瑞银示警：DRAM短缺逼近汽车业 2大品牌最危险

生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半导体产业，却可能为汽车供应链埋下新的不确定性。 瑞银最新发布的全球汽车产业研究报告警告，受AI服务器需求暴增影响，DRAM产能正大幅向高带宽记忆体（HBM）倾斜，导致汽车级存储器面临价格上涨与供应短缺的双重压力，相关冲击预计将自2026年第二季开始逐步浮现。

瑞银指出，全球三大DRAM供应商三星电子、SK海力士与美光，为追求更高的毛利率，已明确将产能重心转向AI服务器所需的HBM产品，由于汽车级DDR内存与AI芯片共享有限的硅晶圆产能，HBM产能快速扩张，势必排挤车用DRAM的供给空间。 报告显示，截至目前DRAM价格已累计上涨超过100%，且涨势预料将持续传导至汽车级产品，进一步加剧供应吃紧的风险。

在成本压力快速升温下，汽车零组件供应商的获利能力首当其冲。 瑞银透过财务模型测算，在基准情境下，假设DRAM价格上涨120%，且零组件供应商可向整车厂（OEM）回收80%的成本，2026年零组件供应商的EBIT（息税前盈余）将下滑约5%至6%; 若进入更悲观的极端情境，DRAM涨幅扩大至200%，且成本回收比例降至50%，EBIT跌幅恐高达24%，获利缩水规模接近原本的一半。

瑞银进一步指出，电子与ADAS（先进驾驶辅助系统）业务占比较高的零组件供应商，将面临更高的曝险。 以欧美市场为例，Visteon与Aumovio（原大陆集团汽车业务）相关业务比重超过50%，被点名为最直接承压的企业。

对整车厂而言，DRAM成本占整车售价的比重虽仍有限，但随着智慧座舱与高阶自动驾驶功能快速普及，单车DRAM含量已提升至25至150美元，高端车款甚至更高。 瑞银指出，采用集中式计算架构的新势力与高端品牌车厂，如特斯拉与Rivian，因对内存容量需求更高，未来面临的成本波动风险亦相对突出。

报告认为，此次潜在危机的根本原因，在于全球半导体资源重新分配，与汽车产业技术转换节奏之间出现错配，一方面，AI服务器对HBM的需求自2025年起急速攀升; 另一方面，汽车产业正处于从DDR4、LPDDR4等旧世代技术，转向DDR5的过渡期，但车用芯片的测试、验证与导入流程往往需要两年以上，导致2026至2027年间，旧技术产能逐步退出、新技术尚未全面到位，可能形成所谓的「技术断层」。

瑞银强调，现有库存与长期采购合约仅能提供短期缓冲，长期解方仍有赖2028年后的新一代产品重新设计，从产业面来看，2026年全球DRAM产业收入预估将年增148.4%，达366亿美元，显示供需紧张态势短期内恐难以缓解，汽车产业势必得提前为下一波内存风险做好准备。