全球首款1c LPDDR6，来了

SK 海力士宣布，已成功开发基于第六代 10 奈米级（1c）制程技术的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，该产品已完成全球首度 1c LPDDR6 验证，预计今年上半年完成量产准备，并于下半年开始供货。

LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一种主要应用于智能手机与平板等行动装置的低功耗 DRAM 标准，通过低电压运作降低能源消耗。

SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要锁定 On-device AI 应用，例如智能手机、平板电脑等终端设备。与通过云端伺服器运算的 AI 不同，On-device AI 可直接在装置端完成资料处理，提升反应速度并提供更个人化的 AI 服务。

在效能方面，该产品通过扩大频宽与提升单位时间资料传输量，使资料处理速度较前一代 LPDDR5X 提升约 33%，基础运作速度超过 10.7Gbps。在功耗方面，通过导入 Sub-channel 子通道架构与 DVFS（Dynamic Voltage and Frequency Scaling）技术，功耗较前一代产品降低 20% 以上。

其中，Sub-channel 架构可仅启用必要的资料通道，而 DVFS 技术则能依据晶片运作环境动态调整电压与频率，在高负载情境下提供最大频宽，在一般使用时则降低功耗。SK 海力士指出，相关设计有助于延长行动装置电池续航时间，同时提升多工处理效能。

SK 海力士：内存上行周期预计将比预期更长

据追风交易台，摩根大通于 2026 年 3 月 8 日发布研报，记录了 SK 海力士管理层在摩根大通韩国大会上的核心表态。摩根大通维持对 SK 海力士的增持评级，目标价为 125 万韩元，较当前股价（92.6 万韩元）隐含约 35% 的上行空间。

对投资者而言，本次大会传递出以下几个关键信号：

内存上行周期持续时间将超出市场预期，供需缺口在 DRAM 和 NAND 两端均十分严峻；

HBM 业务保持强劲领导地位，HBM4 量产时间表未变，盈利能力目标维持与去年持平；

龙头厂商战略重心转向"工厂优先"，约 22 万亿韩元的基础设施资本开支计划彰显长期扩产决心；

股东回报力度加大，公司已于 2026 年 1 月宣布 1 万亿韩元特别股息及库存股注销计划，释放积极信号。

上行周期持续时间将超预期

SK 海力士管理层在大会上系统阐述了内存上行周期有望延续更长时间的多重驱动因素：

定制化内存解决方案的崛起：以 HBM（高带宽内存）为代表的定制化产品正在重塑内存市场格局；HBM 带来的晶圆与供给经济学变化：由于"晶圆到芯片损耗"（wafer-to-die penalty）概念的存在，HBM 消耗了更大比例的产能。

AI 推理需求向传统 DRAM/NAND 延伸：AI 应用场景的扩展正在将内存需求从高端 HBM 向常规 DRAM 和 NAND 拓展。

在供需层面，管理层明确表示，DRAM 和 NAND 两端均面临严重的供需缺口，价格上涨趋势预计在可预见的未来将持续。目前供应商及渠道客户的库存均低于平均水平，出货量比特增长与产量比特增长基本持平。

本次大会上，投资者对长期供货协议（LTA）及周期持续性表现出浓厚兴趣。管理层将当前内存行业定性为商业模式转型阶段，并将维持内存上行周期视为首要战略优先级。

在 LTA 框架方面，管理层强调：更具约束力的双边协议对于提升收入和现金流可见性至关重要；关键考量因素包括锁定供货量以及价格区间，以确保供货合同的可预期性；LTA 通常为多年期协议（超过三年）；

摩根大通判断，SK 海力士正采取更为均衡的 LTA 策略，在 B2B 与 B2C 客户结构之间寻求平衡，同时保持相对保守的定价策略。

SK 海力士重申了今年整体 HBM 业务计划，HBM4 量产爬坡时间表保持不变（摩根大通预计 HBM4 比特出货量将在 2026 年第三季度实现交叉）。

公司对维持 HBM 业务领导地位展现出强烈信心，主要依托：与生态系统合作伙伴的深度协作，包括与一家领先晶圆代工厂商在逻辑芯片设计与制造方面的合作；清晰的技术路线图可见性。

在定价方面，SK 海力士重申 HBM 比特出货量和定价均按年度谈判，目标是维持与去年相近的盈利水平。尽管 D5/LPD5 价格自 2025 年第四季度以来出现大幅反弹，公司认为 2026 年合同量几乎不存在重新议价的可能性。