领先的汽车供应商MARELLI近日宣布与美国一家专注于重新定义功率转换的半导体公司Transphorm达成战略合作。通过此协议，MARELLI将获得电动和混合动力车辆领域OBC车载充电器、DC-DC 转换器和动力总成逆变器开发的尖端技术，进一步完善MARELLI在整体新能源汽车技术领域的布局。Transphorm被公认为是氮化镓(GaN)技术的领导者，提供高压电源转换应用的最高效能、最高可靠性的氮化镓(GaN)半导体，并拥有和汽车行业（尤其是日本）直接合作的成功经验。获得这一技术对正在探索电力传动系统业务
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OBC GaN
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案，即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制，对于电动汽车（EV）整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言，该平台可以帮助他们加快产品上市时间。该可扩展
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SiC IPM
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商Qorvo®, Inc.近日推出全球性能最高的宽带功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的这款功率放大器是专为通信应用和测试仪表应用而设计，拥有多项性能突破：它能够在 2-20 GHz 的频率范围提供业界领先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信号增益和 20-35% 的功率附加效率。这种组合为系统设计人员带来提高系统性能和可靠性所需的灵活性，同时减少了元件数量、占用空间和成本。Qorvo 高性能解决方案业务
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GaN 功率放大器
顾伟俊 （罗姆半导体（上海）有限公司 技术中心 现场应用工程师）摘 要：介绍了电机的应用趋势，以及MCU、功率器件的产品动向。 关键词：电机；BLDC；MCU；SiC；IPM1 电机的应用趋势 随着智能家居、工业自动化、物流自动化等概念的 普及深化，在与每个人息息相关的家电领域、车载领 域以及工业领域，各类电机在技术方面都出现了新的 需求。 在家电领域，电器的 智能化需要电器对人机交 流产生相应的反馈。例如 扫地机器人需要扫描计算 空间，规划路线，然后执 行移动以及相应
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202003 电机 BLDC MCU SiC IPM
电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段：硅晶闸管（可控硅）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和刚显露头角的碳化硅（SiC）系列大功率半导体器件。碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此，已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。到2023年，SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森
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碳化硅、SiC、功率器件、电动汽车
近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监St
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SiC MOSFET
奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家Nexperia宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作，以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器技术演示器。 GaN是这些应用的首选功率器件，因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车领域，这意味着车辆行驶里程更长，而这正是所有电动汽车消费者最关心的问题。现在，GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC，成为插电式混合动力汽车
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Nexperia GaN EV逆变器
在本文中，我们将调查电动车牵引逆变器采用 SiC 技术的优势。我们将展示在各种负荷条件下逆变器的能效是如何提升的，包括从轻负荷到满负荷。使用较高的运行电压与高效的 1200V SiC FET 可以帮助降低铜损。还可以提高逆变器开关频率，以对电机绕组输出更理想的正弦曲线波形和降低电机内的铁损。预计在所有这些因素的影响下，纯电动车的单次充电行驶里程将提高 5-10%，同时，降低的损耗还能简化冷却问题。简介近期的新闻表明，纯电动车 (BEV) 的数量增加得比之前的预期要快。这促使汽车制造商（包括现有制
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SiC BEV 牵引逆变器
小米集团和纳微（Navitas）宣布，其GaNFast充电技术已被小米采用，用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。 小米董事长兼首席执行官雷军先生在2月13日的小米在线新闻发布会上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化镓（GaN），这是一种新的半导体材料，其运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快100倍，因此仅需45分钟即可对Mi 10 PRO进行0至100％的充电。
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小米 GaN 纳微半导体
近日，全球知名半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“ST”）宣布，双方就碳化硅（以下简称“SiC”）晶圆由罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH （以下简称“SiCrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在SiC功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由SiCrystal（SiC晶圆生产量欧洲第一）向ST（面向众多电子设备提供半导体的全球性半导体制造商）供应先进的150mm SiC晶圆。ST 总经理 兼 首席执行官（CEO） Jean-Marc Chery 说：
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SiC 车载
简介电动汽车、可再生能源和储能系统等电源发展技术的成功取决于电力转换方案能否有效实施。电力电子转换器的核心包含专用半导体器件和通过栅极驱动器控制这些新型半导体器件开和关的策略。目前最先进的宽带器件，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体具有更高的性能，如600 V至2000 V的高电压额定值、低通道阻抗，以及高达MHz范围的快速切换速度。这些提高了栅极驱动器的性能要求，例如，，通过去饱和以得到更短的传输延迟和改进的短路保护。本应用笔记展示了ADuM4136 栅极驱动器的优势，这款单通道器件的输出驱动能
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DC/DC SiC
近日，分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
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Nexperia GaN FET 氮化镓功率器件 MOSFET 器件
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）凭借多方面的性能优势，在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中
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IGBT SiC GaN
商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。不过，这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善，特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低，这些半导体开关的应用范围越来越广。结果，市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高，对性能的要求越来越高。尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求，进一步改进MOSFET/ IGBT产品，但在某些时候，收益递减
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SiC MOSFET 意法半导体
近日，意法半导体（ST）在华举办了“ST工业巡演2019”。在北京站，ST亚太区功率分立和模拟产品器件部区域营销和应用副总裁Francesco Muggeri分析了工业市场的特点，并介绍了ST的产品线宽泛且通用性强，能够提供完整系统的支持。1 芯片厂商如何应对工业市场少量多样的挑战工业领域呈现多样、少量的特点，需要改变消费类电子大规模生产的模式，实现少量、高质量的生产。具体地，工业的一大挑战是应用的多样化，即一个大应用下面通常有很多小的子应用，所以产品会非标准化，即一个产品只能针对某一类小应用/小客户的需
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电机 MCU 电源 SiC
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