台湾台积电(TSMC)在“ISPSD 2016”上公开了受托生产服务的蓝图及试制元件的特性等。该公司将采用在直径150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN层的“硅基氮化镓”(GaN on Si)技术生产GaN晶体管。
台积电打算开展受托生产的GaN晶体管有三种类型：(1)常开型(Normal On)MISFET、(2)常开型HEMT、(3)常关型(Normal Off)。按耐压高低来分有40V、100V和650V产品。
其中，耐压650V的常关
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台积电 GaN
移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。
Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求，提供
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Qorvo GaN
通讯电源是服务器，基站通讯的能源库，为各种传 输设备提供电能，保证通讯系统正常运行，通信电源系统在整个通信行业中占的比例比较小，但它是整个通信网络的关键基础设施，是通信网络上一个完整而又不可 替代的关键部件。通信电源产品种类繁多，一般集中放在机房里，如图1所示。
图1：通讯电源机房 目前主流的通讯电源，其参数如下： • 输入电压AC:90-264V 50/60Hz • 输出功率：2kw •
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SiC PFC
英飞凌科技股份公司为其EiceDRIVER™ Compact隔离型门级驱动IC产品家族带来了宽体封装新成员。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装，可增大爬电距离并改善热性能。 全新IC的爬电距离为8 mm，输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设计。目标应用包括通用和光伏逆变器、工业变频器、电动汽车充电站、焊接设备及商用和农用车等。优化的
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英飞凌 SiC-MOSFET
通讯电源是服务器，基站通讯的能源库，为各种传 输设备提供电能，保证通讯系统正常运行，通信电源系统在整个通信行业中占的比例比较小，但它是整个通信网络的关键基础设施，是通信网络上一个完整而又不可 替代的关键部件。
通信电源产品种类繁多，一般集中放在机房里，如图1所示。
图1：通讯电源机房
目前主流的通讯电源，其参数如下：
• 输入电压AC:90-264V 50/60Hz
• 输出功率：2kw
• 输出：最大电压1
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世强 SiC
氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质，近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率，从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比，CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半，同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因，并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被
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GaN PFC
基于数十年的电源管理创新经验，德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70 mÙ场效应晶体管(FET)功率级工程样片，从而使TI成为首家，也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比，这款全新的12A LMG3410功率级与TI的模拟与数字电力转换控制器组合在一起，能使设计人员创造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的设计。而这些优势在隔离式高压工业、电信、企业计算和可再生能源应用中都特别重要。如需了解更多信息
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TI GaN
氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势，被称为第三代半导体材料，用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等，可实现硅器件难以达到的更高电源转换效率和更高的功率密度水平，为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来性能飞跃。 GaN的优势 从表1可见，GaN具备出色的击穿能力、更高的电子密度及速度，和更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率，这意味着开关过程的反向恢复时间可忽略不计
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安森美 GaN
SiC是这两年刚刚兴起的，主要用在工控/工业上，例如产线机器人、逆变器、伺服等。车辆方面，主要是电动车(EV)，此外还有工厂车间的搬运车等特种车。
相比IGBT，SiC有一些特点，可以做到高频;做成模块后，由于适应适应高频，外围器件例如电感你可以减小。因此电压方面，ROHM推荐1200V的产品，这可体现出耐高压的特点。
现在ROHM SiC模块中，300A是量产中最大的电流(如图)，由几个芯片并联在一起的。如果一个芯片40A左右，就需要约七八个芯片并联，面积只有单个芯片那么大。绝缘层是由氧
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ROHM SiC
东芝在工业领域推出大功率器件——IEGT以及SiC相关产品。这些产品可以广泛用到电气机车牵引、可再生能源、电力传输、工业变频、电动汽车等工业领域，这些领域对减小噪声、装置体积以及能耗的要求越来越高。 东芝是全球第一个商业化生产IGBT器件的厂家，率先导入了“门级注入增强”技术以降低IGBT静态损耗，用该技术注册了东芝大功率IGBT的专用商标---“IEGT”。 东芝电子(中国)公司副董事长野村尚司 目前东芝提供从1700V~4500V的高耐压产品系列。通过使用高耐压、高结温的IEGT及SiC材料
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IEGT SiC
大阪大学和电装2016年3月28日宣布，在日本新能源及产业技术综合开发机构(NEDO)的项目下，发现了有望提高碳化硅(SiC)功率半导体长期可靠性的接合材料自我修复现象。研究人员发现，在高温的设备工作环境下，用作接合材料的银烧结材料自行修复了龟裂，这大大提高了SiC半导体在汽车等领域的应用可能性。
此次的SiC接合使用银膏烧结粘接法，该方法使用微米级和亚微米级的混合银颗粒膏，以250℃低温在空气环境实施30分钟接合工艺，获得了裸片粘接构造。与常见的使用纳米颗粒施加高压的接合方法相比有很多优点，包
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SiC 功率半导体
全球知名半导体制造商ROHM现身在上海新国际博览中心举办的“2016慕尼黑上海电子展(electronica China 2016)”。在本次展会上展出了ROHM所擅长的模拟电源、以业界领先的SiC(碳化硅)元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子产品、以及能够为IoT(物联网)的发展做出贡献的传感器网络技术和小型元器件等品类众多，并且融入了最尖端技术的产品。这些高新领先的技术、强势多元化的产品、多种热门应用解决方案，吸引了众多业内外人士驻足及交流。
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ROHM SiC
英国雪菲尔大学(SheffieldUniversity)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(AppliedPhysicsLetter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。
利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。
相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用LED，该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波长的蓝位移随着驱动电流增加而
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GaN LED
英国雪菲尔大学(Sheffield University)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(Applied Physics Letter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。 利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。 相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用LED，该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波
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GaN LED
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