安森美（onsemi）正在执行其fab-liter制造战略，最终目标是透过扩大毛利率实现可持续的财务业绩。安森美於上周签署一份最终协议，将剥离其在美国缅因州南波特兰的工厂。随着将生产转移到其全球制造网络内更高效的晶圆厂，安森美将透过消除与已出售晶圆厂相关的固定成本和降低公司的制造单位成本来改善成本结构。安森美总裁兼首席执行官Hassane
El-Khoury表示：「该拟议的资产剥离表明我们正在实现优化的制造网路，同时为我们的客户提供长期的供应保证。这些交易为受影响工厂的员工提供了持续的就业和发展机
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安森美 晶圆制造厂 GaN
1 看好哪类GaN功率器件的市场？2020—2021 年硅基氮化镓（GaN）开关器件的商用化进程和5 年前（编者注：指2016 年）市场的普遍看法已经发生了很大的变化，其中有目共睹的是基于氮化镓件的高功率密度快充的快速成长。这说明影响新材料市场发展的，技术只是众多因素当中的1 个。我个人看好的未来5 年（编者注：指2022—2027 年）的氮化镓应用，包括：快充、服务器/ 通信电源、电机驱动、工业电源、音响、无线充电、激光雷达等，其中快充会继续引领氮化镓开关器件的市场成长。相对于硅
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202201 GaN 英飞凌
GaN（氮化镓）作为新兴的第三代宽禁带半导体材料，以高频、高压等为特色。但长期以来，由于工艺、成本等因素制约，GaN还处于Si（硅）和SiC（碳化硅）应用的夹缝之间。在新的一年里，GaN的市场前景将如何？GaN技术和应用有何新突破？为此，本媒体邀请了部分GaN资深企业，介绍一下GaN功率器件的新动向。
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202201 GaN
搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
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环旭电子 电动车用逆变器 IGBT SiC 电源模块
搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
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环旭电子 电动车用逆变器 IGBT SiC 电源模块
GaN（氮化镓）作为新兴的第三代宽禁带半导体材料，以高频、高压等为特色。但是长期以来，在功率电源领域，处于常规的Si（硅）和热门的SiC（碳化硅）应用夹缝之间。GaN产品的市场前景如何？GaN技术有何新突破？不久前，消费类GaN（氮化镓）功率解决方案供应商——纳微半导体宣布推出全球首款智能GaNFast™功率芯片，采用了专利的GaNSense™技术。值此机会，电子产品世界的记者采访了销售营运总监李铭钊、高级应用总监黄秀成、高级研发总监徐迎春。图 从左至右：纳微半导体级的高级应用总监黄秀成、销售营运总监李铭
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GaN 集成 202201
基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。 Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件，重复反向峰值电压为650V(VRRM)，持续正向电流为10A(IF)，旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装，使该系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二极管
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商UnitedSiC公司。对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车（EV）、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。UnitedSiC公司将成为Qorvo基础设施和国防产品（IDP）业务之一，将由Chris Dries博士领导，他曾是UnitedSiC公司的总裁兼首席执行官，现任Qorv
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SiC 电源
10月19日消息，据The Verge报道，苹果公司向其证实，新上架的140W USB-C电源适配器是苹果首款GaN充电器。 与传统充电器相比，GaN充电器的更小、更轻，同时支持大功率。 此外，苹果公司还确认，140W电源适配器支持USB-C Power Delivery 3.1标准，这意味着该充电器可以为其他支持该标准的设备充电。 新的140W USB-C电源适配器和新款MagSafe连接线现已在苹果中国官网上架。 其中，140W USB-C电源适配器的价格为729元，USB-C转MagSa
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苹果 电源适配器 GaN 充电器
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信号质量提升（SIC）技术已用于TJA146x收发器系列中，并已经成功应用到长安汽车最新的平台中。恩智浦的CAN SIC技术有效提升了CAN信号质量，使CAN FD网络能够在更大型复杂网络中运行，实现更快的数据传输速率。这项经济高效的技术能够扩展CAN FD的潜力和灵活性，从而应对下一代汽车的网络挑战。中国汽车制造商长安汽车是第一家在生产中采用恩智浦的CAN SIC技术的汽车客户。● 长安汽车成为第一家采
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OEM SiC
碳化硅具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以很好地满足新能源汽车电动化发展趋势，引领和加速了汽车电动化进程，对新能源汽车发展具有重要意义。我国新能源汽车正处于市场导入期到产业成长期过渡的关键阶段，汽车产销量、保有量连续6年居世界首位，在全球产业体系当中占了举足轻重的地位。新能源汽车产业的飞速发展，极大地推动了碳化硅产业发展与技术创新，为碳化硅产品的技术验证和更新迭代提供了大量数据样本。
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碳化硅 新能源汽车 功率半导体 202110 MOSFET SiC
以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
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碳化硅 SiC 氮化镓 GaN 宽禁带 WBG
2021年9月21日Power Integrations推出适用于USB Type-C、USB功率传输(PD)和USB数字控制电源(PPS)适配器应用的集成度一流的解决方案——InnoSwitch™3-PD系列IC。本次InnoSwitch™3-PD电源解决方案的亮点在于它是唯一的USB PD单芯片解决方案，不仅继承了InnoSwitch3系列效率极高、低空载功耗、完善的保护等卓越性能，同时还能显著减少BOM，非常适合要求具备超薄小巧外形的应用设计。 新IC采用超薄InSOP™-24D封装，内部集成
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PI InnoSwitch™3-PD GaN
TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本
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GAN TI 电源供应器
近年随着电动汽车产业崛起，碳化硅（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化硅(SiC)晶圆的开发驱使SiC争夺战正一触即发。与硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更宽的能带隙(energy bandgap，Eg)的半导体；再者，碳化硅具有更高的击穿电场 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率组件应用之电子电路的材料，因为用碳化硅制成的芯片即使厚度相对小也能够经受得起相对高的电压。表一分别示出了硅和碳化硅的能带隙(Eg)、击穿电场(Ec)和电
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意法半导体 Norstel AB 碳化硅 SiC
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