英飞凌300毫米GaN制造路线图的进展

随着对 GaN 半导体的需求持续增长，Infineon Technologies AG 已准备好利用这一趋势，巩固其作为 GaN 市场领先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，该公司宣布其在 300 毫米晶圆上的可扩展 GaN 制造正在按计划进行。随着 2025 年第四季度向客户提供第一批样品，该公司已做好充分准备来扩大其客户群并巩固其作为领先 GaN 巨头的地位。

作为电力系统的领导者，该公司掌握了所有三种相关材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半导体具有更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗，可实现更小的设计，从而减少智能手机充电器、工业和人形机器人或太阳能逆变器等电子设备的能耗和热量产生。

英飞凌氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“我们全面扩大的300毫米氮化镓制造将使我们能够更快地为客户提供最高价值，同时朝着同类硅和氮化镓产品的成本平价迈进。在英飞凌宣布在300毫米氮化镓晶圆技术方面取得突破近一年后，我们很高兴我们的过渡过程进展顺利，并且业界已经认识到英飞凌氮化镓技术的重要性，这得益于我们的IDM战略。

该公司的制造战略主要依赖于 IDM 模型，该模型涉及拥有从设计到制造和销售最终产品的整个半导体生产过程。其内部制造战略是市场的关键差异化因素，具有多项优势，例如高质量、更快的上市时间以及卓越的设计和开发灵活性。它致力于支持其 GaN 客户，并可以扩展产能以满足他们对可靠 GaN 电源解决方案的需求。

凭借其技术领先地位，该公司已成为第一家在其现有的大批量制造基础设施中成功开发 300 毫米 GaN 功率晶圆技术的半导体制造商。与现有的 200 毫米晶圆相比，在 300 毫米晶圆上生产芯片在技术上更先进，效率更高，因为更大的晶圆直径允许每个晶圆生产 2.3 倍的芯片。随着 GaN 功率半导体迅速应用于工业、汽车、消费以及计算和通信应用，例如 AI 系统的电源、太阳能逆变器、充电器和适配器或电机控制系统，需要这些增强的功能，再加上公司庞大的 GaN 专家团队和业界最全面的 IP 组合。