英特尔重返 DRAM 赛道？深入解析与软银合作的 Z-Angle 内存项目

2 月 2 日，英特尔宣布与软银子公司 SAIMEMORY 达成合作，共同研发 Z-Angle 内存（ZAM），其内存领域的野心再度引发关注。根据双方发布的新闻稿，该项目将于 2026 年第一季度启动，预计 2027 年推出原型产品，2030 年实现全面量产。

在此次合作中，英特尔将提供技术与创新支持，SAIMEMORY 则主导产品研发与商业化进程。《日本电子工程时报》援引软银发言人的表述称，“ZAM” 中的 “Z” 代表 Z 轴，研发团队正考虑采用垂直堆叠结构设计。报道还提到，软银计划在 2027 财年完成原型开发前，投入约 30 亿日元资金。

值得关注的是，华尔街见闻指出，这并非英特尔首次涉足内存领域。这家蓝色巨人（Team Blue，英特尔昵称）曾在 1970 年推出全球首款商业化成功的 DRAM 产品，巅峰时期占据全球近 90% 的市场份额，后因持续亏损于 1985 年退出该赛道。

如今，核心疑问浮出水面：是什么促使英特尔选择回归？其新一代 DRAM 键合技术（NGDB）与全新内存堆叠方案究竟有何亮点？

技术细节曝光

据英特尔介绍，SAIMEMORY 正在研发一种堆叠式 DRAM 架构，目标性能超越当前的高带宽内存（HBM）标准。该技术旨在提升内存容量、降低功耗并增强封装能力，解决人工智能（AI）系统规模化发展中的关键瓶颈问题。

这一研发背后的技术基础之一，源自英特尔与桑迪亚国家实验室（Sandia National Laboratories）的长期合作。因此，桑迪亚国家实验室 1 月发布的最新进展，为我们揭开了英特尔新一代 DRAM 键合技术（NGDB）的神秘面纱。

桑迪亚实验室解释称，当前的高带宽内存（HBM）往往以牺牲容量等其他性能为代价换取带宽提升；而 NGDB 技术则致力于打破这种性能权衡，填补 HBM 与传统 DDR DRAM 之间的性能鸿沟，同时实现显著更高的能效比。

英特尔发布的剖面图显示，NGDB 测试组件采用了非常规设计：该公司已制备 4 个 NGDB DRAM 测试组件用于评估，每个组件均以一层基底为基础，上方垂直堆叠 8 层 DRAM 芯片。

桑迪亚实验室表示，该项目不仅研发了全新的堆叠方案，还打造了新型 DRAM 架构。早期原型产品已验证该组装方式能够突破现有内存容量限制，而最新原型则通过这种新型堆叠技术，实现了功能完整的 DRAM 运行。

“此次演示证实，NGDB 系列技术可整合应用，打造出适合大规模量产的高性能内存产品。” 桑迪亚国家实验室技术人员核心成员格温・沃斯奎伦（Gwen Voskuilen）表示。

英特尔的野心

华尔街见闻指出，若说与桑迪亚国家实验室的合作奠定了技术基础，那么与软银的联手则是英特尔在 DRAM 赛道上迈出的关键一步，标志着其商业化路径更加清晰。

据日经新闻报道，SAIMEMORY 计划研发的内存产品，容量将达到现有 HBM 的 2-3 倍，功耗降低最高 50%，而成本则保持相当或更低水平。华尔街见闻补充道，通过垂直堆叠多片 DRAM 芯片，并借助英特尔的嵌入式多芯片互连桥接技术（EMIB）优化互连性能，该产品目标实现：内存容量较当前高端解决方案翻倍（单芯片最高可达 512GB）、功耗降低 40%-50%、量产成本控制在 HBM 的 60% 左右。

华尔街见闻分析称，尽管挑战仍存，但 SAIMEMORY 这种低功耗、差异化的技术路线，对英特尔而言具有切实潜力 —— 有望帮助其在边缘计算和中小型 AI 服务器领域抢占竞争优势，甚至重塑内存行业的技术发展路线。

在行业蓬勃发展与压力日益加剧的双重背景下（CPU 市场竞争白热化、晶圆代工业务亏损、AI 芯片性能落后于竞争对手），华尔街见闻进一步指出，英特尔或许将此次合作视为重新定义增长轨迹、抢占 AI 内存浪潮先机的关键机遇。 

Z-Angle 内存（ZAM）项目核心信息表

（图片来源：英特尔、桑迪亚国家实验室）