Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，进一步壮大其不断扩展的电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基于GaN的反激式转换器而设计，用于PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式插座、条形插座、工业电源和辅助电源等设备以及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用。 NEX806xx/NEX808xx是准谐振/多模反激式控制器，可在宽VCC范围(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自适应同步整流控制器。这些IC可与N
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Nexperia AC/DC反激式控制器 GaN 反激式转换器
如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）并称为第三代半导体界的“双雄”。其中，SiC在高耐压和大电流应用方面优势突出，近年来在新能源汽车、可再生能源等功率电子领域风头无两；而GaN则凭借出色的击穿场强特性和电子饱和速度，提供出色的低导通电阻和高速开关（高频率工作）性能，在
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Mouser GaN
新闻亮点：● 德州仪器增加了GaN制造投入，将两个工厂的GaN半导体自有制造产能提升至原来的四倍。● 德州仪器基于GaN的半导体现已投产上市。● 凭借德州仪器品类齐全的GaN集成功率半导体，能打造出高能效、高功率密度且可靠的终端产品。● 德州仪器已成功开展在12英寸晶圆上应用GaN制造工艺的试点项目。德州仪器 (TI)近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，
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德州仪器 氮化镓 GaN
Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。SMFA非对称系列提供了一种创新的单元件解决方案，在简化设计的同时显著提高了电路的可靠性。SMFA非对称系列是市场
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SiC MOSFET栅极保护 非对称瞬态抑制二极管 Littelfuse
全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圆厂布局。
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SiC
压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带带动压缩机转动。而新能源汽车脱离了发动机，以电池为动力，通过逆变电路驱动无刷直流电机，从而带动压缩机转动，实现空调的冷热交换功能。电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，除了可以提高车厢内的环境舒适度（制冷，制热）以外，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，对电池的使用寿命、充电速度和续航里程都至关重要。图1.电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件电动压缩机需
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压缩机 汽车空调 SiC
在应对消费类电器、楼宇暖通空调(HVAC)系统和工业驱动装置的能耗挑战中，业界积极响应，通过实施诸如季节性能效比(SEER)、最低能效标准(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等项目推进建立系统能效评级体系。变频驱动器(VFD) 可为加热和冷却系统提供出色的系统效率，特别是在这些系统具有范围非常宽的精确速度控制的情况下。VFD使用逆变器控制电机转速，并进行高频脉宽调制(PWM)开关，可获得真正的可变速度控制。虽然这些逆变器目前是使用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效
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202409 三相集成GaN 电机驱动器 GaN
意法半导体（简称ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，履行创新承诺。意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们将继续在器
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STPOWER SiC MOSFET 驱动逆变器
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒中使用新型金属，有
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东芝 SiC 肖特基势垒二极管 工业电源
与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异，4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备方面具有优势。此外，由
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三菱电机 SiC
SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。在SiC晶体中存在各种缺陷，其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及堆垛层错（SF）、以及刃位错（TED）、螺旋位错（TSD）、基面位错（BPD）和这些复合体的混合位错。就密度而言，最近质量相对较好的SiC晶体中，微管是1〜10个/cm²，位错的密度约为10³～10⁴长达个/cm²。至今，与Si相
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三菱电机 SiC
我们采用单全桥LLC拓扑结构，以获得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等组成。NCV4390（U60）是一种电流模式高级LLC控制器。它是FAN7688的引脚到引脚兼容设备。如果您在网站上找不到该设备，可以参考FAN7688的说明。有关该零件的更多详细信息，请参阅数据表和应用说明。由于输出电压高（250−450
Vdc），同步整流器对整流器的帮助不大传导损失。因此，我们省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有内部电隔离功能的大电流单通道IGBT驱动器。
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车载电动汽车充电器 NVHL060N090SC1 SiC
8月29日上午，备受瞩目的2024年武汉铁人三项亚洲杯赛、2024年武汉全国铁人三项冠军杯系列赛暨U系列冠军杯赛、2024年中国·武汉铁人三项公开赛新闻发布会成功召开。发布会上，赛事组委会发布了赛事宣传片、赛事分组、竞赛距离、竞赛日程、公开赛标志、赛事奖牌等相关内容。武汉市体育局党组成员、副局长洪旭艳，江夏区人民政府党组成员、副区长梁爽出席此次发布会；武汉市社会体育指导中心副主任邱海防代表武汉市体育局发布赛事信息；江夏区文化和旅游局（体育局）局长缪璐进行江夏区文旅推介，向社会各界发出“跟着赛事游江夏”的邀
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罗姆 SiC MOSFET 极氪
8月13日，新洁能发布公告称，拟将此前募投项目中的“第三代半导体 SiC/GaN
功率器件及封测的研发及产业化”项目达到预定可使用状态日期延期至2025年8月。此次延期是受宏观环境等不可控因素的影响，项目的工程建设、设备采购及人员安排等相关工作进度均受到一定程度的影响，无法在计划时间内完成。据悉，此次延期项目属新洁能二厂区扩建项目，项目总投资约2.23亿元，2022年开建，原计划2024年建设完成。项目建成后，将实现年产 SiC/GaN 功率器件2640万只。新洁能称，本次募投项目延期仅涉及项目进度的
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新洁能 SiC GaN 功率器件 封测
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