前 言 1824年，一种全新的材料被瑞典科学家，贝采里乌斯合成出来，这是一种名为碳化硅的黑色粉末，平平无奇的样子，仿佛是随处可见的灰烬，也许谁也没能想到，就是这一小撮杂质般的黑色颗粒，将会在近200年后，在其之上长出绚烂的花朵，帮助人类突破半导体的瓶颈。在人类半导体产业的起步初期，基于硅（Si）芯片的技术发展速度卓越，无论是成本还是性能都达到了完美的平衡，自然对于碳化硅（SiC）没有过多的注意。直到20世纪90年代，Si基电力电子装置出现了性能瓶颈，再次激发
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SiC 新能源汽车 汽车电子
随着特斯拉宣布其下一代 EV 动力总成系统的 SiC 组件使用量减少 75%，预计第三代化合物半导体市场状况将发生变化，GaN 被认为会产生后续替代效应。据业内消息人士透露，这有望使台积电、世界先进半导体 (VIS) 和联华电子受益，它们已经进行了早期部署，并继续扩大其 8 英寸加工 GaN 器件的产能。GaN 和 SiC 的比较GaN 和 SiC 满足市场上不同的功率需求。SiC 器件可提供高达 1200V 的电压等级，并具备高载流能力，因此非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场和大型三相电网
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GaN SiC
一直以来，“里程焦虑”、“充电缓慢”都是卡住新能源汽车脖子的关键问题，是车企和车主共同的焦虑；但随着高压电气技术的不断进步和快充时代的到来，将SiC(碳化硅）一词推向了市场的风口浪尖。继2019年4月保时捷Taycan Turbo S 全球首发三年后，800V高压超充终于开始了普及。相比于400V，800V带来了更高的功效，大幅提升功率，实现了15分钟的快充补能。而构建800V超充平台的灵魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引领着这一轮高压技术的革命。小鹏发布的800V高压SiC平台Si（硅）早已
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碳化硅 SiC
当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路，这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功率应用中实施。实现这一壮举的方法是提高电子设备的功率密度。硅基MOSFET具有较低的开关速度和热效率；因此，如果不增加尺寸并因此影响功率密度，它们就不能用于高功率应用。这就是基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 用于制造高功率密度电子产品的地方，适用于各行各业的不同应用。当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路，这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功
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GaN HEMT 短路保护
【2023 年 03 月 03日，德国慕尼黑和加拿大渥太华讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）和氮化镓系统公司（GaN Systems）联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资 8.3 亿美元收购氮化镓系统公司。氮化镓系统公司是全球领先的科技公司，致力于为功率转换应用开发基于氮化镓的解决方案。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有 200 多名员工。 英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化镓技术为打造更加
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英飞凌将 氮化镓系统公司 GaN Systems 氮化镓产品
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要，本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项。本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文连接引脚的 GaNFET 封装。VDD 电容VDD 引脚应有两个尽可能靠近 VDD 引脚放置的陶瓷电容。如图 7 所示，较低值的高频旁路电
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安森美 GaN 驱动器 PCB
当您设计新电力电子产品时，您的目标任务一年比一年更艰巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一个必须实现的特性。SiC MOSFET 是一种能够满足这些目标的解决方案。以下重要技巧旨在帮助您创建基于 SiC 半导体的开关电源，其应用领域包括光伏系统、储能系统、电动汽车 (EV) 充电站等。为何选择 SiC？为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的
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安森美 SiC
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”） 功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB) ，才能实现实现高电压、高频率、快速dV/dt边沿速率开关的全部性能优势。本文将简单介绍NCP51820及利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路的 PCB 设计要点。NCP51820 是一款全功能专用驱动器，为充分发挥高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaNFET 的开关性能而
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安森美 GaN PCB
前言现阶段的大多数 GaN 电源系统都是由多个芯片组成。GaN 器件在电路板上组装前采用分立式的元件组装会产生寄生电感，从而影响器件的性能。例如驱动器会在单独的芯片上带有驱动器的分立晶体管，受到驱动器输出级和晶体管输入之间以及半桥开关节点之间的寄生电感的影响，同时GaN HEMT 具有非常高的开关速度，如果寄生电感未被抑制，将会导致信号传输的波动。近日，纳芯微推出了两款全新的GaN相关产品，分别是GaN驱动NSD2621，一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管；集成化的
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GaN 纳芯微 半桥驱动芯片
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）持续扩大与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商，此次与Resonac Corporation（原昭和电工）签署了全新的多年期供应和合作协议。早在2021年，双方就曾签署合作协议，此次的合作是在该基础上的进一步丰富和扩展，将深化双方在SiC材料领域的长期合作伙伴关系。协议显示，英飞凌未来十年用于生产SiC半导体的SiC材料中，约占两位数份额将由Resonac供给。前期，Resonac将主要供应6英寸SiC
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英飞凌 Resonac 碳化硅 SiC
与硅技术相比，SiC MOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势，它解决了能效与成本的迫切需求，特别是在需要双向功率转换的时候。易于安装是大功率光伏组串式逆变器的关键特征之一。如果只需要两个工人来搬运和安装该系统，将会非常利于运维。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半导体使电力转换效率大幅提高。这不仅节省了能源，而且使设备更小、更轻，相关的资本、安装和维护成本更低。关键的应用要求及其挑战。在光伏和储能系统中，1500V的高系统电压要求宇宙辐射引起的故障率非常低，同时要求功率器件具有更高的系统效率
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英飞凌 SiC 逆变器
碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率 器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾了高压 SiC MOSFET 器件的发展历程和前沿技术进展，总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构，介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状，对高压 SiC MOSFET 器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。1 引言电力电子变换已经逐步进入高压、特高压领域，高压功率器件是制约变换器体积、功耗和效率的决定性因素。特高压交直流输电、
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SiC MOSFET
纳芯微全新推出GaN相关产品，包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15K，均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。其中，NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管；NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。NSD2621产品特性： 01. SW引脚耐压±700V 02. 峰值驱动电流2A/-4A 03.&n
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纳芯微 GaN
去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款开售，其产品设计和功能变化都引起了外界关注。在特斯拉 Model 3 车型中，SiC 得到量产应用，这吸引了全球汽车厂商的目光。搭载 SiC 芯片的智能电动汽车，可提高续航里程，对突破现有电池能耗与控制系统上瓶颈，乃至整个新能源汽车行业都有重要意义。目前，业内普遍认为以 SiC 为代表的宽禁带半导体将成为下一代半导体主要材料，那么宽禁带半导体当前发展状况如何？国内外发展宽禁带半导体有哪些区别？未来发展面临着哪些挑战？01、特斯拉 Model 3 首批
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特斯拉 Model 3 SiC
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kV
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瑞萨 栅极驱动IC EV逆变器 IGBT SiC MOSFET
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