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瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kV
- 关键字： 瑞萨 栅极驱动IC EV逆变器 IGBT SiC MOSFET
罗姆的第 4 代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器
- 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（以下简称“EV”）的逆变器。在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电动化进程加速，在这种背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。 罗姆自2010年
- 关键字： 罗姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 纯电动汽车逆变器
意法半导体第3代SiC碳化硅功率模块，这品牌用上了？
- 现代-起亚集团的 E-GMP 纯电平台以 800V 高电压架构、高功率充电备受肯定，原先 E-GMP 平台在后马达 Inverter 逆变器的功率模块(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半导体，成本与转换效率比传统的硅半导体更高，更能提升续航。如今瑞士半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模块，并确认 E-GMP 平台的起亚 EV6 等车款将采用，预计在动力、续航都能再升级。E-GMP 平台，原先已在后马达逆变器采用 Si
- 关键字： SiC 碳化硅功率模块 起亚 EV6 意法半导体 ACEPACK DRIVE
世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 应用于小型化工业电源供应器方案
- 安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来，硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓（GaAs）和砷化镓、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体，它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
- 关键字： NCP51820 安森美 半导体 电源供应器 GaN MOS Driver
英飞凌推出业界首款PFC和混合反激式组合IC，提高基于GaN的USB-C EPR适配器与充电器的性能
- 【2022年11月24日，德国慕尼黑讯】USB供电（USB-PD）已成为快速充电以及使用统一Type-C连接器为各种移动和电池供电设备供电的主流标准。在最新发布的USB-PD rev 3.1标准中，扩展功率范围（EPR）规格可支持宽输出电压范围和高功率传输。统一化和大功率容量再加上低系统成本的小外型尺寸已成为推动适配器和充电器市场发展的主要驱动力。为了加速这一趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新XDP™数字电源XDPS2221。这款用于USB-PD的高度集
- 关键字： 英飞凌 PFC和混合反激式组合IC GaN USB-C EPR适配器
通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题
- 高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。 在过去20年间，额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高，如今的1700V SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展；如今，随着额定电压为1700V的功率器件的推出，
- 关键字： SiC MOSFET 功率转换
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