Power Integrations研发的反激拓扑架构取得技术突破，将反激变换器的功率适用范围拓展至440 瓦，可有效降低系统成本、设计复杂度与开发周期，性能超越结构更复杂的传统谐振及 LLC 拓扑方案。TOPSwitchGaN 反激 IC 系列融合了公司自研PowiGaN 氮化镓技术与经典 TOPSwitch 芯片架构。全新拓扑不仅简化电路架构、缩短设计周期，还可让多数应用省去散热片。该系列器件堪称电源设计的根本性变革，把反激电源带入以往无法企及的功率区间，以极简架构实现高效率与高性能表现。TOPSwi
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PI TOPSwitch GaN 回激转换器 440W
美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令，仍需经过为期60天的美国总统审查期后才能生效。而作为对终裁的回应，英诺赛科宣布，ITC在第337‑TA‑1414号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的GaN功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。原文如下：ITC全体委员一致同意英
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GaN 氮化镓 功率器件 英诺赛科 Innoscience 英飞凌
AI算力正以每3.4个月翻一番的速度狂飙，全球数据中心用电量持续攀升，预计到2030年将占全球耗电量的7%，电力已成为制约AI产业发展的核心瓶颈。单机柜功率从传统的5-8kW跃升至数百kW，GPU功耗不断突破上限，供电链路的损耗、散热压力与空间占用，成为算力扩张路上绕不开的难题。行业迫切需要一场供电架构革命，去年5月，英伟达率先给出了答案——自2027年起推动机架电源从54V直流全面转向800V高压直流架构，以支撑单机架功率超1MW的下一代超大规模AI算力部署。800V架构的核心价值，是通过提升母线电压大
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800V GaN
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈---SGCM05339，适用于严苛航空航天应用电磁干扰（EMI）滤波和噪声抑制。 Vishay定制磁芯SGCM05339是GaN和SiC开关应用的理想选择，这类应用的波形会出现锐边，导致电磁辐射干扰。共模扼流圈还可用于低电流立式电源、分布式电源系统DC/DC转换器，以及太阳能电池
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Vishay GaN SiC 开关 EMI滤波 航天级 共模扼流圈
4 月 9 日，英特尔代工服务（Intel Foundry Services）宣布重大技术突破，成功研发出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒。其硅衬底厚度仅19 微米，约为人类头发丝直径的 1/5。该芯粒基于300 毫米（12 英寸）硅基氮化镓晶圆制造，采用英特尔自研隐切减薄工艺，在实现极致超薄形态的同时，保持结构完整性与性能稳定性。更具突破性的是，团队首次实现氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成。通过将复杂计算功能直接嵌入电源芯粒，无需额外辅助芯片，大幅简化系统架构并降低组件间能量损耗。性能测试结果显
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英特尔 氮化镓 GaN 芯粒
意法半导体（ST）发布两款全新高速半桥栅极驱动器，可将氮化镓（GaN）的高效性、热性能与小型化优势，广泛应用于各类电源及运动控制领域。STDRIVEG212 与 STDRIVEG612 可向增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（eGaN HEMT）输出精准受控的 5V 栅极驱动信号，高端工作电压分别最高支持 220V 与 600V。两款驱动器集成度极高，在紧凑的 QFN 封装内集成了高端与低端 5V 线性稳压器（LDO）、高端自举二极管，以及欠压锁定（UVLO）等保护功能。内置的快速启动稳压器可稳定驱动器输出级
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STDRIVEG212 STDRIVEG612 意法半导体 氮化镓 GaN 高速半桥栅极驱动器
很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（Si）半导体到第二代砷化镓（GaAs）半导体，再到以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，每一次材料体系的革新，都为国防军事装备带来革命性变化。与前两代半导体相比，第三代半导体具备高饱和电子迁移速率、高击穿电压、高热导率、抗辐射等核心优势，完美适配高温、高压、高频、大
