激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中，大多都有人类参与其中，因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害，汽车 LiDAR 系统必须符合 IEC 60825-1 1 类安全要求，同时发射功率不超过 200 W。通用解决方案一般采用 1 至 2 ns 脉冲，重复频率为 1 至 2 MHz。这很有挑战性，因为需要使用微控制器或其他大型数字集成电路 (IC) 来控制激光二极管，但又不能直接驱动它，这样就必须增加一个栅极
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自主驾驶 LiDAR GaN FET
本文的关键要点各行各业的工厂都在扩大生产线的智能化程度，在生产线上的装置和设备旁边导入先进信息通信设备的工厂越来越多。要将高压工业电源线的电力转换为信息通信设备用的电力，需要辅助设备用的高效率电源，而采用内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC可以轻松构建这种高效率的辅助电源。各行各业加速推进生产线的智能化如今，从汽车、半导体到食品、药品和化妆品等众多行业的工厂，既需要进一步提升生产效率和产品品质，还需要推进无碳生产（降低功耗和减少温室气体排放）。在以往的制造业中，提高工厂的生产效率和
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电力转换 SiC MOSFET
回首2023年，尽管全球供应链面临多重挑战，但我们看到了不少闪光点，比如AIGC的热潮、汽车电子的火爆，以及物联网的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技术专家牛嘉浩先生为大家带来了他对过去一年的经验总结和对新一年的展望期盼。汽车产业链中的困难与挑战在过去一年中，汽车芯片短缺、全球供应链的复杂性和不确定性及市场需求的变化，可能是汽车产业链最为棘手的难题，汽车制造商需要不断调整生产和采购策略以应对潜在的风险和瓶颈。随着更多传统车企和新兴造车势力进入新能源汽车市场，竞争压力加大，汽车制造商需要不断提
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智能电源 智能感知 汽车领域 SiC
电力电子应用希望纳入新的半导体材料和工艺。
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GaN SiC
当今，快充市场正迎来前所未有的机遇与挑战。风暴仍在继续，快充市场的迅猛发展，用户对于充电器的功率需求也在不断增大；移动设备的普及，用户对于充电器体积的要求也越来越高；同时为了在激烈的市场竞争中脱颖而出，低成本是每个快充产品必须考虑的因素。种种这些都对快充技术的要求愈发严格，不仅需要高效率、高功率，还需要适应多样化的标准和满足用户个性化的需求。在种种挑战之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 离线反激式开关IC，在内部集成750V或900V PowiGaN™初级开关、初级侧控制器、FluxLink™
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PI SR-ZVS GaN 氮化镓
回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？为更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024，火力全开》专题报道。本期嘉宾是意法半导体亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁Francesco MUGGERI（沐杰励）。全工序SiC工厂今年投产第4代SiC MOS即将量产行家说三代半：据《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》统计，2023年全球新发布碳化硅主驱车型又新增了40多款，预计明年部分
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意法半导体 SiC
2月1日消息，近日，浙江嘉兴平湖市政府公示了“年产90万片功率模块、45万片PCBA板和20万台电机控制器”建设项目规划批前公告。据披露，该项目建设单位为臻驱科技的全资子公司——臻驱半导体（嘉兴）有限公司，臻驱半导体拟投约资6.45亿元在平湖市经济技术开发区新明路南侧建造厂房用于生产及研发等，项目建筑面积达45800m2。公开资料显示，臻驱科技成立于2017年，是一家提供国产功率半导体及新能源汽车驱动解决方案的公司，总部位于上海浦东，在上海临港、广西柳州、浙江平湖及德国亚琛（Aachen）等地布局了多家子
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功率模块 碳化硅 SiC
中国 北京，2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60mΩ，非常适合车载充电器、DC/DC
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Qorvo SiC FET 电动汽车
众所周知，提高 SiC 晶圆质量对制造商来说非常重要，因为它直接决定了 SiC 器件的性能，从而决定了生产成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圆的生长仍然非常具有挑战性。SiC 晶圆制造的发展已经完成了从100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圆的艰难过渡，正在向8英寸迈进。SiC 需要在高温环境下生长，同时具有高刚性和化学稳定性，这导致生长的 SiC 晶片中晶体和表面缺陷的密度很高，导致衬底质量和随后制造的外延层质量差 。本篇文章主要总结了 SiC 生长过程及各步骤造成的缺陷
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SiC 晶圆
宜普电源转换公司（EPC）推出三款激光驱动器电路板，这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板，分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和
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EPC GaN FET 激光二极管
加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新
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Transphorm 高功率服务器 工业电力转换 氮化镓场效应晶体管 碳化硅 SiC
1 转型成功的2023得益于成功的战略转型，在汽车和工业市场增长的
推动下，安森美在 2023 年前 3 季度的业绩都超预期。
其中，第一季度由先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和能源基
础设施终端市场带来的收入均同比增长约 50%，在第
二季度汽车业务收入超 10 亿美元，同比增长 35%，创
历史新高，第三季度汽车和工业终端市场都实现创纪录
收入。安森美大中华区销售副总裁Roy Chia2 深入布局碳化硅领域在第三代半导体领域，安森美专注于 SiC，重点聚
焦于汽车、能源、电网基础设施等应
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安森美 第三代半导体 碳化硅 SiC
消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向 USB Type-C® 充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。在设计现代消费级 USB Type-C 移动充电器、PC 电源和电视电源时，面临的挑战是如何在缩小解决方案尺寸的同时保持甚至提高功率水平。德州仪器的低功耗氮化镓 (GaN) 器件有助于在各种最流行的拓扑中解决这一问题，同时提供散热、尺寸和集成方面的优势。在过去的几十年里，随着 GaN 等宽带隙技术的发展，交流/直流拓扑
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TI GaN 电源拓扑
2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本东京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亚州戈利塔讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月
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瑞萨 Transphorm GaN
意法半导体与理想汽车签署碳化硅长期供货协议。
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SiC
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