- 为提高高压电源系统能源效率，半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体（FET）；其中，采用Cascode结构的...
- 关键字：
Cascode GaN 场效应管
- GaN被认为是下一代的功率元件，被赋予了代替SiC的神圣使命。但是近日，来自英飞凌的MarkMuenzer表示，其前景虽好，但是还没到广泛使用的时候，因它还有很多未被探索出来的部分。
- 关键字：
GaN.功率元件
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
- 关键字：
SiC GaN
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就
- 关键字：
GaN 功率半导体
- 最近，碳化硅(SiC)的使用为BJT赋予了新的生命，生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的...
- 关键字：
光伏逆变器 SiC BJT
- 通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm为主流，超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度，许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。
比如，罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm，并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
- 关键字：
三菱电机 SiC
- 通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm为主流，超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度，许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。
比如，罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm，并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
- 关键字：
SiC 二极管
- 发光二极体(LED)的发光效率远高于传统光源，耗电量仅约同亮度传统光源的20%，并具有体积小、寿命长、效率高、不...
- 关键字：
GaN on GaN LED
- 新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗铜线有利于降低损耗提高效率，SiC-SBD专长于高速开关动作，再加上注重最佳音质的制造工艺技术，能够实现高音质音响效果。
- 关键字：
新日本无线 SiC-SBD MUSES
- 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列，推出全新的650V解决方案产品系列，新型二极管产品瞄准包括太阳能逆变器的大功率工业应用。
- 关键字：
美高森美 SiC
- GaN和SiC将区分使用 2015年，市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且，届时GaN类功率元件 ...
- 关键字：
功率 半导体 SiC GaN
- 在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”(日本宫崎县PhoenixSeagaiaResort)上，最近开始扩大SiC晶圆业务的亚洲企业纷纷出展。
山东天岳先进材料科技有限公司(SICC)展出了将从2014年4月开始对外销售的直径2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圆。该公司当前的目标
- 关键字：
SiC 晶圆
- 中国科学院近日发布的一份报告称，中国研究人员利用应变工程已将150mA的电流注入了530nm发光的二极管（LED），光的...
- 关键字：
LED GaN MOCVD
- 2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南...
- 关键字：
Si基 GaN 功率器件
gan+sic介绍
您好，目前还没有人创建词条gan+sic!
欢迎您创建该词条，阐述对gan+sic的理解，并与今后在此搜索gan+sic的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