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第三代半导体 SiC GaN 硅基芯片 202603
全球各类行业会议正聚焦电源设计面临的功率密度挑战。从得克萨斯州奥斯汀举办的APEC 展会、本周在举办的英飞凌 AI 日，到前不久在圣何塞举办的GTC 大会，半导体厂商纷纷推出新方案，缩小电源系统体积、提升通流能力。一、Power Integrations：GaN 赋能反激电源，功率上探 450WPower Integrations（PI）采用更高效的氮化镓（GaN） 技术，升级其核心产品线TOPSwitch。这款经典单端反激转换器全球应用广泛，最新 GaN 版本将功率上限从250W 提升至 450W，可用
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据韩媒Theelec援引业界消息，三星电子（Samsung Electronics）正加速切入第三代半导体市场，其8寸氮化镓（GaN）晶圆代工产线已进入量产前准备阶段，预计最快将于2026年第2季正式投产。这一进展标志着三星在功率半导体领域迈出重要一步。 三星方面对GaN晶圆代工产线的具体启动时间和客户进展保持谨慎态度，仅回应称“无法确认”。不过，据业界透露，三星自宣布进军功率半导体代工市场以来，已历时3年，近期完成了量产技术与客户布局。尽管初期客户数量有限，市场预估GaN晶圆代工年营收规模可能
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三星 第三类半导体 8寸 GaN
法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1dB 的业界领先噪声系数。研究人员表示：“这些结果表明，结合优化的外延结构与工艺，适度微缩即可带来具备竞争力的技术方案。”研究团队认为，这类3–6V 低压射频器件适用于 5G 高频毫米波频段（FR2，24.25–71.0GHz）的单片集成移动收发（T/R）模块。5G 低频段 FR1：410–
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硅基氮化镓 GaN-on-Si HEMT 5G毫米波 SOITEC
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。 GaN功率器件具有优异的高电压和高频特性，有助于应用产品实现更高效率和更小体积，因此已被广泛应用于AC适配器等消费电子产品。此外，其在AI服务器的电源单元及电动汽车（EV）的车载充电器等
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罗姆 GaN 功率器件 供应能力
● 至2030年，氮化镓（GaN）市场规模预计将达到30亿美元，年复合增长率高达44%● 英飞凌高压GaN双向开关采用变革性的共漏极设计与双栅极结构● GaN功率半导体拓展至AI、机器人、量子计算等新兴市场氮化镓（GaN）电源解决方案的普及正推动功率电子行业迎来一场重大变革。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日发布《2026年GaN技术展望》，深度解析GaN的技术现状、应用场景及未来前景，为行业提供重要参考。英
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英飞凌 GaN 氮化镓高速增长
在全球AI浪潮高涨与绿色能源转型加速的双重驱动下，氮化镓（GaN）产业正步入关键的黄金增长期。根据TrendForce研究，全球GaN功率器件市场预计将从2024年的3.9亿美元快速增长至2030年的35.1亿美元，年复合增长率（CAGR）高达44%。在此高速扩张背景下，领先晶圆代工厂的战略调整正在重塑GaN产业链格局。尽管台积电（TSMC）正逐步退出GaN代工服务，但已通过技术授权协议，将其深厚的技术积累转移给合作伙伴——世界先进（VIS）与格芯（GlobalFoundries, GF）。此举不仅推动产
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台积电 格芯 GaN
在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。垂直架构：功率技术新高度垂直 GaN 创新：vGaN 支持高电压和高频率运行， 效率优于硅芯片先进制造工厂：GaN 研发工作在占地 66,000 平方英尺、 配备 GaN 生产专用工具的洁净室设施中进行专有 GaN 生长工艺：工程师借助安森
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安森美 GaN 功率器件
本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。
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开关模式电源 氮化镓 GaN ADI
gan介绍
GaN
即氮化镓，属第三代半导体材料。
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