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英飞凌加速氮化镓布局,引领低碳高效新纪元

  • 近年来,随着科技的不断进步和全球对绿色低碳发展的需求日益增长,半导体行业迎来了前所未有的发展机遇。氮化镓(GaN)作为一种新型半导体材料,以其高功率、高效率、耐高温等特性,在消费电子、电动汽车、可再生能源等多个领域展现出巨大的应用潜力。作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,英飞凌在氮化镓领域持续深耕,通过战略布局、技术创新、市场应用拓展等不断巩固其市场地位。近日,英飞凌在上海慕尼黑展会期间举办了一场专门的氮化镓新品媒体沟通会,会上英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛先生以及英飞凌科技
  • 关键字: 氮化镓  英飞凌  GaN Systems  

氮化镓为何被如此看好,能否替代硅基材料大放异彩?

  • 氮化镓材料相较于硅基材料,显著优势体现在节能、成本节约及材料省用上。其核心亮点在于其超快的开关速度,在硅、碳化硅与氮化镓三者中独占鳌头。这一特性直接促进了开关频率的大幅提升,进而允许大幅缩减被动元器件及散热器的尺寸与数量,有效降低了物料消耗,彰显了氮化镓在物料节省方面的卓越能力。此外,在效率层面,氮化镓与碳化硅并驾齐驱,通过实现极低的导通阻抗(即单位面积上可达到的最小电阻),相较于硅材料实现了数量级的优化。这种高效的导电性能,是氮化镓提升系统效率的关键所在。综合上述两方面优势,氮化镓的应用不仅促进了系统性
  • 关键字: 氮化镓  GaN    

碳化硅模块在太阳能逆变器中的应用

  • 碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关,具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应用的理想之选。
  • 关键字: 202407  太阳能  PV  SiC FET  宽带隙  碳化硅  光伏  

氮化镓(GaN)的最新技术进展

  • 本文要点• 氮化镓是一种晶体半导体,能够承受更高的电压。• 氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。• 氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是两种宽禁带半导体,彻底改变了传统电力电子技术。氮化镓技术使移动设备的快速充电成为可能。氮化镓器件经常用于一些转换器和驱动器应用氮化镓是一种晶体半导体,能够承受更高的电压。通过氮化镓材料的电流比通过硅半导体的电流速度更快,因此处理速度也更快。本文将探讨氮化镓材料以及氮化镓技术如何颠覆整个行业。氮化
  • 关键字: GaN  

Guerrilla RF宣布收购Gallium GaN技术

  • 近期,Guerrilla RF宣布收购了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模块产品组合。Guerrilla RF表示,通过此次收购,公司获得了Gallium Semiconductor 所有现有的元件、正在开发的新内核以及相关知识产权(IP)。公司将为无线基础设施、军事和卫星通信应用开发新的GaN器件产品线并实现商业化。Guerrilla RF官方经销商Telcom International的一位员工表示,公司计划向韩国市场供应Guerrilla RF的射频晶体管,并将其
  • 关键字: Guerrilla RF  Gallium GaN  

纯晶圆代工厂格芯收获一家GaN研发商

  • 7月1日,纯晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)宣布已收购Tagore专有且经过生产验证的功率氮化镓(GaN)技术及IP产品组合,以突破汽车、物联网和人工智能(AI)数据中心等广泛电源应用的效率和性能界限。资料显示,无晶圆厂公司Tagore成立于2011年1月,旨在开拓用于射频和电源管理应用的GaN-on-Si半导体技术,在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。格芯表示,此次收购进一步巩固公司对大规模生产GaN技术的决心,该技术提供多种优势,可帮助数据中心满足不断增长的电力需求,
  • 关键字: 晶圆代工  格芯  GaN  

瞻芯电子:第三代SiC MOSFET通过车规认证

  • 6月23日,瞻芯电子宣布,公司基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品已经通过车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证。同时,瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产,后续将依托浙江义乌的车规级SiC晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。瞻芯电子成立于2017年,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品。瞻芯电子表示,第三代1200V 13
  • 关键字: 瞻芯电子  SiC  MOSFET  车规认证  

台达电子与TI成立创新联合实验室,瞄准GaN

  • 6月21日,台达电子宣布与全球半导体领导厂商德州仪器(TI)成立创新联合实验室。台达表示,此举不仅深化双方长期合作关系,亦可凭借TI在数字控制及氮化镓(GaN)等半导体相关领域多年的丰富经验及创新技术,强化新一代电动车电源系统的功率密度和效能等优势,增强台达在电动车领域的核心竞争力。台达交通事业范畴执行副总裁及电动车方案事业群总经理唐修平表示:“透过与TI成立创新联合实验室,运用TI在数位控制及GaN领域丰富经验与技术优势,提升电动车电源系统的功率密度和效能,期盼双方达到更紧密的技术交流及合作,以更具前瞻
  • 关键字: 台达电子  TI  GaN  

