介绍了SiC的市场动向，SiC市场不断扩大的原因，SiC技术及解决方案的突破，以及罗姆公司在SiC方面的特点。
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SiC 市场 应用 汽车 201903
全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”)
宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块，扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA)
产品组合。该宽带PA模块经过优化改良，适用于陆地移动无线电系统(LMR)、无线公共安全通信以及军事战术通信和电子对抗 (ECM)
领域。MAMG-100227-010 PA模块兼具50Ω 全匹配、
两级PA架构的高效设计，以及顶端和底端安
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MACOM GaN
意法半导体(ST)近日与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB公司签署协议，收购后者55%股权。Norstel公司于2005年从Linköping大学分拆出来，开发和生产150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。ST表示，在交易完成之后，它将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链，并为自己带来一个重要的增长机会。
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ST Norstel SiC
目前，氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用，其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透，而且对射频/微波行业的影响越来越大，不容小觑。因为它可以实现从太空、军用雷达到蜂窝通信的应用。虽然GaN通常与功率放大器(PA)相关度很高，但它也有其他用例。自推出以来，GaN的发展历程令人瞩目，随着5G时代的到来，它可能会更加引人关注。
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GaN RF
目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备，如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射频(RF)开关主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，从目前的材料工艺角度来看，主要针对5G的Sub-6GHz范围。以PA为例，许多业内人士认为，GaN技术的运用将能为PA带来高效低功耗的优势。
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射频 GaN
今年整个产业在技术上也是节节攀升，2018年可以说是产业高速发展的一年，全球电子产业也产生了众多技术突破。
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芯片，GaN
目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。 然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。 实际上，氧化镓并不是很新的技术，多年前就
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半导体 SiC GaN
11月30日，北汽新能源(北汽蓝谷
600733)与罗姆半导体集团合作成立SiC产品技术联合实验室。北汽新能源执行副总经理陈上华与罗姆半导体集团董事末永良明现场签署了合作协议书，并共同为SiC产品技术联合试验室揭牌。 该联合实验室的成立，是北汽新能源在新能源汽车领域不断加强自主技术实力的重要举措，联合实验室成立后，北汽新能源将可以与罗姆半导体集团共同深入到碳化硅等新技术的预研中，并围绕碳化硅的新产品进行全面合作开发。 近年来，以SiC为代表的第三代功率半导体材料，已经被广泛应用在新能源
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北汽新能源 罗姆半导体 SiC
移动应用、基础设施与航空航天应用RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码：QRVO)凭借行业首款 28 Ghz 氮化镓 (GaN)
前端模块 (FEM) --- QPF4001 FEM，扩大了其 5G 业务范围。在基站设备制造商涉足 5G 之后，这款新 FEM
可以帮助他们降低总体系统成本。 据 SNS Telecom & IT 介绍，28 GHz 频段是早期基于 5G 的固定无线接入 (FWA) 部署的首选频段，使运营商能够满足
5G 对速度、延迟、可靠性和容量的
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QORVO GAN
罗姆（ROHM）作为一个日本企业，很早便打入欧洲市场，丰富的行业经验、值得信赖的产品品质和口碑让欧洲本土企业成为罗姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我们也见到了很多罗姆（ROHM）的得意之作。
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ROHM SiC 罗姆
在多伦多一个飘雪的寒冷日子里。 我们几个人齐聚在本地一所大学位于地下的高级电力电子研究实验室中，进行一场头脑风暴。有点讽刺意味的是，话题始终围绕着热量，当然不是要生热取暖，而是如何减少功率转换器产生的热量。我们已经将MOSFET和IGBT分别做到了极致，但是我们中没有人对此感到满意。在这个探讨过程中，我们盘点了一系列在高压环境中失败的设备。 在那个雪花漫天飞舞的日子里，我们聚焦于选择新方法和拓扑，以寻求获得更高的效率和密度，当然也要找到改进健全性的途径。一位高级研究员帮助总
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德州仪器 GaN
摘要 – 在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL
JU和ESI协同为该项目提供资金支持，实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia
Micro e Nano
Sistemi)牵头，20个项目合作方将在技术研究、制造工艺、封装测试和应用方面展开为期36个月的开发合作。本文将讨论本项目中与汽车相关的内容，重点介绍有关SiC技术和封
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SiC WInSiC4AP
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。 硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸规格下，硅材料无法在所需的频率下输出更高的功率。而对于即将推出的5G无线网络，以及未来的机器人、可再生能源直至数据中心技术，功率都是一个至关重要的因素。 “工程师现在处于一个非常尴尬的境地，一方面他们无法在现有空间内继续提高功率，但同时又不希望增大设备所需的空间，”德州仪器产品经理Masoud Behe
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GaN，机器人
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现业界顶级※可靠性的额定值保证1700V 250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM调查数据) 近年来，由于SiC产品的节能效果优异，以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛。随着各种应用的多功能化和高性能化发展，系统呈高电压化发展趋势，1700V耐压产品的需求日益旺盛。然而，受
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ROHM SiC
当今的半导体行业正在经历翻天覆地的变化，这主要是由于终端市场需求变化和重大整合引起。几十年前，业内有许多家射频公司，它们多半活跃于相同的市场，如今这种局面已被全新的市场格局所取代 - 有多个新兴市场出现，多家硅谷公司与传统芯片制造商进行重大兼并和收购。究竟有哪些因素推动着市场格局不断变化? 哪些因素在推动变革? 半导体行业格局的变化从根本上由两个要求驱动：对无所不在的传感和连接的需求。无论人们身处世界的哪个位置，无论在家中还是在工作场所，都希望能够安全、有效地与他人沟通交流。市场不再仅仅满足蜂窝手
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射频半导体 GaN
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