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ROHM开发出4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），开发出6款沟槽栅结构※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT304
  • 关键字： SiC  MOSFET  

科锐宣布与德尔福科技开展汽车SiC器件合作

  • 近日，科锐宣布与德尔福科技（Delphi Technologies PLC）开展汽车碳化硅（SiC）器件合作。
  • 关键字： 科锐  德尔福科技  SiC  

SiC: 为何被称为是新一代功率半导体？

  • 　　王 莹 （《电子产品世界》编辑，北京 100036）　　SiC(碳化硅)作为第三代半导体，以耐高压、高温和高频，在高性能功率半导体上显出优势。据SiC厂商罗姆基于IHS的调查显示，2025年整个市场规模将达到约23亿美元。在应用中，在光伏和服务器市场最大，正处于发展中的市场是xEV（电动与混动汽车）。随着SiC产品特性越做越好，在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。　　不过，制约SiC发展的关键是价格，主要原因有两个：衬底和晶圆尺寸。例如晶圆尺寸越大，成本也会相应地下降，罗姆等公司已经有6英
  • 关键字： 201909  新一代功率半导体  SiC  

SiC将达23亿美元规模，技术精进是主攻方向

  •       SiC(碳化硅)作为第三代半导体，以耐高压、高温和高频，在高性能功率半导体上显出优势。在应用中，在光伏和服务器市场最大，正处于发展中的市场是xEV（电动与混动汽车）。随着SiC产品特性越做越好，在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。      不过，制约SiC发展的，最主要的是价格，主要原因有两个，一个是衬底，一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大，成本也会相应地下降，ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面，众厂商竞争
  • 关键字： SiC  MOSFET  

Cree积极扩厂开发功率及射频元件，GaN on SiC磊晶技术发展待观察

  • 全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
  • 关键字： Cree  射频  GaN on SiC磊晶技术  

支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术

  • 两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高（和降低）。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势实现设计，同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本，并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半，到为并
  • 关键字： 德州仪器  600V氮化镓（GaN）功率器件  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型， 产品阵容丰富且支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

  • 　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型，该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2)，而且产品阵容丰富，拥有13个机型。　　ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产，在SiC功率元器件领域，ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场，ROHM也及时确立车载品质，并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
  • 关键字： ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半导体将在APEC 2019演示 用先进云联接的Strata Developer Studio™快速分析电源方案

  • 　　2019年3月14日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，将在美国加利福尼亚州阿纳海姆举行的APEC 2019展示由Strata Developer Studioä 开发平台支持的新电源方案板。Strata便于快速、简易评估应用广泛的电源方案，使用户能在一个具充分代表性的环境中查看器件并分析其性能。工程师用此缩小可行器件和系统方案的选择范围，且在采购硬件和完成设计之前对系统性能有信心。　　Strata Developer S
  • 关键字： 安森美  SiC   

集邦咨询：需求持续扩张，2019年中国功率半导体市场规模逾2,900亿元

  • 　　Mar. 7, 2019 ---- 全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出，受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加，MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价，带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币，较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币，较2017年同比增长8%。　　集邦咨询分析师谢瑞峰指出，功率半导体作为需求驱动型的产业，2019年
  • 关键字： IGBT  SiC   

MACOM和意法半导体携手合作提高硅基GaN产能，支持5G无线网络建设

  • 　　MACOM Technology Solutions Holdings公司(纳斯达克股票代码:MTSI) (以下简称“MACOM”)和意法半导体(纽约证券交易所股票代码:STM))(以下简称“ST”)于25日宣布，将在2019年扩大ST工厂150mm 硅基GaN的产能，200mm硅基GaN按需扩产。该扩产计划旨在支持全球5G电信网建设，基于2018年初 MACOM和ST宣布达成的广泛的硅基GaN协议。　　随着全球推出5G网络并转向大规模MIMO(M-MIMO)天线配置，射频RF功率产品需求预计
  • 关键字： MACOM  GaN  

碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
  • 关键字： 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  热模型  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器，可最大程度提高效率及安全性

  • 　　深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。　　SIC1182K可在125°C结温下提供8
  • 关键字： Power Integrations  SiC-MOSFET  

SiC市场趋势及应用动向

  • 介绍了SiC的市场动向，SiC市场不断扩大的原因，SiC技术及解决方案的突破，以及罗姆公司在SiC方面的特点。
  • 关键字： SiC  市场  应用  汽车  201903  

MACOM推出宽带多级硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模块 具备灵活安装性能，实现领先的设计敏捷性

  • 　　全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块，扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 产品组合。该宽带PA模块经过优化改良，适用于陆地移动无线电系统(LMR)、无线公共安全通信以及军事战术通信和电子对抗 (ECM) 领域。MAMG-100227-010 PA模块兼具50Ω 全匹配、 两级PA架构的高效设计，以及顶端和底端安
  • 关键字： MACOM  GaN  

ST将收购Norstel 55％股权，扩大SiC器件供应链

  • 意法半导体(ST)近日与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB公司签署协议，收购后者55%股权。Norstel公司于2005年从Linköping大学分拆出来，开发和生产150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。ST表示，在交易完成之后，它将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链，并为自己带来一个重要的增长机会。
  • 关键字： ST  Norstel  SiC  
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