麻省理工学院和其他地方的研究人员开发了一种新的制造工艺，将高性能 GaN 晶体管集成到标准硅 CMOS 芯片上来自麻省理工学院网站：他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微小的晶体管，切出每个单独的晶体管，然后使用低温工艺将所需数量的晶体管键合到硅芯片上，以保持两种材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此产生的器件可以从紧凑的高速晶体管中获得显著的性能提升。此外，通过将 GaN 电路分离成可以分布在硅芯片上的分立晶体管，新技术能够降低整个系统的温度。研究人员使用这种
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3D芯片 电子设备 GaN
在功率半导体领域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高临界电场强度和优异的热导率，被广泛应用于新能源汽车、智能电网和轨道交通等高压高频场景。然而，如何在确保击穿电压（BV）的同时优化导通电阻（Ron），一直是行业亟待解决的难题。近日，复旦大学研究团队在这一领域取得重要突破。据复旦大学研究团队透露，他们基于电荷平衡理论，通过对离子注入工艺的深度优化，成功设计并制备出正交结构和平行结构两种布局的1.7kV 4H-SiC电荷平衡辅助SiC MOSFET器件。实验数据显示，这两种新型器件在维持约2.0kV击
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复旦大学 SiC MOSFET器件
类人机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。类人机器人内空间受限最大的子系统是伺服控制系统。为了实现与人类相似的运动范围，通常在整个机器人中部署大约40个伺服电机 (PMSM) 和控制系统。电机分布在机器人身体的不同部位，例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作，单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源要求取决
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TI GaN FET 类人机器人
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，本文将重点介绍Cascode结构。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。然而，开关模式在应用中通常需要常关状态。因此，将SiC JFET与低电压硅M
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SiC 共源共栅 cascode 安森美
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型
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ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。 该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流负载的应用场景。本文为第一部分，将介绍SiC Combo JFET 技术概览、产品介绍等。SiC Combo JFET 技术概览对于需要常关器件的应用，可以将低压硅（Si） MOSFET与常开
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安森美 SiC Combo JFET
本文阐释了在开关模式电源中使用氮化镓(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案，可提供必要的功能，打造稳固可靠的设计。此外，本文还建议将LTspice®作为合适的工具链来使用，以便成功部署GaN开关。
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开关电源 SMPS 氮化镓 GaN ADI
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。应用背景近年来，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借高开关频率、低开关损耗的显著优势，能够大幅提升电源系统的功率密度，明显优化能效表现，降低整体系统成本，在人工智能(AI)数据中心电源、微型逆变器、车载充电机(OBC)等高压大功率领域得到日益广泛的应用。然而，GaN器件在实际应用中仍面临诸多
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纳芯微 高压半桥驱动 E-mode GaN
新的基于 GaN 的架构将使海量数据的通信和传输变得更加容易。
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GaN
根据 MoneyDJ 援引日经新闻的一份报告，电动汽车 （EV） 市场增长放缓，加上中国制造商增产导致供应过剩，导致价格下跌，据报道，这促使日本半导体巨头瑞萨电子放弃了生产电动汽车碳化硅功率半导体的计划。日经新闻指出，瑞萨电子最初计划于 2025 年初在其位于群马县的高崎工厂开始生产用于电动汽车的 SiC 功率芯片。然而，该公司此后解散了高崎工厂的 SiC 团队。日经新闻补充说，预计与中国竞争对手的价格竞争将在中长期内加剧，这使得瑞萨电子作为后来者很难从 SiC 芯片生产中快速获利。根
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价格战 Wolfspeed 瑞萨电子 SiC
据日本媒体《日刊工业新闻》报道，据报道，总部位于美国的碳化硅晶圆生产商 Wolfspeed 正在申请第 11 章破产保护。报告指出，这一发展促使日本公司（包括与 Wolfspeed 签订了 10 年供应协议的瑞萨电子以及 Rohm）重新评估其战略计划。正如日刊工业新闻所说，瑞萨电子可能会受到影响，因为其与 Wolfspeed 于 2023 年签署了 20 亿美元的预付款 10 年碳化硅晶圆供应协议。报告指出，如果 Wolfspeed 根据美国破产法第 11 章申请破产保护，瑞萨电子可能
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Wolfspeed 破产 瑞萨电子 SiC
功率半导体研究实验室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了将电流传感器集成到电源模块中的概念验证，该模块旨在用于电动汽车牵引逆变器和 DC-DC 转换器。该实验室表示，这项技术可以提高效率，同时减小牵引逆变器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大电流电力电子设备的尺寸和重量。新功率模块的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 设计的非接触式、无磁芯电流传感器。新芯片取代了当今许多电动汽车中部署的基于磁芯的电流传
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电流传感器 EV SiC 功率模块
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体
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东芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
中国功率芯片开发商泰克天润（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技术专利申请排名中面临东芝的挑战。法国分析机构 KnowMade 的最新数据显示，2025 年第一季度全球申请了 840 多个新专利族。本季度的专利申请活动以东芝在 SiC 功率器件专利领域的加速发展为标志，以匹配 Global Power Technology的专利数量。这家中国公司在过去四个季度一直是排名靠前的专利申请人，几乎完全专注于 SiC MOSFET 结构的设计。第一季度授予了 420 多个
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东芝 SiC 专利申请 泰科天润
美国马萨诸塞州沃尔瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一轮新的 $8.2m 短期投资，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 领投，技术合作伙伴 GlobalFoundries 战略参与。Finwave 认为，新一轮融资表明投资者和行业领导者对其独特的硅基氮化镓技术的市场潜力充满信心，因为它正在从以技术为中心的创新者转变为产品驱动型公司。这家科技公司由麻省理工学院 （MIT） 的研究人员于 2012
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Finwave 短期投资 GaN FinFET
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