2023年SiC功率元件营收排名,ST以32.6%市占率稳居第一

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示,2023年全球SiC功率元件产业在纯电动汽车应用的驱动下保持强劲成长,前五大SiC功率元件供应商约占整体营收91.9%,其中ST以32.6%市占率持续领先,onsemi则是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨询分析,2024年来自AI服务器等领域的需求则显著大增,然而,纯电动汽车销量成长速度的明显放缓和工业需求走弱正在影响SiC供应链,预计2024年全球SiC功率元件产业营收年成长幅度将较过去几年显著收敛。作为关键的车用SiC MOSFE
  • 关键字: SiC  功率元件  ST  

碳化硅的新爆发

  • 随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升,碳化硅(SiC)在未来十年将会迎来全新的增长契机。预计将来,功率半导体的生产商与汽车行业的运作方会更踊跃地参与到这一领域的价值链建设里。SiC 作为第三代半导体以其优越的性能,在今年再次掀起风潮。6 英寸到 8 英寸的过渡推动由于截至 2024 年开放 SiC 晶圆市场缺乏批量出货,因此 8 英寸 SiC 平台被认为具有战略性意义。SiC 具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点,是良好的半导体材料,目前已经在汽车电子、工业半导体等领域有
  • 关键字: SiC  

纯电车需求放缓 SiC功率组件业年营收动能降温

  • 在纯电动汽车应用的驱动下,根据TrendForce研究显示,2023年全球SiC功率组件产业保持强劲成长,但2024年纯电动汽车销量成长速度的明显放缓与工业需求走弱,预估今年全球SiC功率组件产业营收年成长幅度将较过去几年显着收敛。根据TrendForce研究显示,2023年全球前5大SiC功率组件供货商约占整体营收91.9%,其中ST以32.6%市占率持续领先,onsemi则是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示,作为关键的车用SiC MOSFET供货商,ST正在意大利卡塔尼亚打
  • 关键字: 纯电车  SiC  功率组件  TrendForce  

GaN“上车”进程加速,车用功率器件市场格局将改写

  • 根据Yole机构2024 Q1的预测,氮化镓 (GaN) 功率半导体器件市场2023至2029年平均复合年增长 (CAGR) 将高于45%,其中表现最为抢眼的是汽车与出行市场(automotive & mobility),“从无到有”,五年后即有望占据三分之一的GaN应用市场(图1)。而相比之下,碳化硅(SiC)应用市场成长则显得比较温和,CAGR远低于GaN(图1)。随着GaN“上车”进程加速,功率器件器件市场竞争格局或将被改写。图1:在GaN市场份额变化中,汽车与出行市场 “从无到有”,五年后
  • 关键字: GaN  车用功率器件  Transphorm  SiC  

一文了解SiC MOS的应用

  • 作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可以实现更低的开关和导通损耗,同时具有更高的阻断电压和雪崩能力,显著提升系统效率及功率密度,从而降低系统综合成本。图 SiC/Si器件效率对比一、行业典型应用碳化硅MOSFET的主要应用领域包括:充电桩电源模块、光伏逆变器、光储一体机、新能源汽车空调、新能
  • 关键字: SiC  MOS  碳化硅  MOSFET  

德州仪器推出先进的GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机

  • ●   650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术,助力家电和暖通空调(HVAC)系统逆变器达到99%以上效率。●   得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了对外部散热器的需求,工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。德州仪器 (TI)近日推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V 三相 GaN IPM。这款全新的 GaN IPM 解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统时通常面临的许多设
  • 关键字: 德州仪器  GaN IPM  高压电机  

低导通电阻SiC器件在大电流高功率应用中的优越性

  • 众所周知,SiC作为一种性能优异的第三代半导体材料,因其高击穿场强、宽禁带宽度、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特性可以辅助电子器件更好地在高温、高压、高频应用中使用,可有效突破传统Si基半导体材料的物理极限。目前使用最广泛的SiC开关器件是SiC MOSFET,与传统Si IGBT相比,SiC材料的优异性能配合MOSFET单极开关的特点可以在大功率应用中实现高频、高效、高能量密度、低成本的目标,从而推动电力电子系统的发展。图1: 碳化硅器件应用范围示意图1图2: 典型应用场景对应的功率等级2从技术上讲,
  • 关键字: 低导通电阻  SiC  大电流  高功率  
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