- 随着电动汽车（EV）数量的增加，对创建更加节能的充电基础设施系统的需求也在日益增长，如此便可更快地为车辆充电。与先前的电动汽车相比，新型电动汽车具有更高的行驶里程和更大的电池容量，因此需要开发快速直流充电解决方案以满足快速充电要求。150 kW或200 kW的充电站约需要30分钟才能将电动汽车充电至80％，行驶大约250 km。根据联合充电系统和Charge de Move标准， 快速DC充电站 可提供高达400 kW的功率。今天，我们将研究驱动更快、更安全、更高效的充电器的半导体技术
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EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
- 国内领先的信号链芯片及其解决方案提供商苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)今日宣布推出隔离CAN收发器NSi1050，继续扩充公司丰富的隔离产品线，满足客户对隔离产品的多样化需求。该芯片集成了双通道数字隔离器和高可靠性CAN收发器，高集成度方案有助于简化系统设计，提升工业系统的可靠性。NSi1050隔离耐压高，满足增强隔离要求，并符合各种工业系统的安规需求，可广泛应用于工业自动化、电梯、电力、不间断电源、储能和其他工业接口卡等各类需要隔离CAN的工业通信系统中。NSi1050具有高隔离耐压、高
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收发器 CMTI CAN
- 电机控制变频器及高性能电源系统等工业应用的系统设计工程师，一直寻求在单 IC 封装中高度集成栅极驱动和保护特性，以简化设计并提高效率。新研发的FOD8332 是高级 2.5 A 输出电流 IGBT/MOSFET 驱动光电耦合器。 该器件的绝缘工作电压额定值 (VIORM) 为 1414 V，比竞争产品高 13%，允许器件直接驱动 1200 V
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CMTI CMTI ESW
- Silicon Labs数字隔离器(光电耦合器替代品)与标准光电耦合器之间关于共模瞬变抑制(CMTI)鲁棒性的详细对比。该视频中展示了如何使用被认可的经过校准的商业CMTI测试仪测量Si87xx数字隔离器的瞬变抑制特性，因此你能确
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CMTI Si 87 xx
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