高温半导体和功率模块领域的领导者CISSOID宣布，公司已与NAC Group和Advanced Conversion（为要求严苛的应用提供高性能电容器的领导者）开展合作，以提供紧凑且优化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆栈。该功率堆栈结合了CISSOID的1200V SiC智能功率模块和Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑（DC-Link）电容器，可进一步与控制器板和液体冷却器集成，为电机驱动器的高功率密度和高效率SiC逆变器（见下图）的设计提供完整的硬件和软件平台。CIS
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CISSOID SiC
随着云计算、超大规模数据中心、5G应用和大型设备的不断发展，市场对不间断电源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化发展，设计人员面临如何在性能、能效、尺寸、成本、控制难度之间权衡取舍的挑战，安森美(onsemi)基于新一代半导体材料碳化硅(SiC)的方案，有助于变革性地优化UPS设计。安森美是领先的智能电源方案供应商之一，也是全球少数能提供从衬底到模块的端到端SiC方案供应商，提供先进的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模块技术，以及广泛的分立器件、门极驱动器等周边器件，满足低
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安森美 SiC
随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用领域的发展，更是不容小觑。富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。作为系列文章的第一部分，本文将先就SiC
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富昌电子 SiC MOSFET
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起开始分销GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓 (GaN) 增强模式 (e-mode) 半桥评估板性能优异，同时减少了组件总数，节省了宝贵的电路板空间。 贸泽电子分销的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有两个HEY1011-L12C GaN FET驱动器和两
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贸泽电子 GaN 半桥双极驱动开关
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，这是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置参考设计，可加强 Qorvo GaN PA 的设计与测试。GaN 器件是耗尽型 FET，运行时需要施加负栅极电压。在使用 GaN PA 的系统中，需要以特定的顺序进行偏置：提高漏极偏置电压之前，必须施加负栅极电压，以保护器件免受损坏。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 内置可配置
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GAN PA
1 回顾：GAN里的两个角色在上一期里，详细介绍了 GAN( 生成对抗网 ) 里的
两个角色：生成者 (generator) 和判别者 (discriminator)。
其中的生成者，又称为创新者，而判别者又称为鉴赏者。
在常见的图像绘画领域，其典型的协同创新模式是：
G( 创新者 ) 负责创作图片；而 D( 鉴赏者 ) 负责辨别一
张图像的真或假，然后引领 G 逐步改进，止于完美逼
近目标。上述的 GAN 协同创新模式，属于 AI 机器与机器之
间的协同合作或创新。然而，在 AI 科技不断
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202206 GAN 人机协同
宜普电源转换公司（EPC）新推线上论坛，为工程师提供产品信息、答疑解难和分享採用氮化镓技术的应用现状和发展趋势。宜普电源转换公司宣布新推"GaN Talk支持论坛"，为工程师提供产品信息和技术支持，从而了解氮化镓（GaN）技术的应用现状和发展趋势。该论坛专为工程师、工程专业学生和所有氮化镓技术爱好者而设，为用户答疑解难和提供互相交流的平台。提问可以用主题类别、热门话题或最新帖子搜索。除了提问外，用户还可以在论坛使用帖子中的"分享"链接参看所有之前的提问和反馈。此外，
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GaN 宜普
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。 贸泽电子分销的UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了
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SiC FET
5G 通信正在改变我们的生活，同时也在促进产业数字化转型，为工业、汽车和消费电子等行业提供了巨大的应用想象空间与市场机会，例如实现创建人与机器人和谐共存的环境，高质量医疗，并且加速实现安全的自动驾驶汽车，等等。● 打造未来智能工厂——5G 无线网络可以帮助工厂实现更高的可靠性，例如缩短延迟时间、提高生产效率。在人与机器人共存的世界里，更强的连接可以改善人机互动，并降低事故风险。● 提供高质量的医疗服务——通用5G 连接可以借助可穿戴生物传感器对患者实施远程监测，进行生命体征检测，并将信息传输给基于云的诊断
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202206 毫米波 5G GAN
5G 受到追捧是有充足的理由的。根据CCS Insight 的预测，到2023 年，5G 用户数量将达10 亿；2022 年底，5G蜂窝基础设施将承载近15％的全球手机流量。高能效、尺寸紧凑、低成本、高功率密度和高线性度是5G 基础设施对射频半导体器件的硬性要求。对于整个第三代半导体技术，尤其是氮化镓（GaN），5G 开始商用是一大利好。与硅、砷化镓、锗、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的开关频率、输出功率和工作温度更高，适合1-110 GHz的高频通信应用，涵盖移动通信、无线网络、点对点和点对多点微波通
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202206 第三代半导体 GaN
德州仪器(TI)副总裁暨台湾、韩国与南亚总裁李原荣，26日于2022 COMPUTEX Taipei论坛中表示，TI将协助客户充分发挥氮化镓（GaN）技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率。李原荣今日以「数据中心正在扩建 – 以氮化镓技术实现更高效率」为题，分享设计工程师如何利用TI 氮化镓技术为数据中心达成体积更小、更高功率密度的解决方案。李原荣表示，随着各产业领导者期盼透过数据中心实现技术创新，从而也提高了运算能力的需求，TI希望协助客户充分发挥氮化镓技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率。他也强调，
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TI GaN 数据中心 能源效率
_____开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试，而在电路设计时直接测量在运行中的变换器上的器件波形，为了得到正确的结论，获得精准的开关过程波形至关重要。SiC MOSFET相较于 Si MOS 和 IGBT 能够显著提高变换器的效率和功率密度，同时还能够降低系统成本，受到广大电源工程师的青睐，越来越多的功率变换器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 与 Si 开关器件的一个重要区别是它
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Tektronix SiC MOSFET
1 GAN与NFT的结合在上一期里，我们说明了天字第一号模型：分类器。接着本期就来看看它的一项有趣应用：GAN(generative adversarial networks，生成对抗网络)。自从2014 年问世以来，GAN 在电脑生成艺术(generative art) 领域，就开始涌现了许多极具吸引力的创作和贡献。GAN 如同生成艺术的科技画笔，使用GAN 进行创作特别令人振奋，常常创作出很特别的效果，给人们许多惊喜的感觉，例如图1。 图1近年来，非同质化代币NFT(
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202205 生成对抗网路 GAN
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示：“我们通过
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Mentor P Qorvo SiC FET
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示：“我们通过
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SiC FET
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