕预告视频展示了即将推出的AM5“Neo”主板——更新可能包括新的AIO接口、M.2升级以及NitroPath DRAM支持超高速DDR5

华硕发布了一段18秒的预告视频，展示了其即将推出的Neo主板，旨在与市场上最好的主板竞争。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本将为AMD的AM5平台带来显著...

AM5“Neo”主板华硕Neo主板 2025-12-30

据报道，AI将在2026年消耗全球DRAM晶圆容量的20%，HBM和GDDR7引领需求

随着人工智能基础设施的逐步扩充，内存供应紧张，价格飙升。《商业时报》援引行业专家的话，预测云高速内存消耗到2026年可能达到3艾字节（EB）。值得注意的是，考虑到高速内存如HBM和GDDR7的“等效晶圆使用量”，报告警告...

AI DRAM 2025-12-30

三星发布与InGaO合作的亚10纳米DRAM突破，据报道关注0a/0b的采用

三星电子于7月完成了6代10纳米级工艺的1代1c DRAM开发后，现正推进下一代DRAM技术。据The Elec报道，三星与三星先进技术研究院（SAIT）发布了一种实现亚10纳米DRAM的新方法，可能适用于0a和0b D...

三星 DRAM 2025-12-18

三星CEO据报道将就紧张的移动DRAM供应问题，罕见的参加CES会议

在内存价格急剧上涨的背景下，即使是三星也感受到了压力，尽管三星内部拥有强大容量。DealSite透露，三星电子DX部门CEO兼负责人卢泰文将在2026年1月6日至9日在拉斯维加斯举行的CES 2026开幕日会面美光CEO...

三星存储 2025-12-15

SK海力士探索高带宽存储堆叠 NAND 和 DRAM

在巩固其在 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士正在与 SanDisk 合作开发高带宽 NAND 闪存（HBF），该闪存通过 NAND 增强 HBM，用于 AI 推理工作负载。与此同时，据报道，该公司正在探索更广泛的...

SK海力士高带宽 2025-11-11

研调上修本季DRAM涨幅上看23%

记忆体价格涨势持续升温，第四季DRAM市场可望迎来全面上修。 TrendForce最新调查指出，全球云端服务供应商（CSP）积极扩建数据中心，带动服务器用DRAM合约价走强，供应商同步调高报价意愿，使一般型DRAM价格预...

DRAM TrendForce 2025-10-30

为什么存内计算对边缘AI如此重要

在流行媒体中，“AI”通常意味着在昂贵、耗电的数据中心中运行的大型语言模型。但是，对于许多应用程序，在本地硬件上运行的较小模型更适合。自动驾驶汽车需要实时响应，没有数据传输延迟。医疗和工业应用通常依赖于无法与第三方共享的...

存内计算边缘AI 2025-10-27

美光正式送样业界高容量 SOCAMM2 模组，满足 AI 数据中心对低功耗 DRAM 的需求

2025年 10 月 23 日，爱达荷州博伊西市 — 在当今时代，人工智能（AI）实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。随着内存在 AI 系统中逐渐发挥越来越重要的...

美光 SOCAMM2 2025-10-24

DRAM老三SK的大逆袭！专家揭称霸全球关键技术

在人工智能（AI）热潮带动下，全球存储器市场迎来三年来最强劲的复苏，第四季DRAM报价涨幅可望扩大至三成以上。财信传媒董事长谢金河指出，韩国SK海力士凭借高带宽记忆体（HBM）技术脱颖而出，从过去的DRAM老三跃升为全...

DRAM SK海力士 2025-10-13

内存模组厂十一长假大盖牌！消费性DRAM暂停报价

DRAM缺货潮加速显现，在中国十一长假期间，存储器市场询单备货的动能不增反减，短期内现货价格持续飙升。近一周来，DDR4 DRAM涨幅已逾1成，DDR5 16Gb也调涨约8%。尽管终端消费市场需求平淡，但各家存储器模组...

内存模组 DRAM 2025-10-10

因涉嫌向中国泄露DRAM技术被捕的三星、海力士前高管获保释

据悉，三星电子和海力士半导体（现SK海力士）前高管崔振锡因向中国泄露三星电子自主研发的投资4万亿韩元的DRAM工艺技术而被起诉，在接受一审期间被保释。首尔中央地方法院刑事24庭（主审法官李英善，高级法官）15日批准崔某保...

DRAM 三星 2025-09-29