近日，意法半导体官微宣布，将为博格华纳的Viper功率模块提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格华纳将该功率模块用于沃尔沃和未来多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台。为了充分发挥意法半导体SiC MOSFET 芯片的优势，意法半导体和博格华纳技术团队密切合作，力争让意法半导体的芯片与博格华纳的Viper功率开关匹配，最大限度提高逆变器性能，缩小电驱架构尺寸并提升经济效益。意法半导体汽车和分立器件产品部（ADG）总裁Marco Monti表示，意法半导体和博格华纳合作有助于提升沃尔沃的车辆性能
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STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。电路设计包括前端无桥图腾柱PFC和后端LLC全桥架构。前级图腾柱PFC提供功率因数校正（PFC）和谐波失真（THD）抑制，后记全桥LLC转换器提供安全隔离和稳定的输出电压。该参考设计为高效率紧凑型解决方案，在230 VAC输入时，测量峰值效率为96.3%
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● 意法半导体为博格华纳的Viper功率模块提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃尔沃汽车在2030年前全面实现电动化目标● 博格华纳将采用意法半导体碳化硅芯片为沃尔沃现有和未来的多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)将与提供创新和可持续移动解决方案的全球领导者博格华纳公司(纽约证券交易所股票代码：BWA)合作，为博格华纳专有的基于 Viper 功率模块
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据日经中文网，日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业和从事ATM及通信设备的OKI开发出了以低成本制造使用氮化镓(GaN)的功率半导体材料的技术。制造成本可以降至传统制法的十分之一以下。如果能够量产，用于快速充电器等用途广泛，有利于普及。功率半导体装入充电器、小型家电以及连接纯电动汽车(EV)马达与电池的控制装置，用于控制电力等。如果使用GaN，可以控制大量的电力。根据TrendForce集邦咨询研究报告显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率
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_____减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资，特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告，到 2050 年，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的，包括比硅器件更快
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在科技领域中，碳化硅芯片正如一颗闪耀的明星，逐渐崭露头角。随着移动互联网、人工智能和物联网等领域的迅速发展，芯片技术也不断突破创新。而在这股技术浪潮中，碳化硅芯片凭借其独特的优势正愈发引起人们的瞩目。伴随着阿斯麦这位传统芯片巨头的重磅投资，人们开始纷纷关注，碳化硅芯片是否即将主宰市场？更高的温度耐受性碳化硅芯片，作为一种新兴的半导体材料，因其出色的性能和优异的耐受性而备受关注。其中，其更高的温度耐受性是其最大的优势之一。碳化硅芯片的高温耐受性是由其特殊的晶格结构决定的。碳化硅是由碳原子和硅原子组成的晶体，
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品。然而，预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用，因此东芝发布了业界首款
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东芝 2200V 双碳化硅 SiC MOSFET模块
几乎所有现代工业系统都会用到 AC/DC 电源，它从交流电网中获取电能，并将其转化为调节良好的直流电压传输到电气设备。随着全球范围内功耗的增加，AC/DC 电源转换过程中的相关能源损耗成为电源设计人员整体能源成本计算的重要一环，对于电信和服务器等“耗电大户”领域的设计人员来说更是如此。氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，即使效率增益仅为 0.8%，也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据
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TIDM-02014 是一款由德州仪器 (TI) 和 Wolfspeed 开发的基于 SiC 的 800V、300kW 牵引逆变器系统参考设计，该参考设计为 OEM 和设计工程师创建高性能、高效率的牵引逆变器系统并更快地将其推向市场提供了基础。该解决方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牵引逆变器系统技术（包括用于驱动 Wolfspeed SiC 电源模块、具有实时可变栅极驱动强度的高性能隔离式栅极驱动器）如何通过降低电压过冲来提高系统效率。隔离式栅极驱动器与 TI 的隔离式辅助电源解决方案配合使用
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随着设备变得越来越小，电源也需要跟上步伐。因此，当今的设计人员有一个优先目标：化单位体积的功率（W/mm 3）。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗，同时限度地延长系统正常运行时间。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱
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SiC
“能够优先掌握SiC这种领先技术的国家，将能够改变游戏规则，拥有SiC将对美国具有深远的影响。” Alan Mantooth 接受媒体采访时坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 领导的工程研究人员从美国国家科学基金（NSF）获得了1787万美元的资助，用于在阿肯色大学开始建设一个国家级SiC研究和制造中心。该SiC研究与制造中心一方面为美国学生提供SiC相关技术的培训和教育，以达到鼓励美国新一代在该领域发展的目的，此外其部署的SiC晶圆生产线，能够让美国大学，企业以及政府研究人员进行长期
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【中国上海 – 2023年8月3日】氮化镓功率半导体全球领导厂商 GaN Systems 今宣布与上海安世博能源科技策略结盟，共同致力于加速并扩大氮化镓功率半导体于电动车应用的发展。安世博能源科技为电源行业领导厂商，拥有完整电源供应器、电动车充电模块及车载充电器产品解决方案。结合 GaN Systems 尖端的氮化镓功率器件、在车用领域所累积的应用实绩，与安世博能源科技在高功率电源系统设计及批量生产的卓越能力，此次策略合作将为中国电动车行业带来突破性革新。氮化镓功率半导体将在实现下世代电动车对尺寸微缩、轻
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2023年8月3日，中国 -意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为7
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意法半导体 PowerGaN 氮化镓 GaN
几乎所有现代工业系统都会用到 AC/DC 电源，它从交流电网中获取电能，并将其转化为调节良好的直流电压传输到电气设备。随着全球范围内功耗的增加，AC/DC 电源转换过程中的相关能源损耗成为电源设计人员整体能源成本计算的重要一环，对于电信和服务器等“耗电大户”领域的设计人员来说更是如此。氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，即使效率增益仅为 0.8%，也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据
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TI GaN PFC
欧洲是世界半导体的重要一极，ST（意法半导体）、英飞凌、恩智浦（NXP）被称为欧洲半导体的三驾马车，也是全球知名的半导体巨头。ST的特点是不像欧洲其他两家巨头——英飞凌和恩智浦出身名门1、自带一定的应用市场，ST要靠自己找市场、摸爬滚打，以解决生存和发展问题。据市场研究机构Garnter数据，ST 2022年营收158.4亿美元，年增长率为25.6%，是欧洲最大、世界第11大半导体公司。大浪淘沙、洗牌无数的半导体行业，ST是如何显露出真金本色，成为欧洲乃至世界半导体巨头的？又是如何布局未来的？表1 202
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意法半导体 MCU SiC
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