SiC和GaN MOSFET技术的出现，正推动着功率电子行业发生颠覆式变革。这些新材料把整个电源转换系统的效率提高了多个百分点，而这在几年前是不可想象的。 在现实世界中，没有理想的开关特性。但基于新材料、拥有超低开关损耗的多种宽禁带器件正在出现，既能实现低开关损耗，又能处理超高速率dv/dt转换，并支持超快速开关频率，使得这些新技术既成就了DC/DC转换器设计工程师的美梦，但同时也变成了他们的恶梦。 比如一名设计工程师正在开发功率转换应用，如逆变器或马达驱动控制器，或者正在设
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SiC GaN
高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID和中国碳化硅(SiC)功率器件产业化倡导者泰科天润半导体科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：双方已达成战略合作伙伴关系，将共同开展研发项目，推动碳化硅功率器件在工业各领域尤其是新能源汽车领域实现广泛应用。 CISSOID和泰科天润签署战略合作协议 泰科天润是中国首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，既是碳化硅芯片的龙头企业，也是支撑高端制造业的新兴力量。CISSOID公司来自比利时，是高温半导体解决方案的领导者，专为极端温
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CISSOID SiC
纳微(Navitas)半导体公司宣布成为2018年11月4日至7日在中国深圳举办的第二届国际电力电子技术及应用会议(IEEEPEAC'2018)的钻石赞助商。在此次大会上，纳微将发布并展示GaNFast功率IC的重大发展成果，这些进展推动业界实现的新一代电源系统，将会打造能效、功率密度和快速充电的全新基准。 这些技术发展成果从27W到300W，包括用于智能手机、笔记本电脑、一体式电脑、电视/显示器以及GPU的充电器和适配器应用。纳微将展示客户
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GaN 电源 IC
碳化硅(SiC)功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，对电力电子行业的发展具有重要意义。作为最先实现产业化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的动态性能，基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)已火热上市，凭借其优越性能广受市场追捧。 SiC JBS产品优势 作为单极型器件，SiC JBS在工作过程中没有少数载流子储存，其反向恢复电流主要取决于耗尽层结电容，反向恢复电荷以及反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重
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基本半导体 SiC
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓(GaN)功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能够满足高能效、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和服务器。 本合作项目的重点是开发和检测在200mm晶片上制造的先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构。研究公司IHS认为，该市场将在2019年至2024[1]年有超过2
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意法半导体 GaN
全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在国家会展中心(上海)举行的第二十届中国国际工业博览会上首次亮相。在为期5天的展会上，罗姆展出了节能高效的SiC功率元器件以及“机器健康检测”为主的工业设备解决方案，吸引了众多业内外人士驻足交流。 罗姆展台掠影(展位号：6.1H A245) 近年来，罗姆向工业市场不断进取，凝聚在消费电子设备和汽车相关领域培育的技术，致力于节能、安全、舒适、小型化的革新性产品的开发，并通过高品质、稳定供应的安心生产体制，持续不断为工业设备发展做贡献。
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罗姆 SiC 功率元器件
随着提高效率成为众需求中的重中之重，并且能源成本也在不断增加，以前被认为是奇特且昂贵的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等技术，现已变得更具性价比。此外，随着市场的增长，由于规模经济的关系，SiC或GaN晶体管和二极管在经济上也越来越具有吸引力。 功率半导体(如二极管和MOSFET)可以通过几种机制显著节省能源。与传统的硅器件相比，SiC二极管可以实现短得多的反向恢复时间，从而实现更快的开关。此外，其反向恢复电荷要少很多，从而可降低开关损耗。此外，其反向恢复电荷要少很多，从而可降低开关损耗。就其本身
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X-FAB SiC
电动汽车(也叫新能源汽车)是指以车载电源为动力，用电机驱动车轮行驶，符合道路交通、安全法规各项要求的车辆由于对环境影响相对传统汽车较小，它的前景被广泛看好近年来在国家环保政策的激励下，在大家对绿色低碳健康生活的憧憬下，电动汽车正日益普及。中国是世界最大的汽车市场，中国新能源汽车业近年来快速发展令世界瞩目。据Goldman Sachs报道，2016年中国电动汽车占全世界电动汽车的45%, 这一百分比到2030年可能升至60%。根据中国的“一车一桩”计划，电动汽车充电桩总数在2020年将达480万个，与现
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安森美 IGBT SiC
生成对抗网络(GAN)是当今最流行的图像生成方法之一，但评估和比较 GAN 产生的图像却极具挑战性。之前许多针对 GAN 合成图像的研究都只用了主观视觉评估，一些定量标准直到最近才开始出现。本文认为现有指标不足以评估 GAN 模型，因此引入了两个基于图像分类的指标——GAN-train 和 GAN-test，分别对应 GAN 的召回率(多样性)和精确率(图像质量)。研究者还基于这两个指标评估了最近的 GAN 方法并证明了这些方法性能的显著差异。上述评估指标表明，数据集复杂程度(从 CIFAR10 到
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GAN
推出电动汽车（EV）的通告已经铺天盖地地席卷了全球。这些标题的吸睛点和不同点在于电动汽车远程驾驶能力超越了目前的200至300英里范围：目前，在所有驾驶情况和条件下，电动车辆皆可与基于内燃机的车辆媲美。
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电动汽车 SiC 传输电力
全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)即将举办2018第五届“ROHM技术研讨会”，届时将于2018年9月至2019年1月巡回苏州、厦门、北京、惠州、合肥等全国5大城市，面向青年工程师分享先进的电源设计和应用技术。日前，首站——苏州站(9月6日)的免费报名通道已开启! 一年一度的“ROHM技术研讨会”由罗姆主办，自2014年起至今已成功举办了四届，活动足迹遍及全国各地，是罗姆与业界友人交流互动、分享经验的良好平台。今年，根据各个城市不同的行业发展情况，罗姆将围绕“电源”和“SiC(碳化硅)”主题带来精
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罗姆 SiC
TI正在设计基于GaN原理的综合质量保证计划和相关的应用测试来提供可靠的GaN解决方案。氮化镓(GaN)的材料属性可使电源开关具有令人兴奋且具有突破性的全
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GaN 可靠性 综合方法
作为电源工程师，我们能够回忆起第一次接触到理想化的降压和升压功率级的场景。还记得电压和电流波形是多么的漂亮和简单(图1)，以及平均电流的计算是
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GaN 升降压 电源
市场研究单位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)电力电子产业发展具高度潜力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，2016年至2023年间的复合成长率(CAGR)为28%，2020~2022年CAGR将进一步提升至40%。 包括xEV、xEV充电基
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SiC PFC
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，宣布获联合汽车电子系统有限公司(United Automotive Electronic Systems，简称UAES)颁发“2017年度杰出合作供应商奖”。安森美半导体是UAES最近的供应商大会上3家获奖的半导体供应商之一。 该奖认同安森美半导体宽广的产品阵容的价值，这些产品用于UAES领先行业的先进汽车系统方案。安森美半导体能提供大量关键器件用于从动力总成到汽车功能电子化、从传统模块如发动机控制单元(ECU)和点火系统到最新的牵引
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安森美 SiC
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