IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圆生产商环球晶圆控股（GlobalWafers）董事长徐秀兰表示，公司克服了量产碳化硅（SiC）晶圆的重重技术难关，已经将 SiC 晶圆推进至 8 英寸，和国际大厂保持同步。徐秀兰预估将会在 2024 年第 4 季度开始小批量出货 8 英寸 SiC 产品，2025 年大幅增长，到 2026 年占比超过 6 英寸晶圆。环球晶圆表示目前较好地控制了 8 英寸晶圆良率，已经超过 50%，而且有进一步改善的空间，明年上半年开始交付相关样品。IT之家从报道中
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晶圆厂 SiC
英飞凌科技股份公司近日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示，“氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍，有助于推动低碳化进程。收购 GaN Syste
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英飞凌 氮化镓系统公司 GaN Systems 氮化镓
据英飞凌官微消息，英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN
Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN)
功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems已正式成为英飞凌的组成部分。2023年3月2日，英飞凌和GaN Systems联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资8.3亿美元收购GaN Systems。这笔“全现金”收购交易是使用现有的流动
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英飞凌 氮化镓系统 GaN Systems
2023年，中国化合物半导体产业实现历史性突破。 在碳化硅（SiC）晶体生长领域，尤其得到国际IDM厂商的认可，中国厂商产能大幅提升。 此前，来自中国的SiC材料仅占全球市场的5%。 然而，到2024年，预计将抢占可观的市场份额。该领域的主要中国公司，包括SICC、TankeBlue和三安，几乎都将产能扩大了千倍。我国大约有四到五家从事SiC晶体生长的龙头企业，为测算我国SiC晶体生长产能提供了依据。 目前，他们的月产能合计约为60,000单位。 随着各公司积极增产，预计到2024年月产能将达到12万单位
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SiC 碳化硅
不断增长的消费需求、持续提高的环保意识/环境法规约束，以及越来越丰富的可选方案，都在推动着人们选用电动汽车 (EV)，令电动汽车日益普及。高盛近期的一项研究显示，到 2023 年，电动汽车销量将占全球汽车销量的 10%；到 2030 年，预计将增长至 30%；到 2035 年，电动汽车销量将有可能占全球汽车销量的一半。然而，“里程焦虑”，也就是担心充一次电后行驶里程不够长，则是影响电动汽车普及的主要障碍之一。克服这一问题的关键是在不显著增加成本的情况下延长车辆行驶里程。本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化
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电动汽车 逆变器 SiC MOSFET
引言如今，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为了实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率器件是提高其效率的关键，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。周劲(罗姆半导体(上海)有限公司技术中心副总经理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件备受期待。ROHM 于2022 年将栅极耐压高达8 V 的150 V 耐压GaN HEMT 投入量产；2023 年3月，又确
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202310 罗姆 GaN
IT之家 10 月 19 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星电子内部组建了新的碳化硅（SiC）功率半导体团队，已经任命安森美半导体前董事洪锡俊（Stephen Hong）担任副总裁，负责监管相关业务。洪锡俊是功率半导体领域的专家，在英飞凌、仙童和安森美等全球大型公司拥有约 25 年的经验，加入三星后，他负责领导这项工作。洪锡俊负责组建和带领这支 SiC 商业化团队，同时积极与韩国功率半导体产业生态系统和学术机构合作进行市场和商业可行性研究。值得注意的是，三星在正式进军 GaN（氮化镓）业
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三星 SiC
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压
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SiC MOSFET IGBT WBG
1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化镓）功率半导体领域的全球领先企业，致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前处于开发阶段）氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利，氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
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202310 SuperGaN 氮化镓 GaN Transphorm
1 SiC和GaN应用及优势我们对汽车、工业、数据中心和可再生能源等广泛市场中的碳化硅(SiC) 和氮化镓（GaN）应用感兴趣。一些具体的例子包括：● 电动汽车（EV）：SiC和GaN 可用于电动汽车，以提高效率、续航里程和整车性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牵引逆变器和车载充电，以减少功率损耗并提高效率。● 数据中心：SiC 和GaN 可用于数据中心电源，以提高效率并降低运营成本。● 可再生能
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202310 SiC GaN 安世半导体
1 SiC和GaN的优势相比传统MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具备更低的栅极驱动损耗和更高的开关速度。虽然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的应用上有一些重叠，但各自解决的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐压水平和电流承载能力。这使得它们很适合于汽车牵引逆变器、车载充电器和直流/ 直流转换器、大功率太阳能发电站和大型三相电网变流器等应用。SiC 进入市场的时间略长，因此它有更多的选择，例如，相比目前可用的GaN 解决方案，SiC 支持更广泛的电压和导通电阻。
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202310 纳芯微 SiC GaN
1 SiC、GaN相比传统方案的优势虽然硅功率器件目前占据主导地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的热特性，适用于需要高效率和高输出的应用，而GaN 功率器件具有出色的射频频率特性，能满足要求高效率和小尺寸的千瓦级应用。最为重要的一点，SiC 的击穿场是硅的10 倍。由于这种性质，SiC 器件的块层厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低电阻和高击穿电压的开关器件。此外，SiC 的导热系数大约是硅的3 倍，因此它能提供更高的散热能力
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202310 东芝 SiC GaN
ST（ 意法半导体） 关注电动汽车、充电基础设施、可再生能源和工业应用，将最新一代STPOWER SiC MOSFET和二极管部署在这些应用领域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得业界最低的通态电阻，可以实现能效和功率密度更高的产品设计。ST 还提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增强型HEMT 开关管用于开发超快速充电和高频功率转换应用，功率损耗很小。与硅基芯片相比，SiC 和GaN 等宽带隙材料特性可让系统变得尺寸更小，重量更轻，开关和导通损耗更低，从而提高能效。Gianfranc
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202310 意法半导体 SiC GaN
1 SiC的应用优势Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代宽禁带（WBG）半导体材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品质因数（FoM）和低反向恢复电荷（Qrr），特别适用于具有挑战性的应用，尤其是高压大电流等应用场景，主驱逆变器采用SiC，可提升系统的效率，进而使得在相同的电池容量下里程数得以提升。OBC（车载充电机）采用SiC，可实现更高的能效和功率密度。随着汽车市场向800 V 高压系统发展，SiC 在高压下的低阻抗、高速等优势将更能体现。Mrinal K.Das博士(安森美电源方案事业群先进电源
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202310 SiC 安森美
碳化硅（SiC）具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等特点，可很好地满足新能源汽车与充电桩、光伏新能源、智能电网、轨道交通等应用需求，对我国“新基建”产业发展具有重要意义，是未来五年“中国芯”最好的突破口之一，当下我国应该集中优势资源重点发展。
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202310 碳化硅 SiC 衬底 8英寸 扩产
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